【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2019年1月8日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0002421号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件。
技术介绍
随着器件(set)规格的提高和/或高带宽存储器(HBM)的使用，芯片间中介体(interposer)市场已经增大。目前，已主要将硅用作中介体的材料，但为了增大面积并降低成本，已经进行了玻璃或有机物的开发。另外，已经要求半导体封装件具有小尺寸和高可靠性。然而，当半导体芯片的厚度或包封剂的厚度减小时，存在将发生组装良率问题和半导体封装件的特性将劣化的风险。因此，已经需要通过减小与基板部对应的连接结构的厚度来使半导体封装件具有小尺寸。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种能够具有小尺寸和高可靠性(例如，板级可靠性)的半导体封装件。根据本公开的一方面，一种半导体封装件可包括：连接结构，包括绝缘构件、多个第一垫、多个第二垫和重新分布层，所述绝缘构件包括具有凹槽部的第一表面和与...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：/n连接结构，包括绝缘构件、多个第一垫、多个第二垫和重新分布层，所述绝缘构件具有第一表面和第二表面，所述第一表面具有凹槽部，所述第二表面背对所述第一表面，所述多个第一垫设置在所述凹槽部的底表面上，所述多个第二垫嵌在所述绝缘构件的所述第二表面中，所述重新分布层设置在所述多个第一垫与所述多个第二垫之间并且连接到所述多个第一垫和所述多个第二垫；/n半导体芯片，设置在所述绝缘构件的所述第一表面上并且具有分别电连接到所述多个第一垫的多个连接电极；以及/n钝化层，设置在所述绝缘构件的所述第二表面上并且具有分别使所述多个第二垫暴露的多个开口。/n
【技术特征摘要】
20190108 KR 10-2019-00024211.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
连接结构，包括绝缘构件、多个第一垫、多个第二垫和重新分布层，所述绝缘构件具有第一表面和第二表面，所述第一表面具有凹槽部，所述第二表面背对所述第一表面，所述多个第一垫设置在所述凹槽部的底表面上，所述多个第二垫嵌在所述绝缘构件的所述第二表面中，所述重新分布层设置在所述多个第一垫与所述多个第二垫之间并且连接到所述多个第一垫和所述多个第二垫；
半导体芯片，设置在所述绝缘构件的所述第一表面上并且具有分别电连接到所述多个第一垫的多个连接电极；以及
钝化层，设置在所述绝缘构件的所述第二表面上并且具有分别使所述多个第二垫暴露的多个开口。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述重新分布层包括上重新分布层，所述上重新分布层在所述绝缘构件上设置在与所述第一垫的高度相同的高度上，并且
所述上重新分布层电连接到所述第一垫或所述重新分布层的其他区域。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个第一垫中的每个包括金属垫以及设置在所述金属垫的上表面上的金属层，并且所述金属垫的侧表面被暴露。
4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述金属垫包括铜垫，并且所述金属层包括镍/金层。
5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述多个第一垫以65μm或更小的节距布置。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个连接电极通过引线连接到所述多个第一垫。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个第二垫与所述绝缘构件的所述第二表面共面。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述重新分布层包括设置在所述绝缘构件的不同高度上的多个重新分布图案和分别连接到所述多个重新分布图案的多个重新分布过孔。
9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述重新分布过孔在其邻近于所述第一表面的部分中的宽度比在其邻近于所述第二表面的部分中的宽度大。
10.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述多个重新分布过孔中的每个与邻近于所述第一表面的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李荣官，许荣植，曹正铉，韩泰熙，金钟录，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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