半导体封装件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体封装件，所述半导体封装件可包括：连接结构，包括绝缘构件、多个第一垫、多个第二垫和重新分布层，所述绝缘构件包括具有凹槽部的第一表面和与所述第一表面背对的第二表面，所述多个第一垫设置在所述凹槽部的底表面上，所述多个第二垫嵌在所述绝缘构件的所述第二表面中，所述重新分布层设置在所述多个第一垫与所述多个第二垫之间并且连接到所述多个第一垫和所述多个第二垫；半导体芯片，设置在所述绝缘构件的所述第一表面上，并且具有分别电连接到所述多个第一垫的多个连接电极；以及钝化层，设置在所述绝缘构件的所述第二表面上，并且具有分别使所述多个第二垫暴露的多个开口。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2019年1月8日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0002421号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件。
技术介绍
随着器件(set)规格的提高和/或高带宽存储器(HBM)的使用，芯片间中介体(interposer)市场已经增大。目前，已主要将硅用作中介体的材料，但为了增大面积并降低成本，已经进行了玻璃或有机物的开发。另外，已经要求半导体封装件具有小尺寸和高可靠性。然而，当半导体芯片的厚度或包封剂的厚度减小时，存在将发生组装良率问题和半导体封装件的特性将劣化的风险。因此，已经需要通过减小与基板部对应的连接结构的厚度来使半导体封装件具有小尺寸。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种能够具有小尺寸和高可靠性(例如，板级可靠性)的半导体封装件。根据本公开的一方面，一种半导体封装件可包括：连接结构，包括绝缘构件、多个第一垫、多个第二垫和重新分布层，所述绝缘构件包括具有凹槽部的第一表面和与所述第一表面背对的第二表面，所述多个第一垫设置在所述凹槽部的底表面上，所述多个第二垫嵌在所述绝缘构件的所述第二表面中，所述重新分布层设置在所述多个第一垫与所述多个第二垫之间并且连接到所述多个第一垫和所述多个第二垫；半导体芯片，设置在所述绝缘构件的所述第一表面上，并且具有分别电连接到所述多个第一垫的多个连接电极；以及钝化层，设置在所述绝缘构件的所述第二表面上，并且具有分别使所述多个第二垫暴露的多个开口。根据本公开的另一方面，一种半导体封装件可包括：连接结构，包括绝缘构件、多个结合垫和重新分布层，所述绝缘构件包括具有凹槽部的第一表面和与所述第一表面背对的第二表面，所述多个结合垫设置在所述凹槽部的底表面上，所述重新分布层设置在所述绝缘构件中并且连接到所述多个结合垫；至少一个半导体芯片，设置在所述绝缘构件的所述第一表面上并且具有通过引线而分别连接到所述多个结合垫的多个连接电极；包封剂，设置在所述绝缘构件的所述第一表面上并且包封所述至少一个半导体芯片；多个凸块下金属(UBM)垫，电连接到所述重新分布层并且嵌在所述绝缘构件的所述第二表面中；以及钝化层，设置在所述绝缘构件的所述第二表面上，具有分别使所述多个UBM暴露的多个开口，并且包括与所述绝缘构件的绝缘材料不同的绝缘材料。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图；图2是示出电子装置的示例的示意性透视图；图3是示出三维(3D)球栅阵列(BGA)封装件安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；图4是示出2.5D硅中介体封装件安装在主板上的情况的示意性截面图；图5是示出2.5D有机中介体封装件安装在主板上的情况的示意性截面图；图6是示出根据本公开中的示例性实施例的半导体封装件的示意性截面图；图7是示出图6的半导体封装件的示意性平面图；图8是示出图6的半导体封装件的部分“A”的放大截面图；图9A至图9F是用于描述制造图6中示出的半导体封装件的方法中的制造连接结构的主要工艺的截面图；以及图10A至图10C是用于描述制造图6中示出的半导体封装件的方法中的安装半导体芯片的主要工艺的截面图。具体实施方式在下文中，将参照附图描述本公开中的示例性实施例。在附图中，为了清楚起见，可夸大或缩小组件的形状、尺寸等。在此使用的术语“示例性实施例”不是指相同的示例性实施例，而是被提供以强调与另一示例性实施例的特征或特性不同的特定的特征或特性。然而，在此提供的示例性实施例被认为能够通过整体地或部分地彼此组合来实现。例如，除非其中提供相反或相矛盾的描述，否则特定示例性实施例中描述的一个元件即使其在另一示例性实施例中没有被描述，其也可被理解为是与所述另一示例性实施例有关的描述。在此使用的术语仅用于描述示例性实施例，而不是限制本公开。在这种情况下，除非上下文另有解释，否则单数形式包括复数形式。电子装置图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图。参照图1，电子装置1000可将主板1010容纳在其中。主板1010可包括物理连接或电连接到主板1010的芯片相关组件1020、网络相关组件1030、其他组件1040等。这些组件可通过各种信号线1090连接到下面将描述的其他组件。芯片相关组件1020可包括：存储器芯片，诸如易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM))、非易失性存储器(例如，只读存储器(ROM))、闪存等；应用处理器芯片，诸如中央处理器(例如，中央处理单元(CPU))、图形处理器(例如，图形处理单元(GPU))、数字信号处理器、密码处理器、微处理器、微控制器等；以及逻辑芯片，诸如，模数转换器(ADC)、专用集成电路(ASIC)等。然而，芯片相关组件1020不限于此，而是还可包括其他类型的芯片相关组件。此外，芯片相关组件1020可彼此组合。网络相关组件1030可包括根据诸如以下协议操作的组件：无线保真(Wi-Fi)(电气与电子工程师协会(IEEE)802.11族等)、全球微波接入互操作性(WiMAX)(IEEE802.16族等)、IEEE802.20、长期演进(LTE)、演进数据最优化(Ev-DO)、高速分组接入+(HSPA+)、高速下行链路分组接入+(HSDPA+)、高速上行链路分组接入+(HSUPA+)、增强型数据GSM环境(EDGE)、全球移动通信系统(GSM)、全球定位系统(GPS)、通用分组无线业务(GPRS)、码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强型无绳电信(DECT)、蓝牙、3G协议、4G协议和5G协议以及在上述协议之后指定的任何其他无线协议和有线协议。然而，网络相关组件1030不限于此，而是还可包括根据各种其他无线标准或协议或者有线标准或协议操作的组件。此外，网络相关组件1030可与上面描述的芯片相关组件1020一起彼此组合。其他组件1040可包括高频电感器、铁氧体电感器、功率电感器、铁氧体磁珠、低温共烧陶瓷(LTCC)、电磁干扰(EMI)滤波器、多层陶瓷电容器(MLCC)等。然而，其他组件1040不限于此，而是还可包括用于各种其他用途的无源组件等。此外，其他组件1040可与上面描述的芯片相关组件1020或网络相关组件1030一起彼此组合。根据电子装置1000的类型，电子装置1000可包括可物理连接或电连接到主板1010或者可不物理连接或电连接到主板1010的其他组件。这些其他组件可包括例如相机1050、天线1060、显示器1070、电池1080、音频解编码器(未示出)、视频解编码器(未示出)、功率放大器(未示出)、指南针(未示出)、加速度计(未示出)、陀螺仪(未示出)、扬声器(未示出)、大容量存储单元(例如，硬盘驱动器)(未示出)、光盘(CD)驱动器(未示出)、数字通用光盘(DVD)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：/n连接结构，包括绝缘构件、多个第一垫、多个第二垫和重新分布层，所述绝缘构件具有第一表面和第二表面，所述第一表面具有凹槽部，所述第二表面背对所述第一表面，所述多个第一垫设置在所述凹槽部的底表面上，所述多个第二垫嵌在所述绝缘构件的所述第二表面中，所述重新分布层设置在所述多个第一垫与所述多个第二垫之间并且连接到所述多个第一垫和所述多个第二垫；/n半导体芯片，设置在所述绝缘构件的所述第一表面上并且具有分别电连接到所述多个第一垫的多个连接电极；以及/n钝化层，设置在所述绝缘构件的所述第二表面上并且具有分别使所述多个第二垫暴露的多个开口。/n

