【技术实现步骤摘要】
一种硅控整流器及其制造方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种无回滞效应的硅控整流器结构及其制造方法。
技术介绍
高压电路的防静电保护设计一直是一个技术难题，这是因为构成高压电路的核心：高压器件(例如：LDMOS)本身不像普通的低压器件适用于防静电保护设计，因为高压器件的回滞效应曲线所表现出来的特性很差。这体现在以下两点：1、维持电压(Vh)过低，往往大大低于高压电路的工作电压，高压电路正常工作时容易导致闩锁效应；2、二次击穿电流(热击穿电流，It2)过低，这是由于LDMOS在泄放ESD电流时因为器件结构特性发生局部电流拥堵(LocalizedCurrentCrowding)所致。因而工业界在解决高压电路防静电保护设计的时候，往往采用两种思路来实现：1、对用于防静电保护模块的高压器件结构进行调整，优化其回滞效应曲线，使之适用于防静电保护设计，但往往因为高压器件本身的结构特性的原因实践起来比较困难；2、用一定数量的低压防静电保护器件串联起来构成能承受高压的防静电保护电路。对于第二种思路，由于低压防静电保护器件的特性...
【技术保护点】
1.一种硅控整流器，其特征在于，包括：/nP型衬底(80)；/n位于所述P型衬底(80)中的N型阱(60)和P型阱(70)，所述N型阱(60)和P型阱(70)之间具有交界面；/n所述N型阱(60)的上部具有构成所述硅控整流器的阳极的P型重掺杂区(20)和N型重掺杂区(28)，所述N型重掺杂区(28)靠近所述交界面，所述N型重掺杂区(28)与所述交界面之间为所述N型阱(60)的有源区；以及/n所述P型阱(70)的上部具有构成所述硅控整流器的阴极的P型重掺杂区(26)和N型重掺杂区(24)，所述N型重掺杂区(24)靠近所述交界面，所述N型重掺杂区(24)与所述交界面之间具有浅沟...
【技术特征摘要】
1.一种硅控整流器，其特征在于，包括：
P型衬底(80)；
位于所述P型衬底(80)中的N型阱(60)和P型阱(70)，所述N型阱(60)和P型阱(70)之间具有交界面；
所述N型阱(60)的上部具有构成所述硅控整流器的阳极的P型重掺杂区(20)和N型重掺杂区(28)，所述N型重掺杂区(28)靠近所述交界面，所述N型重掺杂区(28)与所述交界面之间为所述N型阱(60)的有源区；以及
所述P型阱(70)的上部具有构成所述硅控整流器的阴极的P型重掺杂区(26)和N型重掺杂区(24)，所述N型重掺杂区(24)靠近所述交界面，所述N型重掺杂区(24)与所述交界面之间具有浅沟槽隔离(90)，所述浅沟槽隔离(90)邻接所述N型重掺杂区(24)，所述浅沟槽隔离(90)与所述交界面之间为所述P型阱(70)的有源区。
2.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述N型重掺杂区(28)与所述交界面之间的有源区的宽度D1关联于所述硅控整流器的触发电压。
3.如权利要求2所述的硅控整流器，其特征在于，所述宽度D1为0-2微米。
4.如权利要求2所述的硅控整流器，其特征在于，所述硅控整流器的触发电压还关联于所述浅沟槽隔离(90)与所述交界面之间的有源区的宽度D3。
5.如权利要求4所述的硅控整流器，其特征在于，所述宽度D3为0-5微米。
6.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述P型重掺杂区(20)和N型重掺杂区(28)之间为所述N型阱(60)的有源区。
7.如权利要求6所述的硅控整流器，其特征在于，所述N型重掺杂区(26)的宽度D2与所述P型重掺杂区(20)和N型重掺杂区(28)之间的有源区的宽度S关联于所述硅控整流器的无回滞效应状态。
8.如权利要求7所述的硅控整流器，其特征在于，所述宽度D2为0.4-10微米，所述宽度S为0-2微米。
9.一种硅控整流器的制造方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱天志，黄冠群，陈昊瑜，邵华，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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