芯片内系统集成封装结构及其制作方法、立体堆叠器件技术方案

本发明专利技术提供一种芯片内系统集成封装结构及其制作方法、立体堆叠器件，其中，芯片内系统集成封装结构包括：基板、芯片、第一电连接结构以及第二电连接结构；基板具有正面和背面，其正面开设有凹槽和导通孔焊垫，背面开设有延伸至正面导通孔焊垫的导电通孔；芯片埋入基板正面的凹槽中，芯片的另一面具有芯片焊垫；第一电连接结构形成于基板的正面，第二电连接结构形成于基板的背面，第一电连接结构与导通孔焊垫和芯片焊垫电连接，第二电连接结构与导通孔焊垫电连接。通过第一电连接结构和第二电连接结构，不同的芯片之间可以通过第一电连接结构和第二电连接焊接，有利于形成高密度互连、封装小型化和轻薄化的立体堆叠结构。

【技术实现步骤摘要】
芯片内系统集成封装结构及其制作方法、立体堆叠器件
本专利技术涉及半导体芯片
，尤其涉及一种芯片内系统集成封装结构及其制作方法、立体堆叠器件。
技术介绍
随着市场应用多元化发展，小型化高密度三维集成封装技术需求越来越多。目前，对于现有的硅基扇出型三维封装结构而言，其垂直导电通孔结构的开口是在芯片埋入面，实际工艺实现难度非常大，主要是由于该结构垂直通孔绝缘存在工艺缺陷，对比文件中埋入芯片后，采用聚合物填充芯片和硅基之间的缝隙，同时表面会存在一层聚合物绝缘层，完成通孔刻蚀后，通孔侧壁绝缘只能采用二氧化硅或者聚合物，二氧化硅无法在聚合物上沉积，采用聚合物喷涂方式无法保证侧壁挂胶，业内暂无合适材料均匀覆盖通孔侧壁，尤其针对高深宽比通孔结构。目前，三维堆叠结构普遍采用二氧化硅绝缘，需要在硅面沉积。另外对比专利需要研磨暴露出背面的金属pad，研磨同时涉及到金属，聚合物，硅三种材料同时研磨，需要用到化学机械抛光技术，设备昂贵，成本较高。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种芯片内系统集成封装结构及服务器，以克服现有技术中存在的不足。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片内系统集成封装结构，其特征在于，所述芯片内系统集成封装结构包括：基板、芯片、第一电连接结构以及第二电连接结构；/n所述基板具有正面和背面，其正面开设有凹槽和导通孔焊垫，背面开设有延伸至所述正面导通孔焊垫的导电通孔；/n所述芯片埋入所述基板正面的凹槽中，所述芯片的一面与所述凹槽的底面相粘接，所述芯片的另一面具有芯片焊垫，所述芯片与所述凹槽之间以及基板的正面具有第一绝缘层；/n所述第一电连接结构形成于所述基板的正面，所述第二电连接结构形成于所述基板的背面，所述第一电连接结构通过第一金属重布线与所述导通孔焊垫和芯片焊垫电连接，所述第二电连接结构借助延伸至所述导电通孔中的第二金属重布线与所...

【技术特征摘要】
1.一种芯片内系统集成封装结构，其特征在于，所述芯片内系统集成封装结构包括：基板、芯片、第一电连接结构以及第二电连接结构；
所述基板具有正面和背面，其正面开设有凹槽和导通孔焊垫，背面开设有延伸至所述正面导通孔焊垫的导电通孔；
所述芯片埋入所述基板正面的凹槽中，所述芯片的一面与所述凹槽的底面相粘接，所述芯片的另一面具有芯片焊垫，所述芯片与所述凹槽之间以及基板的正面具有第一绝缘层；
所述第一电连接结构形成于所述基板的正面，所述第二电连接结构形成于所述基板的背面，所述第一电连接结构通过第一金属重布线与所述导通孔焊垫和芯片焊垫电连接，所述第二电连接结构借助延伸至所述导电通孔中的第二金属重布线与所述导通孔焊垫电连接。


2.根据权利要求1所述的芯片内系统集成封装结构，其特征在于，所述基板的材质为绝缘材质或非绝缘材质，所述基板为非绝缘材质时，所述基板的正面、凹槽的侧壁和底壁还沉积有氧化硅层。


3.根据权利要求1所述的芯片内系统集成封装结构，其特征在于，所述凹槽顶部开口的尺寸不小于凹槽底部的尺寸，所述凹槽的深度小于或者等于所述基板的厚度，所述凹槽的截面形状为矩形或者梯形，所述截面为所述基板的正面和背面垂直相交的平面。


4.根据权利要求1所述的芯片内系统集成封装结构，其特征在于，所述芯片内系统集成封装结构还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层形成于所述第一绝缘层和第一金属重布线上。


5.根据权利要求1所述的芯片内系统集成封装结构，其特征在于，所述第一电连接机构为形成于所述基板正面的焊球或者金属凸点。


6.根据权利要求1或5所述的芯片内系统集成封装结构，其特征在于，所述第二电连接结构为形成于所述基板背面的焊球或者金属凸点。


7.根据权利要求1所述的芯片内系统集成封装结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马书英，王姣，宋昆树，杨笑冰，肖智轶，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32