多芯片封装功率模块制造技术

本发明专利技术提供一种多芯片封装功率模块，其包括：多个芯片，包括相邻设置的第一芯片和第二芯片；第一导电件，至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间；以及第二导电件，至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间，其中，所述第一导电件电连接所述第一芯片的功率端，所述第二导电件电连接所述第二芯片的功率端，且所述多个芯片、所述第一导电件和所述第二导电件均埋设于绝缘封装料中。本发明专利技术提供的多芯片封装功率模块，芯片的功率输出电流可以直接通过导电件从相对的两侧引出，使得路径对称，从而减少电路阻抗，提升效率和输出电流的能力。

【技术实现步骤摘要】
多芯片封装功率模块
本专利技术涉及一种多芯片封装功率模块，属于电子电力

技术介绍
随着集成电路可实现功能的增加，其功耗也越来越大，从而也就需要功率模块具有更高的功率密度或者使单个功率模块具有更大的电流输出能力。在现有技术中一般会采用多芯片封装的方式来提升单个功率模块的电流输出能力。然而现有的多芯片封装模式，功率电流传输到芯片两侧的路径长度不同，导致二者具有不同的阻抗，严重影响了功率模块的电流输出能力。
技术实现思路
本专利技术提供一种多芯片封装功率模块，以解决现有技术存在的上述或者其他潜在技术问题。根据本专利技术的一些实施例，提供一种多芯片封装功率模块，包括：多个芯片，包括相邻设置的第一芯片和第二芯片；第一导电件，至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间；以及第二导电件，至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间，其中，所述第一导电件电连接所述第一芯片的功率端，所述第二导电件电连接所述第二芯片的功率端，且所述多个芯片、所述第一导电件和所述第二导电件均埋设于绝缘封装料中。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，还包括：第一连接线和第二连接线，设置于所述第一芯片和所述第二芯片的第一侧；以及第一引线和第二引线，设置于所述第一芯片和所述第二芯片的第二侧，其中，所述第二侧与所述第一侧相对；其中，所述第一导电件的第一端与所述第一连接线电连接，所述第一导电件的第二端与所述第一引线电连接，所述第二导电件的第一端与所述第二连接线电连接，所述第二导电件的第二端与所述第二引线电连接。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第一连接线电连接所述第一芯片的第一功率端和所述第二芯片的第一功率端，所述第二连接线电连接所述第一芯片的第二功率端和所述第二芯片的第二功率端。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，还包括第一导电体和第二导电体，均设置于所述第一芯片和所述第二芯片的周边，其中，所述第一导电体的一端与所述第一引线电连接，所述第二导电体的一端与所述第二引线电连接。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第一导电体的另一端与所述第一芯片的第一功率端和所述第二芯片的第一功率端电连接；所述第二导电体的另一端与所述第一芯片的第二功率端和所述第二芯片的第二功率端电连接。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，还包括第三连接线和第四连接线，设置于所述第一芯片和所述第二芯片的第一侧，所述第一导电体通过所述第三连接线电连接至所述第一芯片的第一功率端和所述第二芯片的第一功率端，所述第二导电体通过所述第四连接线电连接至所述第一芯片的第二功率端和所述第二芯片的第二功率端。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，还包括：第一焊盘，设置于所述第一芯片的第一侧，所述第一焊盘电连接所述第一芯片的第三功率端；以及第二焊盘，设置于所述第二芯片的第一侧，所述第二焊盘电连接所述第二芯片的第三功率端。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第一芯片和所述第二芯片沿第一方向并排设置，所述第一导电件和所述第二导电件沿竖直于所述第一方向的第二方向并排设置。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第一导电件和所述第二导电件均为多个，多个所述第一导电件和多个所述第二导电件沿所述第二方向交替设置。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述多个芯片呈线性排列。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述多个芯片呈矩阵型排列。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第一连接线和所述第二连接线均设置为至少2层。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述多个芯片均为平面型器件。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述多个芯片均采用嵌入式封装或者注塑封装。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，每一所述芯片包括串联连接的第一开关管和第二开关管，且每一所述芯片具有第一功率端、第二功率端与第三功率端。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第一导电件电连接所述第一芯片的第三功率端，所述第二导电件电连接所述第二芯片的第三功率端。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第一导电件电连接所述第一芯片的第一功率端，所述第二导电件电连接所述第二芯片的第二功率端。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，还包括第三导电件，所述第三导电件设置于所述第一芯片和第二芯片之间，且电连接所述第一芯片的第二功率端与所述第二芯片的第一功率端。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，还包括电容，所述电容的第一端电连接所述第一导电件，所述电容的第二端电连接所述第二导电件。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述电容设置于所述芯片的第一侧，且跨接在相邻的所述第一导电件和所述第二导电件上。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述电容埋设于所述第一芯片和所述第二芯片之间的绝缘封装料中，且跨接在相邻的所述第一导电件和所述第二导电件之间。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，还包括电感，所述电感包括磁芯和两个绕组，所述第一焊盘和所述第二焊盘分别电连接所述两个绕组的其中之一，且所述电感与所述芯片堆叠设置。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述绕组水平穿过所述磁芯，所述第一焊盘电连接其中一个绕组的一端，所述第二焊盘电连接另外一个绕组的一端，两个所述绕组的另一端分别通过电连接件与输出焊盘电连接。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述绕组竖直穿过所述磁芯，两个所述绕组分别与所述第一导电件和所述第二导电件电连接。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述多芯片封装功率模块的输出焊盘与所述电感位于所述芯片的同一侧或者相对侧。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述绕组竖直穿过所述磁芯，每个绕组均包括两个子绕组，所述磁芯外设置有用于连接两个所述子绕组的导线。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，还包括电感，所述电感包括磁芯和两个绕组，所述磁芯堆叠设置于所述第一芯片和所述第二芯片的第二侧，所述第一导电件和所述第二导电件分别电连接所述两个绕组的其中之一。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述绕组水平或者竖直穿过所述磁芯。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第一导电件和第二导电件均为通过金属化方式形成的。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第一引线、第一连接线、第二引线以及第二连接线均为通过金属化方式形成的金属布线层。如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第三连接线以及第四连接线均为通过金属化方式形成的金属布线层。根据本专利技术实施例的技术方案，通过在两个芯片之间设置导电件，芯片的功率输入和输出电流可以直接通过设置在芯片之间的导电件从相对的两侧引出，使得路径对称，从而减少电路阻抗，提升效率和输出电流的能力。通过设置在芯片之间的导电件沿竖直方向传输电流，利于实现堆叠结构的电源模块，利于减小电源模块的占地面积(footprint)；还利于减小竖直方向的热阻，利于电源模块的散热和进一步的提升电流输出能力。本专利技术的附加方面的优点将在下面的描述中部分给出，部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多芯片封装功率模块，其特征在于，包括：/n多个芯片，包括相邻设置的第一芯片和第二芯片；/n第一导电件，至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间；以及/n第二导电件，至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间，其中，所述第一导电件电连接所述第一芯片的功率端，所述第二导电件电连接所述第二芯片的功率端，且所述多个芯片、所述第一导电件和所述第二导电件均埋设于绝缘封装料中。/n

