封装结构制造技术

本申请提供一种封装结构，包括：壳体、源极引脚、漏极引脚、栅极引脚、第一开关器件和第二开关器件，源极引脚、漏极引脚和栅极引脚均设置于壳体的外部，第一开关器件包括第一晶圆，第一晶圆内设有第一源极、第一漏极及第一栅极，第二开关器件包括第二晶圆，第二晶圆内设有第二源极、第二漏极及第二栅极，其中，壳体内部填充有隔离材料，第一开关器件和第二开关器件位于壳体内部且在竖直方向上堆叠，第一源极与第二源极通过键合线相连且连接至同一源极引脚，第一漏极与第二漏极通过键合线相连且连接至同一漏极引脚，第一栅极与第二栅极通过键合线相连且连接至同一栅极引脚。通过如此，可减小导通电阻，减少平面空间占用面积。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体封装，尤其是一种封装结构。

技术介绍

1、氮化镓(gan)、碳化硅(sic)等新型功率器件与现存的硅(si)材料的功率器件相比，具有较大的优势与发展潜力，因此如氮化镓、碳化硅等新型功率器件被广泛地应用于开关电路。不过，gan功率器件的导通电阻相对于si功率器件，并无优势，短时间也难以取得突破。由于功率器件的导通电阻rdson和晶圆面积成反比，获取小的导通电阻意味着功率器件展开的平面比较大，在功率器件安装于印刷电路板上时，会占用过多的印刷电路板的空间，进而减小功率密度。

2、因此，如何设计出一种可解决上述问题的功率器件，实为目前迫切之需求。

技术实现思路

1、本申请提供一种封装结构，包括：

2、壳体；

3、源极引脚，设置于壳体的外部；

4、漏极引脚，设置于壳体的外部；

5、栅极引脚，设置于壳体的外部；

6、第一开关器件，包括第一晶圆，第一晶圆内设有第一源极，第一漏极及第一栅极；

7、第二开关器件，包括第二晶圆，第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

8.一种封装结构，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，>

11.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：董慨，郭跃森，徐唱，
申请(专利权)人：台达电子企业管理上海有限公司，
类型：新型
国别省市：

全部详细技术资料下载 我是这个专利的主人