【技术实现步骤摘要】
一种硅控整流器及其制造方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种双向无回滞效应的硅控整流器结构及其制造方法。
技术介绍
在高压集成电路防静电(ESD，Electro-Staticdischarge)保护设计领域，无回滞效应硅控整流器(SCR，SiliconControlledRectifier)多级串联应用于高压端口的防静电保护电路设计的方案因其可以大大节省版图面积的优点而广受关注。已有中国专利(授权公告号：CN108091650B)在业界提出了如图1所示出的无回滞效应硅控整流器结构。如图1所示出的，该硅控整流器包括P型衬底180，P型衬底的内具有N型阱160和P型阱170，N型阱160和P型阱170彼此邻接，以在N型阱160和P型阱170的交界处形成PN结(PNJunction)。在N型阱160和P型阱180的交界处的上部形成有P型重掺杂区122。N型阱160的上部形成有构成硅控整流器阳极A的P型重掺杂区120和N型重掺杂区128，P型阱170的上部形成有构成硅控整流器阴极K的P型重掺杂区126和N型重掺杂区12...
【技术保护点】
1.一种硅控整流器，其特征在于，包括：/nP型衬底(80)；/n位于所述P型衬底(80)中的N型阱(60)，所述N型阱(60)的上部具有构成所述硅控整流器第一极的P型重掺杂区(20)和N型重掺杂区(28)，所述P型重掺杂区(20)和N型重掺杂区(28)之间具有浅沟槽隔离；/n位于所述P型衬底(80)中的N型阱(62)，所述N型阱(62)的上部具有构成所述硅控整流器第二极的P型重掺杂区(22)和N型重掺杂区(26)，所述P型重掺杂区(22)和N型重掺杂区(26)之间具有浅沟槽隔离；以及/n位于所述P型衬底(80)中连接所述N型阱(60)和N型阱(62)的P型阱(70)，所述P...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种硅控整流器，其特征在于，包括：
P型衬底(80)；
位于所述P型衬底(80)中的N型阱(60)，所述N型阱(60)的上部具有构成所述硅控整流器第一极的P型重掺杂区(20)和N型重掺杂区(28)，所述P型重掺杂区(20)和N型重掺杂区(28)之间具有浅沟槽隔离；
位于所述P型衬底(80)中的N型阱(62)，所述N型阱(62)的上部具有构成所述硅控整流器第二极的P型重掺杂区(22)和N型重掺杂区(26)，所述P型重掺杂区(22)和N型重掺杂区(26)之间具有浅沟槽隔离；以及
位于所述P型衬底(80)中连接所述N型阱(60)和N型阱(62)的P型阱(70)，所述P型阱(70)的上部具有P型重掺杂区(24)；其中
所述第一极的P型重掺杂区(20)和N型重掺杂区(28)与所述第二极的P型重掺杂区(22)和N型重掺杂区(26)关于所述P型重掺杂区(24)镜像对称，所述N型重掺杂区(28)和所述N型重掺杂区(26)靠近所述P型重掺杂区(24)，所述N型重掺杂区(28)和所述N型重掺杂区(26)与所述P型重掺杂区(24)之间分别为所述N型阱(60)和所述N型阱(62)的有源区。
2.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述P型重掺杂区(20)、P型重掺杂区(22)与所述P型重掺杂区(24)具有相同的离子掺杂浓度；和/或
所述N型重掺杂区(28)与所述N型重掺杂区(26)具有相同的离子掺杂浓度。
3.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述N型重掺杂区(28)、所述N型重掺杂区(26)与所述P型重掺杂区(24)之间的有源区的宽度D1关联于所述硅控整流器的触发电压。
4.如权利要求3所述的硅控整流器，其特征在于，所述宽度D1为0-2微米。
5.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述N型重掺杂区(28)与所述N型重掺杂区(26)的宽度D2、所述P型重掺杂区(24)的宽度D3以及所述P型重掺杂区(20)和N型重掺杂区(28)之间与所述P型重掺杂区(22)和N型重掺杂区(26)之间的浅沟槽隔离的宽度S关联于所述硅控整流器的无回滞效应状态。
6.如权利要求5所述的硅控整流器，其特征在于，所述宽度D2为0.4-10微米、所述宽度D3为1-10微米、所述宽度S为0-2微米。
技术研发人员：朱天志，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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