【技术特征摘要】
1.一种多芯片封装功率模块，其特征在于，包括：
多个芯片，包括相邻设置的第一芯片和第二芯片；
第一导电件，至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间；以及
第二导电件，至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间，其中，所述第一导电件电连接所述第一芯片的功率端，所述第二导电件电连接所述第二芯片的功率端，且所述多个芯片、所述第一导电件和所述第二导电件均埋设于绝缘封装料中。


2.根据权利要求1所述的多芯片封装功率模块，其特征在于，还包括：
第一连接线和第二连接线，设置于所述第一芯片和所述第二芯片的第一侧；以及
第一引线和第二引线，设置于所述第一芯片和所述第二芯片的第二侧，其中，所述第二侧与所述第一侧相对；
其中，所述第一导电件的第一端与所述第一连接线电连接，所述第一导电件的第二端与所述第一引线电连接，所述第二导电件的第一端与所述第二连接线电连接，所述第二导电件的第二端与所述第二引线电连接。


3.根据权利要求2所述的多芯片封装功率模块，其特征在于，所述第一连接线电连接所述第一芯片的第一功率端和所述第二芯片的第一功率端，所述第二连接线电连接所述第一芯片的第二功率端和所述第二芯片的第二功率端。


4.根据权利要求2所述的多芯片封装功率模块，其特征在于，还包括第一导电体和第二导电体，均设置于所述第一芯片和所述第二芯片的周边，其中，所述第一导电体的一端与所述第一引线电连接，所述第二导电体的一端与所述第二引线电连接。


5.根据权利要求4所述的多芯片封装功率模块，其特征在于，所述第一导电体的另一端与所述第一芯片的第一功率端和所述第二芯片的第一功率端电连接；所述第二导电体的另一端与所述第一芯片的第二功率端和所述第二芯片的第二功率端电连接。


6.根据权利要求5所述的多芯片封装功率模块，其特征在于，还包括第三连接线和第四连接线，设置于所述第一芯片和所述第二芯片的第一侧，所述第一导电体通过所述第三连接线电连接至所述第一芯片的第一功率端和所述第二芯片的第一功率端，所述第二导电体通过所述第四连接线电连接至所述第一芯片的第二功率端和所述第二芯片的第二功率端。


7.根据权利要求2所述的多芯片封装功率模块，其特征在于，还包括：
第一焊盘，设置于所述第一芯片的第一侧，所述第一焊盘电连接所述第一芯片的第三功率端；以及
第二焊盘，设置于所述第二芯片的第一侧，所述第二焊盘电连接所述第二芯片的第三功率端。


8.根据权利要求1所述的多芯片封装功率模块，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片沿第一方向并排设置，所述第一导电件和所述第二导电件沿垂直于所述第一方向的第二方向并排设置。


9.根据权利要求8所述的多芯片封装功率模块，其特征在于，所述第一导电件和所述第二导电件均为多个，多个所述第一导电件和多个所述第二导电件沿所述第二方向交替设置。


10.根据权利要求1至9任一项所述的多芯片封装功率模块，其特征在于，所述多个芯片呈线性排列。


11.根据权利要求2至7任一项所述的多芯片封装功率模块，其特征在于，所述多个芯片呈矩阵型排列。


12.根据权利要求11所述的多芯片封装功率模块，其特征在于，所述第一连接线和所述第二连接线均设置为至少2层。


13.根据权利要求1至9任一项所述的多芯片封装功率模块，其特征在于，所述多个芯片均为平面型器件。


14.根据权利要求1至9任一项所述的多芯片封装功率模块，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：季鹏凯，辛晓妮，陈燕，陈庆东，洪守玉，曾剑鸿，赵振清，
申请(专利权)人：台达电子企业管理上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31