System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() TDSON-8封装的阻焊结构及其波峰焊方法技术_技高网

TDSON-8封装的阻焊结构及其波峰焊方法技术

技术编号:41227381 阅读:4 留言:0更新日期:2024-05-09 23:44
本公开提供一种用於TDSON‑8封装的波峰焊方法的阻焊结构及使用所述阻焊结构的TDSON‑8封装波峰焊方法。其中所述阻焊结构提供印刷白漆及形成红胶点的空间,並通过红胶点抬高TDSON‑8封装而使焊锡易于进入TDSON‑8封装与电路板之间;另,所述阻焊结构中对应TDSON‑8封装的焊盘处则设有利于吃锡及减少漏焊的开窗尺寸,並有效增加焊锡强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子元件表面贴装,特别是涉及一种用于tdson-8封装的阻焊结构及应用于所述阻焊结构的tdson-8封装波峰焊方法。


技术介绍

1、近年来,电子产品的内部空间越来越小,相对地电源的体积要求越来越小,因此相关的零件尺寸也要求越来越小。其中开关器件为电源设计选型的重点,需要综合考虑开关器件的封装、尺寸、散热、导通电阻。

2、就封装而言,由于高度限制,一般无法选用to-220,to-247等插件类的封装,首选方案通常是dpak(to-252)或tdson-8(dfn5*6)等的smd封装。

3、而比较dpak封装及tdson-8封装:

4、尺寸方面:tdson-8封装比dpak封装的面积小且薄,整体尺寸小约30%。

5、电气参数方面:以100v mosfet为例,tdson-8的rdson最小可做到4mohm,而dpak可做到6.8mohm,故tdson-8可做到更低的损耗更高的效率;另,tdson-8封装比dpak散热能力更强,且寄生参数更小,对电源的电气特性有明显提高,有助于高功率密度电源设计。

6、方法方面:dpak可采用波峰焊方法及回流焊方法。另一方面,tdson-8封装考虑smd零件漏焊问题,一般认为只能采用回流焊方法,有其限制。

7、综上可知,tdson-8封装无论是尺寸方面还是电气特性方面均较dpak好。然以方法复杂度考量,由于波峰焊方法只需一次过炉,方法较简单,是较佳的选择。因此,若能提供一种可应用于tdson-8封装的波峰焊方法,以改善电源的性能,并简化制作方法,将对电源设计具重大意义。


技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种tdson-8封装的阻焊结构及波峰焊方法,以解决并改善前述技术的问题与缺点。

2、本公开的另一目的在于提供一种用于tdson-8封装的阻焊结构及使用所述阻焊结构的tdson-8封装波峰焊方法,通过针对tdson-8封装设计的阻焊结构,配合印刷白漆及点红胶点的程序,使tdson-8封装采用波峰焊方法单次过炉即可完成焊接程序。其中经设计的阻焊结构提供形成红胶点的空间,以通过红胶点抬高tdson-8封装而使焊锡易于进入tdson-8封装与电路板之间;另,所述阻焊结构中对应tdson-8封装的焊盘处则设有利于吃锡及减少漏焊的开窗区,並有效增加焊锡强度。

3、为了达成前述目的,本公开提供一种用于一tdson-8封装的一波峰焊方法的阻焊结构。所述tdson-8封装包括一第一焊盘及四个第二焊盘,且所述第一焊盘包括一主焊盘及四个针脚,所述四个针脚位于所述主焊盘与所述四个第二焊盘相邻侧的另一侧,以及所述tdson-8封装具有一长边方向以及一短边方向,且所述四个第二焊盘沿所述短边方向排列。所述阻焊结构包括第一开窗区及至少一第二开窗区。所述第一开窗区对应所述tdson-8封装的所述第一焊盘的至少一部分,其中所述第一开窗区包括一第一子开窗区及一第二子开窗区,且所述一第一子开窗区与所述第二子开窗区部分重叠。所述至少一第二开窗区对应所述tdson-8封装的所述四个第二焊盘。其中所述第一子开窗区包括四个部分,分别对应所述四个针脚,以及所述第二子开窗区对应所述主焊盘与所述四个针脚的相接区域,且所述第一开窗区与所述第二开窗区之间具有一区域,涵盖所述主焊盘未被所述第二子开窗区覆盖的部分,以及其中所述至少一第二开窗区于所述长度方向的长度大于所述四个第二焊盘于所述长度方向的长度。

