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本发明提供一种静电放电保护装置，包含第一阱、第二阱、第一掺杂区、以及第二重掺杂区。第一阱和第二阱设置于半导体基底中。第一掺杂区设置于第一阱和第二阱中。第二重掺杂区设置于第一阱中的第一掺杂区中。第一阱和第一掺杂区具有第一导电类型，并且第二阱和...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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