【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种高压隔离器件及其制作方法。
技术介绍
1、高压隔离器件的使用较为普遍，其通过隔离防护的方式可以消除高电压与接地电压之间的电位差对半导体元器件的不利影响。近年来，采用电容式或电感式的高压隔离器件变得越来越普遍。
2、现有高压隔离器件中，包括底层金属层、介质层以及顶层金属层，介质层位于底层金属层与顶层金属层之间，且介质层中设置有通孔，使得可以通过在通孔内填充金属方式实现部分底层金属层与顶层金属层之间的电连接，并通过介质层实现另一部分底层金属层与顶层金属层之间的隔离。
3、在现有制作工艺中，一般采用沉积工艺制作介质层，但受到介质层对底层部分的影响，介质层在沉积过程中，不能在较高的温度下进行，一般需要限制于400℃以内，而这直接导致了介质层的致密性较弱，器件性能不足。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种高压隔离器件及其制作方法，以解决现有技术中高压隔离器件的介质层的致密性较弱的问题。
2、为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
3、第一方面，本申请实施例提供了一种高压隔离器件制作方法，所述方法包括：
4、提供转移衬底；
5、基于所述转移衬底的一侧制作部分或全部介质层；
6、将所述介质层与所述转移衬底转移至高压隔离器件的底层部分，其中，所述介质层与所述底层部分的表面相接触；
7、去除或减薄所述转移衬底；
8、制作所述高压隔离器件的
9、可选地，所述基于所述转移衬底的一侧制作部分或全部介质层的步骤包括：
10、基于所述转移衬底的一侧生长缓冲层；
11、沿所述缓冲层的远离所述衬底的一侧制作高温介质层；
12、基于所述高温介质层与所述缓冲层制作沟槽。
13、可选地，在基于所述高温介质层与所述缓冲层制作沟槽的步骤之后，所述方法还包括：
14、沿沟槽的侧壁与所述高温介质层的表面沉积保护层；
15、在所述去除或减薄所述转移衬底的步骤之后，所述方法还包括：
16、沿所述沟槽的侧壁制作导电层。
17、可选地，所述去除或减薄所述转移衬底的步骤包括：
18、对所述转移衬底进行减薄，直至预设厚度；
19、对剩余的转移衬底进行研磨，并将所述缓冲层作为研磨停止层。
20、可选地，所述方法还包括：
21、向所述沟槽内沉积多晶；
22、去除位于所述高温介质层台面的多晶。
23、可选地，在去除或减薄所述转移衬底的步骤之后，所述方法还包括：
24、去除位于所述沟槽内的多晶。
25、可选地，所述基于所述转移衬底生长缓冲层的步骤包括：
26、基于所述转移衬底生长氮化物缓冲层；
27、在基于所述高温介质层与所述缓冲层制作沟槽的步骤之后，所述方法还包括：沿所述沟槽的侧壁与所述高温介质层的表面沉积氮化物保护层；其中，所述氮化物保护层的厚度小于所述氮化物缓冲层的厚度；
28、在去除或减薄所述转移衬底的步骤之后，所述方法还包括：
29、去除位于所述沟槽侧壁的氮化物保护层，并在所述沟槽的开口处形成倒角。
30、可选地，所述基于所述转移衬底生长氮化物缓冲层的步骤包括：
31、基于所述转移衬底生长1000a～2000a的氮化物缓冲层；
32、所述沿所述沟槽的侧壁与所述高温介质层的表面沉积氮化物保护层的步骤包括：
33、沿所述沟槽的侧壁与所述高温介质层的表面沉积100a～500a氮化物保护层。
34、可选地，所述沿所述沟槽的侧壁制作导电层的步骤包括：
35、沿所述沟槽与所述介质层的表面依次沉积导电层与填充层；
36、去除位于所述介质层表面的填充层；
37、去除位于介质层表面的导电层，并将所述缓冲层作为停止层。
38、可选地，将所述介质层与所述转移衬底转移至高压隔离器件的底层部分包括：
39、对所述介质层与高压隔离器件的底层部分的表面进行清洁；
40、将转移衬底与介质层翻转，并将介质层与高压隔离器件的底层部分对齐并粘连。
41、可选地，所述基于所述转移衬底制作部分或全部介质层的步骤包括：
42、基于所述转移衬底生长高温第一介质层；
43、沿所述高温第一介质层的表面向所述转移衬底注入掺杂元素，并在所述转移衬底内形成缺陷层；
44、将所述介质层与所述转移衬底转移至高压隔离器件的底层部分的步骤包括：
45、将所述高温第一介质层与所述转移衬底转移至高压隔离器件的底层部分；
46、所述去除或减薄所述转移衬底的步骤包括：
47、沿所述缺陷层剥离多余的转移衬底。
48、可选地，所述高压隔离器件的底层部分包括第二介质层，在制作所述高压隔离器件的顶层部分的步骤之前，所述方法还包括：
49、基于所述高温第一介质层与所述第二介质层制作沟槽；
50、沿所述沟槽的侧壁制作导电层。
51、可选地，在将所述高温第一介质层与所述转移衬底转移至高压隔离器件的底层部分的步骤之前，所述方法还包括：
52、当所述高温第一介质层与所述第二介质层的厚度之和大于阈值时，对所述第二介质层进行减薄。
53、可选地，沿所述沟槽的侧壁制作导电层的步骤包括：
54、沿所述沟槽的侧壁与剩余的转移衬底的表面依次沉积导电层与填充层；
55、去除位于所述转移衬底表面的填充层；
56、以所述转移衬底作为停止层去除位于所述转移衬底表面的导电层；
57、将所述转移衬底研磨去除。
58、可选地，所述沿所述高温第一介质层的表面向所述转移衬底注入掺杂元素，并在所述转移衬底内形成缺陷层的步骤包括：
59、向所述转移衬底注入剂量为1e14～1e15的硼与剂量为1e16～5e16的氢，且所述硼与所述氢的注入能量与所述高温第一介质层的厚度关联。