4、为了达成前述目的,本公开更提供一种用于一tdson-8封装的波峰焊方法,提供一电路板;提供所述tdson-8封装,其中所述tdson-8封装包括一第一焊盘及四个第二焊盘,且所述第一焊盘包括一主焊盘及四个针脚,所述四个针脚位于所述主焊盘与所述四个第二焊盘相邻侧的另一侧,以及所述tdson-8封装具有一长边方向以及一短边方向,且所述四个第二焊盘沿所述短边方向排列;于所述电路板上形成一阻焊结构,其中所述阻焊阻焊结构具有一第一开窗区及至少一第二开窗区,所述第一开窗区对应所述tdson-8封装的所述第一焊盘的至少一部分,并包括一第一子开窗区以及一第二子开窗区,且所述第一子开窗区与所述第二子开窗区部分重叠,以及所述至少一第二开窗区对应所述tdson-8封装的所述四个第二焊盘,其中所述第二子开窗区对应所述主焊盘与所述四个针脚的相接区域,且所述第一开窗区与所述第二开窗区之间具有一区域,涵盖所述主焊盘未被所述第二子开窗区覆盖的部分;于所述电路板上对应所述第一开窗区与所述第二开窗区之间的所述区域处印刷白漆及形成至少一红胶点;将所述tdson-8封装通过所述至少一红胶点设置于所述电路板上的所述印刷白漆范围内,以及以平行于所述短边方向执行所述tdson-8封装的过炉程序,以完成焊接程序。

5、为了达成前述目的,本公开再提供一种用于一tdson-8封装的一波峰焊方法的阻焊结构。所述tdson-8封装包括一第一焊盘及四个第二焊盘,且所述第一焊盘包括一主焊盘及四个针脚,所述四个针脚位于所述主焊盘与所述四个第二焊盘相邻侧的另一侧,以及所述tdson-8封装具有一长边方向以及一短边方向,且所述四个第二焊盘沿所述短边方向排列。所述阻焊结构包括第一开窗区及至少一第二开窗区。所述第一开窗区对应所述tdson-8封装的所述第一焊盘,其中所述第一开窗区包括一第一子开窗区以及一第二子开窗区,且所述第一子开窗区与所述第二子开窗区彼此相接;以及所述至少一第二开窗区对应所述tdson-8封装的所述四个第二焊盘,其中所述第一子开窗区对应所述四个针脚,以及所述第二子开窗区对应所述主焊盘,其中所述第一子开窗区于所述短边方向具有一第一长度,以及所述第二子开窗区于所述短边方向具有一第二长度,且所述第一长度大于等于所述第一焊盘于所述短边方向的长度,以及所述第二长度小于所述第一焊盘于所述短边方向的长度,以及其中所述至少一第二开窗区于所述长边方向的长度大于所述四个第二焊盘于所述长边方向的长度。

6、为了达成前述目的,本公开再提供一种用于一tdson-8封装的波峰焊方法,包括:提供一电路板;提供所述tdson-8封装,其中所述tdson-8封装包括一第一焊盘及四个第二焊盘,且所述第一焊盘包括一主焊盘及四个针脚,所述四个针脚位于所述主焊盘与所述四个第二焊盘相邻侧的另一侧,以及所述tdson-8封装具有一长边方向以及一短边方向,且所述四个第二焊盘沿所述短边方向排列;于所述电路板上形成一阻焊结构,其中所述阻焊阻焊结构具有一第一开窗区及至少一第二开窗区,所述第一开窗区对应所述tdson-8封装的所述第一焊盘,并包括一第一子开窗区以及一第二子开窗区,且所述第一子开窗区与所述第二子开窗区彼此相接,以及所述至少一第二开窗区对应所述tdson-8封装的所述四个第二焊盘,其中所述第二子开窗区于所述短边方向的两侧外缘分别自所述第一子开窗区的两侧外缘内缩一第一间隔距离,以分别提供一空间;于所述电路板上对应所述第二子开窗区两侧的各个所述空间处形成至少一红胶点;将所述tdson-8封装本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于一TDSON-8封装的一波峰焊方法的阻焊结构,其中所述TDSON-8封装包括一第一焊盘及四个第二焊盘,且所述第一焊盘包括一主焊盘及四个针脚,所述四个针脚位于所述主焊盘与所述四个第二焊盘相邻侧的另一侧,以及所述TDSON-8封装具有一长边方向以及一短边方向,且所述四个第二焊盘沿所述短边方向排列,其特征在于,所述阻焊结构包括:

2.如权利要求1所述的阻焊结构,其特征在于,所述第一开窗区与所述第二开窗区之间的所述区域用以提供印刷白漆及将红胶点形成在白漆范围内。

3.如权利要求2所述的阻焊结构,其特征在于,所述区域于所述短边方向的长度为4.5-5.6毫米且于长边方向的长度为1.5-3.2毫米。

4.如权利要求1所述的阻焊结构,其特征在于,所述第一子开窗区的所述四个部分的每一个于所述短边方向的长度为0.5-0.8毫米,以及于所述长边方向的长度为1.7-2.3毫米。

5.如权利要求1所述的阻焊结构,其特征在于,所述第二子开窗区于所述短边方向的长度为3.9-4.8毫米且于所述长边方向的长度为1.3-2.5毫米。

6.如权利要求1所述的阻焊结构,其特征在于,所述四个第二焊盘包括三个相邻源极焊盘以及一个栅极焊盘,以及其中所述至少一第二开窗区进一步区分为至少一源极开窗区及一栅极开窗区。

