一种LED芯片结构及其制作方法技术

本申请提供一种LED芯片结构及其制作方法，所述LED芯片结构，在水平结构LED芯片的基础上，添加设置一个占用衬底面积较小的ESD二极管，ESD二极管与水平结构LED芯片反向并联连接，从而使得在给LED芯片施加电压时，无论施加正向电压还是反向电压，都能够提高LED的抗静电能力，尤其在施加反向电压时，更能够提高LED的抗静电能力。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种LED芯片结构及其制作方法。
技术介绍
LED(Light-EmittingDiode，发光二极管)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量，这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理，因此发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有耐久性高、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望，将其视为新一代照明工具。但是随着LED的发展，LED尺寸越来越小，造成常规制作的水平结构LED芯片的ESD(Eletro-Staticdischarge，静电释放)能力有限。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种LED芯片结构及其制作方法，以解决现有技术中LED芯片尺寸变小，而抗静电能力有限的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种LED芯片结构，包括：衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域半包围所述第二区域，且，所述第二区域的面积占所述衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片结构，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域半包围所述第二区域，且，所述第二区域的面积占所述衬底面积的5％-10％，包括端点值；/n位于所述第一区域的发光二极管，所述发光二极管包括N型电极和P型电极；/n与所述发光二极管之间具有间隙，且位于所述第二区域的ESD二极管，所述ESD二极管包括N型电极和P型电极；/n其中，所述发光二极管和所述ESD二极管采用相同的工艺步骤同时形成；/n所述发光二极管的N型电极与所述ESD二极管的P型电极电性连接；/n所述发光二极管的P型电极与所述ESD二极管的N型电极电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域半包围所述第二区域，且，所述第二区域的面积占所述衬底面积的5％-10％，包括端点值；
位于所述第一区域的发光二极管，所述发光二极管包括N型电极和P型电极；
与所述发光二极管之间具有间隙，且位于所述第二区域的ESD二极管，所述ESD二极管包括N型电极和P型电极；
其中，所述发光二极管和所述ESD二极管采用相同的工艺步骤同时形成；
所述发光二极管的N型电极与所述ESD二极管的P型电极电性连接；
所述发光二极管的P型电极与所述ESD二极管的N型电极电性连接。


2.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述发光二极管和所述ESD二极管均包括：
依次生长形成在所述衬底上的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层。


3.根据权利要求2所述的LED芯片结构，其特征在于，还包括：
覆盖所述第二型半导体层、所述发光二极管的侧壁以及所述ESD二极管侧壁的钝化层。


4.根据权利要求3所述的LED芯片结构，其特征在于，还包括：
位于所述钝化层背离所述衬底的表面上的第一走线和第二走线；
所述第一走线将所述发光二极管的N型电极与所述ESD二极管的P型电极电性连接；
所述第二走线将所述发光二极管的P型电极与所述ESD二极管的N型电极电性连接。


5.根据权利要求4所述的LED芯片结构，其特征在于，所述第一走线、所述第二走线、所述发光二极管的N型电极、P型电极、所述ESD二极管的N型电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕清清，王洪占，徐洲，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32