60、另一方面，本申请实施例还提供了一种高压隔离器件，所述高压隔离器件包括：
61、底层部分，其中，所述底层部分中包括第一金属层；
62、位于所述底层部分一侧的介质层，其中，所述介质层包括高温介质层；
63、位于所述介质层的远离所述底层部分的顶层部分，其中，所述顶层部分包括第二金属层；
64、所述介质层中设置有沟槽，所述沟槽的侧壁填充有导电层，部分所述第一金属层与所述第二金属层通过所述导电层连接，另一部分所述第一金属层与所述第二金属层通过所述介质层隔离。
65、相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：
66、本申请提供了一种高压隔离器件及其制作方法，首先提供转移衬本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述基于所述转移衬底的一侧制作部分或全部介质层的步骤包括：
3.如权利要求2所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，在基于所述高温介质层与所述缓冲层制作沟槽的步骤之后，所述方法还包括：
4.如权利要求2所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述去除或减薄所述转移衬底的步骤包括：
5.如权利要求2所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.如权利要求5所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，在去除或减薄所述转移衬底的步骤之后，所述方法还包括：
7.如权利要求2所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述基于所述转移衬底生长缓冲层的步骤包括：
8.如权利要求7所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述基于所述转移衬底生长氮化物缓冲层的步骤包括：
9.如权利要求3所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述沿所述沟槽的侧壁制作导电层的步骤包括：
11.如权利要求1所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述基于所述转移衬底制作部分或全部介质层的步骤包括：
12.如权利要求11所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述高压隔离器件的底层部分包括第二介质层，在制作所述高压隔离器件的顶层部分的步骤之前，所述方法还包括：
13.如权利要求12所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，在将所述高温第一介质层与所述转移衬底转移至高压隔离器件的底层部分的步骤之前，所述方法还包括：
14.如权利要求12所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，沿所述沟槽的侧壁制作导电层的步骤包括：
15.如权利要求11所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述沿所述高温第一介质层的表面向所述转移衬底注入掺杂元素，并在所述转移衬底内形成缺陷层的步骤包括：
16.一种高压隔离器件，其特征在于，所述高压隔离器件包括：
...【技术特征摘要】
1.一种高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述基于所述转移衬底的一侧制作部分或全部介质层的步骤包括：
3.如权利要求2所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，在基于所述高温介质层与所述缓冲层制作沟槽的步骤之后，所述方法还包括：
4.如权利要求2所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述去除或减薄所述转移衬底的步骤包括：
5.如权利要求2所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.如权利要求5所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，在去除或减薄所述转移衬底的步骤之后，所述方法还包括：
7.如权利要求2所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述基于所述转移衬底生长缓冲层的步骤包括：
8.如权利要求7所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述基于所述转移衬底生长氮化物缓冲层的步骤包括：
9.如权利要求3所述的高压隔离器件制作方法，其特征在于，所述沿所述沟槽的侧壁制作导电层...
【专利技术属性】
技术研发人员：马小波，李明，汪海旸，陈莉芬，王加鑫，魏宏宇，崔永久，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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