【技术特征摘要】
20190108 KR 10-2019-00024211.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
连接结构，包括绝缘构件、多个第一垫、多个第二垫和重新分布层，所述绝缘构件具有第一表面和第二表面，所述第一表面具有凹槽部，所述第二表面背对所述第一表面，所述多个第一垫设置在所述凹槽部的底表面上，所述多个第二垫嵌在所述绝缘构件的所述第二表面中，所述重新分布层设置在所述多个第一垫与所述多个第二垫之间并且连接到所述多个第一垫和所述多个第二垫；
半导体芯片，设置在所述绝缘构件的所述第一表面上并且具有分别电连接到所述多个第一垫的多个连接电极；以及
钝化层，设置在所述绝缘构件的所述第二表面上并且具有分别使所述多个第二垫暴露的多个开口。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述重新分布层包括上重新分布层，所述上重新分布层在所述绝缘构件上设置在与所述第一垫的高度相同的高度上，并且
所述上重新分布层电连接到所述第一垫或所述重新分布层的其他区域。


3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个第一垫中的每个包括金属垫以及设置在所述金属垫的上表面上的金属层，并且所述金属垫的侧表面被暴露。


4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述金属垫包括铜垫，并且所述金属层包括镍/金层。


5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述多个第一垫以65μm或更小的节距布置。


6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个连接电极通过引线连接到所述多个第一垫。


7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个第二垫与所述绝缘构件的所述第二表面共面。


8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述重新分布层包括设置在所述绝缘构件的不同高度上的多个重新分布图案和分别连接到所述多个重新分布图案的多个重新分布过孔。


9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述重新分布过孔在其邻近于所述第一表面的部分中的宽度比在其邻近于所述第二表面的部分中的宽度大。


10.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述多个重新分布过孔中的每个与邻近于所述第一表面的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荣官，许荣植，曹正铉，韩泰熙，金钟录，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR