一种六面包覆型芯片尺寸的封装结构制造技术

本实用新型专利技术一种六面包覆型芯片尺寸的封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体（111）和芯片电极（113），且芯片电极（113）嵌入硅基本体（111）表面，露出芯片电极（113）的正面。在硅基本体（111）表面设置钝化层（210），且在芯片电极处设置有钝化层开口（213），所述钝化层开口（213）的尺寸小于芯片电极（113）的尺寸，且露出芯片电极（113）的正面。主要先完成重现布线层（510），然后进行晶圆重构，完成五面包覆。在完成金属凸块（520）后，对所述芯片正面进行包覆，最终实现六面包覆。本实用新型专利技术有效隔绝芯片表面介电层Ⅰ与外界环境；另一方面，对介电层Ⅱ表面缓冲应力的同时，还可以支撑金属凸块，提高金属凸块的可靠性的作用。

【技术实现步骤摘要】
一种六面包覆型芯片尺寸的封装结构
本技术涉及一种六面包覆型芯片尺寸的封装结构，属于半导体封装

技术介绍
晶圆级芯片尺寸封装技术，可以满足封装短小轻薄、成本低等优点。但是完成封装后的芯片封装体，侧壁的硅直接裸露在外界，在存在机械应力或者外界环境变化时，及易受损造成硅破裂、翘曲等问题。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，针对芯片表面包覆不均匀、翘曲等问题，提供了一种六面包覆型芯片尺寸的封装结构。本技术的目的是这样实现的：本技术一种包覆型芯片尺寸的封装结构，其包括硅基本体和芯片电极，且芯片电极嵌入硅基本体表面，露出芯片电极正面，在所述硅基本体表面设置钝化层，且在芯片电极处设置有钝化层开口，所述钝化层开口尺寸小于芯片电极尺寸，且露出芯片电极的正面。所述钝化层上覆盖介电层Ⅰ，且与钝化层开口处设置介电层Ⅰ开口，所述介电层Ⅰ开口的尺寸小于钝化层开口的尺寸，所述介电层Ⅰ的覆盖面积小于钝化层的面积并露出钝化层的边缘，在所述介电层Ⅰ上覆盖金属种子层Ⅰ，再在所述金属种子层Ⅰ上覆盖再布线金属层；在所述再布线金属层上覆盖介电层Ⅱ，且在所需位置处相应设置介电层Ⅱ开口，所述介电层Ⅱ的侧面与介电层Ⅰ的侧面齐平，在所述介电层Ⅱ开口处依次设置金属种子层Ⅱ和金属凸块，所述金属凸块上设置焊球；还包括包覆层Ⅰ和包覆层Ⅱ，所述包覆层Ⅰ设置于硅基本体的四周和背面，其上表面向上延展与介电层Ⅱ的上表面齐平，所述包覆层Ⅱ覆盖介电层Ⅱ和包覆层Ⅰ的上表面，其上表面与金属凸块的上表面齐平。>可选地，所述包覆层Ⅰ与包覆层Ⅱ是一体结构，将硅基本体的六个面包覆其中。可选地，还包括硅基加强层，所述硅基加强层设置在包覆层Ⅰ的背面。可选地，所述金属种子层Ⅰ包括下层的黏附、阻挡层和上层的铜金属种子层。可选地，所述金属种子层Ⅱ包括下层的黏附、阻挡层和上层的铜金属种子层。有益效果本技术可以实现芯片的侧壁及底部包覆，以及芯片的上表面包覆，最终实现六面包覆，可以有效降低翘曲，在制作重新布线层等工艺流程中，重构晶圆背部始终存在硅支撑载体，不存在CTE不匹配的问题，无需调整翘曲。附图说明图1为本技术一种包覆型芯片尺寸的封装结构的实施例的剖面示意图；图2为图1的变形；其中：晶圆100硅基本体111芯片电极113包覆层Ⅰ123包覆层Ⅱ132钝化层210钝化层开口213介电层Ⅰ310介电层Ⅰ开口311金属种子层Ⅰ410再布线金属层510介电层Ⅱ320介电层Ⅱ开口321金属种子层Ⅱ420金属凸块520焊球600硅基支撑板800。具体实施方式下面结合附图对本技术的具体实施方式进行详细说明。实施例本技术一种六面包覆型芯片尺寸的封装结构，图1为本技术一种包覆型芯片尺寸的封装结构的实施例的剖面示意图。其包括硅基本体111和芯片电极113，且芯片电极113嵌入硅基本体111表面，露出芯片电极113的正面。在硅基本体111表面设置钝化层210，且在芯片电极处设置有钝化层开口213，所述钝化层开口213尺寸小于芯片电极113尺寸，且露出芯片电极113的正面。所述钝化层上覆盖介电层Ⅰ310，且与钝化层开口213处设置介电层Ⅰ开口311，此处介电层Ⅰ开口311的尺寸小于钝化层开口213的尺寸。介电层Ⅰ310的覆盖面积小于钝化层210的面积并露出钝化层210的边缘，所述介电层Ⅰ310不覆盖到钝化层210边缘。在介电层Ⅰ310上覆盖金属种子层Ⅰ410，再在金属种子层Ⅰ410上覆盖再布线金属层510。在再布线金属层510上覆盖介电层Ⅱ320，且在所需位置处相应设置介电层Ⅱ开口321，介电层Ⅱ320的侧面与介电层Ⅰ310侧面齐平。在介电层Ⅱ开口321处依次设置金属种子层Ⅱ420和金属凸块520，金属凸块520上设置焊球600。包覆层Ⅰ123设置于硅基本体111的四周和背面，其上表面与介电层Ⅱ320的上表面齐平。包覆层Ⅱ132覆盖介电层Ⅱ320和包覆层Ⅰ123的上表面，其上表面与金属凸块520的上表面齐平。包覆层Ⅰ123与包覆层Ⅱ132也可以是一体结构，将硅基本体111的六个面包覆其中。本技术主要先完成再布线金属层510，然后进行晶圆重构，完成五面包覆。在完成金属凸块520后，对所述芯片正面进行包覆，最终实现六面包覆，可以有效降低翘曲，在制作重新布线层等工艺流程中，重构晶圆背部始终存在硅支撑载体，不存在CTE不匹配的问题，无需调整翘曲。本技术还可以通过增加和去除再布线金属层实现多种封装结构。在硅基本体111包覆层Ⅰ123的背面形成硅基加强层810，如图2所示，以避免受到外力时造成封装结构的破损。以上所述的具体实施方式，对本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步地详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施方式而已，并不用于限定本技术的保护范围，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包覆型芯片尺寸的封装结构，其包括硅基本体（111）和芯片电极（113），且芯片电极（113）嵌入硅基本体（111）表面，露出芯片电极正面，在所述硅基本体（111）表面设置钝化层（210），且在芯片电极处设置有钝化层开口（213），所述钝化层开口（213）尺寸小于芯片电极（113）尺寸，且露出芯片电极（113）的正面，/n其特征在于，所述钝化层上覆盖介电层Ⅰ（310），且与钝化层开口（213）处设置介电层Ⅰ开口（311），所述介电层Ⅰ开口（311）的尺寸小于钝化层开口（213）的尺寸，所述介电层Ⅰ（310）的覆盖面积小于钝化层（210）的面积并露出钝化层（210）的边缘，在所述介电层Ⅰ（310）上覆盖金属种子层Ⅰ（410），再在所述金属种子层Ⅰ（410）上覆盖再布线金属层（510）；/n在所述再布线金属层（510）上覆盖介电层Ⅱ（320），且在所需位置处相应设置介电层Ⅱ开口（321），所述介电层Ⅱ（320）的侧面与介电层Ⅰ（310）的侧面齐平，在所述介电层Ⅱ开口（321）处依次设置金属种子层Ⅱ（420）和金属凸块（520），所述金属凸块（520）上设置焊球（600）；/n还包括包覆层Ⅰ（123）和包覆层Ⅱ（132），所述包覆层Ⅰ（123）设置于硅基本体（111）的四周和背面，其上表面向上延展与介电层Ⅱ（320）的上表面齐平，所述包覆层Ⅱ（132）覆盖介电层Ⅱ（320）和包覆层Ⅰ（123）的上表面，其上表面与金属凸块（520）的上表面齐平。/n...

【技术特征摘要】
1.一种包覆型芯片尺寸的封装结构，其包括硅基本体（111）和芯片电极（113），且芯片电极（113）嵌入硅基本体（111）表面，露出芯片电极正面，在所述硅基本体（111）表面设置钝化层（210），且在芯片电极处设置有钝化层开口（213），所述钝化层开口（213）尺寸小于芯片电极（113）尺寸，且露出芯片电极（113）的正面，
其特征在于，所述钝化层上覆盖介电层Ⅰ（310），且与钝化层开口（213）处设置介电层Ⅰ开口（311），所述介电层Ⅰ开口（311）的尺寸小于钝化层开口（213）的尺寸，所述介电层Ⅰ（310）的覆盖面积小于钝化层（210）的面积并露出钝化层（210）的边缘，在所述介电层Ⅰ（310）上覆盖金属种子层Ⅰ（410），再在所述金属种子层Ⅰ（410）上覆盖再布线金属层（510）；
在所述再布线金属层（510）上覆盖介电层Ⅱ（320），且在所需位置处相应设置介电层Ⅱ开口（321），所述介电层Ⅱ（320）的侧面与介电层Ⅰ（310）的侧面齐平，在所述介电层Ⅱ开口（321）处依次设置金属种子层Ⅱ（420）和金属凸...

【专利技术属性】
技术研发人员：金豆，徐虹，徐霞，陈栋，张黎，张国栋，陈锦辉，赖志明，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32