【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体封装，尤其是一种封装结构。
技术介绍
1、氮化镓(gan)、碳化硅(sic)等新型功率器件与现存的硅(si)材料的功率器件相比，具有较大的优势与发展潜力，因此如氮化镓、碳化硅等新型功率器件被广泛地应用于开关电路。不过，gan功率器件的导通电阻相对于si功率器件，并无优势，短时间也难以取得突破。由于功率器件的导通电阻rdson和晶圆面积成反比，获取小的导通电阻意味着功率器件展开的平面比较大，在功率器件安装于印刷电路板上时，会占用过多的印刷电路板的空间，进而减小功率密度。
2、因此，如何设计出一种可解决上述问题的功率器件，实为目前迫切之需求。
技术实现思路
1、本申请提供一种封装结构，包括：
2、壳体；
3、源极引脚，设置于壳体的外部；
4、漏极引脚，设置于壳体的外部；
5、栅极引脚，设置于壳体的外部；
6、第一开关器件，包括第一晶圆，第一晶圆内设有第一源极，第一漏极及第一栅极；
7、第二开关器件，包括第二晶圆，第二晶圆内设有第二源极，第二漏极及第二栅极；
8、其中，壳体内部填充有隔离材料，第一开关器件和第二开关器件位于壳体内部且在竖直方向上堆叠，第一源极与第二源极通过键合线相连且连接至同一源极引脚，第一漏极与第二漏极通过键合线相连且连接至同一漏极引脚，第一栅极与第二栅极通过键合线相连且连接至同一栅极引脚。
9、在一些实施例中，第一开关器件还包括第一散热器件，第一
10、第二开关器件还包括第二散热器件，第二散热器件与第二晶圆相连接且置于第二晶圆上方。
11、在一些实施例中，第一散热器件的尺寸大于第一晶圆，和/或，第二散热器件的尺寸大于第二晶圆。
12、在一些实施例中，第一散热器件的材料包括金属或陶瓷，和/或，第二散热器件的材料包括金属或陶瓷。
13、在一些实施例中，键合线的材料包括金、铜、铝或铜铝合金。
14、在一些实施例中，隔离材料包括环氧树脂。
15、在一些实施例中，第一开关器件及第二开关器件包括氮化镓(gan)开关器件。
16、本申请一些实施例提供一种封装结构，包括：
17、第一封装体，包括第一壳体及第一开关器件，第一壳体填充有隔离材料，第一开关器件设置于第一壳体中，且第一开关器件包括第一晶圆，第一晶圆内设有第一源极，第一漏极及第一栅极；
18、第二封装体，包括第二壳体及第二开关器件，第二壳体填充有隔离材料，第二开关器件设置于第二壳体中，且第二开关器件包括第二晶圆，第二晶圆内设有第二源极，第二漏极及第二栅极；
19、源极引脚，设置于第一封装体及第二封装体的外部；
20、漏极引脚，设置于第一封装体及第二封装体的外部；
21、栅极引脚，设置于第一封装体及第二封装体的外部；
22、其中，第一封装体与第二封装体在竖直方向上堆叠，第一源极与第二源极通过键合线相连且连接至同一源极引脚，第一漏极与第二漏极通过键合线相连且连接至同一漏极引脚，第一栅极与第二栅极通过键合线相连且连接至同一栅极引脚。
23、在一些实施例中，第一开关器件还包括第一散热器件，第一散热器件与第一晶圆相连接且置于第一晶圆下方；和/或
24、第二开关器件还包括第二散热器件，第二散热器件与第二晶圆相连接且置于第二晶圆上方。
25、在一些实施例中，第一散热器件的尺寸大于第一晶圆，和/或，第二散热器件的尺寸大于第二晶圆。
26、在一些实施例中，第一散热器件的材料包括金属或陶瓷，和/或，第二散热器件的材料包括金属或陶瓷。
27、在一些实施例中，键合线的材料包括金、铜、铝或铜铝合金。
28、在一些实施例中，隔离材料包括环氧树脂。
29、在一些实施例中，第一开关器件及第二开关器件包括氮化镓(gan)开关器件。
30、本申请提供的封装结构，包括第一开关器件和第二开关器件，第一开关器件包括第一晶圆，第一晶圆内设有第一源极，第一漏极及第一栅极，第二开关器件包括第二晶圆，第二晶圆内设有第二源极，第二漏极及第二栅极，第一源极与第二源极通过键合线相连且连接至同一源极引脚，第一漏极与第二漏极通过键合线相连且连接至同一漏极引脚，第一栅极与第二栅极通过键合线相连且连接至同一栅极引脚。通过如此设置，实现第一开关器件和第二开关器件的并联连接，使得整个封装结构的导通电阻降低，并且第一开关器件和第二开关器件在竖直方向上堆叠，充分利用竖直方向上的空间，在封装结构安装于印刷电路板上时，不增加在印刷电路板上的占用面积，进而有效的提升了功率密度。
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1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
8.一种封装结构，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，
11.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，
12.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，
13.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，
14.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：董慨，郭跃森，徐唱，
申请(专利权)人：台达电子企业管理上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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