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本发明提供了一种硅控整流器及其制造方法，硅控整流器包括：P型衬底，P型衬底中的N型阱60，其上部具有构成第一极的P型重掺杂区20和N型重掺杂区28，两者之间具有浅沟槽隔离；P型衬底中的N型阱62，其上部具有构成第二极的P型重掺杂区22和N型...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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