【技术实现步骤摘要】
静电放电保护装置
本专利技术涉及静电放电保护装置，尤其涉及具有低导通电阻的静电放电保护装置。
技术介绍
静电放电(electrostaticdischarge，ESD)已经是半导体产品中重要的可靠度考量之一。比较为一般人熟悉的静电放电测试有两种，人体放电模式(humanbodymodel，HBM)以及机器放电模式(machinemodel，MM)。一般商业用的集成电路都必须具备一定程度的HBM以及MM的耐受度，才可以贩售，否则，集成电路非常容易因为偶然的静电放电事件而损毁。也因此，如何制造一个有效率的静电放电保护装置/元件，来保护集成电路，也是业界一直不断探讨与研究的问题。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例提供静电放电保护装置，用以保护半导体装置免于在静电放电事件中受到损害，此静电放电保护装置包含第一阱和第二阱。第一阱和第二阱设置于半导体基底中。第一阱具有第一导电类型，且第二阱具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。此静电放电保护装置包含第一掺杂区。第一掺杂区设置于第一阱和第二阱中。第一掺杂...
【技术保护点】
1.一种静电放电保护装置，其特征在于，包括：/n一第一阱和一第二阱，设置于一半导体基底中，其中该第一阱具有一第一导电类型，且该第二阱具有一第二导电类型，该第二导电类型与该第一导电类型相反；/n一第一掺杂区，设置于该第一阱和该第二阱中，其中该第一掺杂区具有该第一导电类型；以及/n一第二重掺杂区，设置于该第一阱中的该第一掺杂区中，其中该第二重掺杂区具有该第二导电类型。/n
【技术特征摘要】
1.一种静电放电保护装置，其特征在于，包括：
一第一阱和一第二阱，设置于一半导体基底中，其中该第一阱具有一第一导电类型，且该第二阱具有一第二导电类型，该第二导电类型与该第一导电类型相反；
一第一掺杂区，设置于该第一阱和该第二阱中，其中该第一掺杂区具有该第一导电类型；以及
一第二重掺杂区，设置于该第一阱中的该第一掺杂区中，其中该第二重掺杂区具有该第二导电类型。
2.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第一掺杂区的掺杂浓度大于该第一阱的掺杂浓度且小于该第二重掺杂区的掺杂浓度。
3.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第一掺杂区的掺杂浓度大于该第二阱的掺杂浓度。
4.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，更包括：
一第一重掺杂区，设置于该第一阱中，其中该第一重掺杂区具有该第一导电类型。
5.如权利要求4所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第二重掺杂区与该第一重掺杂区一起电性连接至一电源线或一接地线。
6.如权利要求4所述的静电放电保护装置，其特征在于，更包括：
一隔离部件，设置于该第一重掺杂区与该第二重掺杂区之间。
7.如权利要求4所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第一重掺杂区与该第二重掺杂区接触。
8.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，更包括：
一第三重掺杂区，设置于该第二阱中，其中该第三重掺杂区具有该第二导电类型。
9.如权利要求8所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第二重掺杂区电性连接至一电源线和一接地线中的一者，且该第三重掺杂区电性连接至该电源线和该接地线中的另一者。
10.如权利要求8所述的静电放电保护装置，其特征在于，更包括：
一第二掺杂区，设置于该第二阱中，其中该第二掺杂区具有该第二导电类型，且该第三重掺杂区设置于该第二掺杂区中。
11.如权利要求10所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：周业宁，廖显峰，叶家荣，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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