7.如权利要求6所述的阻焊结构,其特征在于,所述至少一源极开窗区为三个源极开窗区,并分别对应所述三个相邻源极焊盘,且每一所述三个源极开窗区及所述栅极开窗区分别于所述短边方向的长度大于每一所述四个第二焊盘分别于所述短边方向的长度。

8.如权利要求6所述的阻焊结构,其特征在于,所述至少一源极开窗区为一个源极开窗区,以对应所述三个相邻源极焊盘。

9.如权利要求1所述的阻焊结构,其特征在于,还包括下列的至少其中之一,包括引锡线、气孔及导通孔。

10.一种用于一TDSON-8封装的波峰焊方法,其特征在于,包括:

11.如权利要求10所述的波峰焊方法,其特征在于,所述过炉程序的过炉速度为0.8-1.2米/分钟。

12.一种用于一TDSON-8封装的一波峰焊方法的阻焊结构,其中所述TDSON-8封装包括一第一焊盘及四个第二焊盘,且所述第一焊盘包括一主焊盘及四个针脚,所述四个针脚位于所述主焊盘与所述四个第二焊盘相邻侧的另一侧,以及所述TDSON-8封装具有一长边方向以及一短边方向,且所述四个第二焊盘沿所述短边方向排列,其特征在于,所述阻焊结构包括:

13.如权利要求12所述的阻焊结构,其特征在于,所述第二子开窗区于所述短边方向的两侧外缘分别自所述第一子开窗区于所述短边方向的两侧外缘内缩一第一间隔距离,以分别提供形成至少一个红胶点的空间。

14.如权利要求13所述的阻焊结构,其特征在于,所述第一间隔距离为0.5-2.1毫米。

15.如权利要求12所述的阻焊结构,其特征在于,所述第一子开窗区于所述长边方向的长度为1.5-2.5毫米。

16.如权利要求12所述的阻焊结构,其特征在于,所述至少一第二开窗区为四个第二开窗区,分别对应所述四个第二焊盘,且每一所述四个第二开窗区于所述短边方向的长度大于每一所述四个第二焊盘于所述短边方向的长度。

17.如权利要求12所述的阻焊结构,其特征在于,还包括下列的至少其中之一,包括引锡线、气孔及导通孔。

18.一种用于一TDSON-8封装的波峰焊方法,其特征在于,包括:

19.如权利要求18所述的波峰焊方法,其特征在于,所述第一间隔距离为0.5-2.1毫米。

20.如权利要求18所述的波峰焊方法,其特征在于,所述过炉程序的过炉速度为0.8-1.2米/分钟。

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【技术特征摘要】

1.一种用于一tdson-8封装的一波峰焊方法的阻焊结构,其中所述tdson-8封装包括一第一焊盘及四个第二焊盘,且所述第一焊盘包括一主焊盘及四个针脚,所述四个针脚位于所述主焊盘与所述四个第二焊盘相邻侧的另一侧,以及所述tdson-8封装具有一长边方向以及一短边方向,且所述四个第二焊盘沿所述短边方向排列,其特征在于,所述阻焊结构包括:

2.如权利要求1所述的阻焊结构,其特征在于,所述第一开窗区与所述第二开窗区之间的所述区域用以提供印刷白漆及将红胶点形成在白漆范围内。

3.如权利要求2所述的阻焊结构,其特征在于,所述区域于所述短边方向的长度为4.5-5.6毫米且于长边方向的长度为1.5-3.2毫米。

4.如权利要求1所述的阻焊结构,其特征在于,所述第一子开窗区的所述四个部分的每一个于所述短边方向的长度为0.5-0.8毫米,以及于所述长边方向的长度为1.7-2.3毫米。

5.如权利要求1所述的阻焊结构,其特征在于,所述第二子开窗区于所述短边方向的长度为3.9-4.8毫米且于所述长边方向的长度为1.3-2.5毫米。

6.如权利要求1所述的阻焊结构,其特征在于,所述四个第二焊盘包括三个相邻源极焊盘以及一个栅极焊盘,以及其中所述至少一第二开窗区进一步区分为至少一源极开窗区及一栅极开窗区。

7.如权利要求6所述的阻焊结构,其特征在于,所述至少一源极开窗区为三个源极开窗区,并分别对应所述三个相邻源极焊盘,且每一所述三个源极开窗区及所述栅极开窗区分别于所述短边方向的长度大于每一所述四个第二焊盘分别于所述短边方向的长度。

8.如权利要求6所述的阻焊结构,其特征在于,所述至少一源极开窗区为一个源极开窗区,以对应所述三个相邻源极焊盘。

9.如权利要求1所述的阻焊结构,其特征在于,还包括下列的至少其中之一,包括引锡...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑新宇陈雪茹陈雪宁马克华
申请(专利权)人:台达电子企业管理上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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