【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】先进纳米结构的测量方法相关申请案的交叉参考本申请案主张在2017年12月8日申请且转让的第62/596,598号美国申请案的临时专利申请案的优先权，所述申请案的公开内容特此以引用的方式并入。
本专利技术涉及测量半导体晶片上的结构。
技术介绍
半导体制造产业的演进对良率管理以及特定来说计量及检验系统提出更高要求。临界尺寸日益缩小而晶片尺寸日益增大。经济学驱使所述产业减少用于实现高良率、高价值生产的时间。最小化从检测到良率问题到解决所述问题的总时间确定半导体制造商的投资回报率。制造半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常包含使用大量制造工艺处理半导体晶片以形成半导体装置的各种特征及多个层级。举例来说，光刻是涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可制造于单半导体晶片上的布置中且接着分离成个别半导体装置。可在半导体制造期间使用计量取得例如半导体晶片或光罩的各种测量值。可使用计量...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n在处理器处接收光谱，其中所述光谱是来自包含结构的半导体晶片的区域，其中所述光谱是通过晶片计量工具测量，且其中所述结构具有几何结构诱发的各向异性效应；/n使用所述处理器产生所述结构的参数化几何模型；/n使用所述处理器将各向异性材料性质指派到所述参数化几何模型；/n运用所述处理器使用所述参数化几何模型确定所述晶片上的所述结构的色散参数，其中所述色散参数包含各向异性色散参数；及/n使用所述处理器从所述参数化几何模型确定至少一个几何参数或各向异性材料参数。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171208 US 62/596,598;20180328 US 15/938,2701.一种方法，其包括：
在处理器处接收光谱，其中所述光谱是来自包含结构的半导体晶片的区域，其中所述光谱是通过晶片计量工具测量，且其中所述结构具有几何结构诱发的各向异性效应；
使用所述处理器产生所述结构的参数化几何模型；
使用所述处理器将各向异性材料性质指派到所述参数化几何模型；
运用所述处理器使用所述参数化几何模型确定所述晶片上的所述结构的色散参数，其中所述色散参数包含各向异性色散参数；及
使用所述处理器从所述参数化几何模型确定至少一个几何参数或各向异性材料参数。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括用所述晶片计量工具测量所述光谱。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述色散参数包含各向异性张量矩阵。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述色散参数的各向异性电介质分量是由参考理论或经验色散模型提供。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述参考理论或经验色散模型表示所述色散参数对各向异性的促成因素的相依性。
6.根据权利要求1所述的方法，其中使用回归确定所述至少一个几何参数或各向异性材料参数。
7.根据权利要求1所述的方法，其中使用机器学习确定所述至少一个几何参数或各向异性材料参数。
8.根据权利要求1所述的方法，其中使用双轴模型或单轴模型对所述色散参数进行建模。
9.根据权利要求8所述的方法，其中通过至少一个参考色散模型提供所述双轴模型或所述单轴模型的电介质分量。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述各向异性材料性质包含电子密度、材料密度或化学组合物中的至少一者。
11.根据权利要求1所述的方法，其中使用校正参数参数化所述各向异性色散参数。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述校正参数表示原始各向异性色散的偏移或比例。
13.根据权利要求1所述的方法，其中通过包含以下各者的过程确定所述色散参数：
使用所述参数化几何模型、色散模型及...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·源，P·阿金斯，A·库兹涅佐夫，列关·里奇·利，N·马尔科娃，P·奥雅吉，M·苏辛西科，H·舒艾卜，胡大为，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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