芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种芯片封装结构，包括：封装晶圆、金属凸块、待封装芯片、底部填充层以及塑封层。本实用新型专利技术将待封装芯片直接键合在待封装晶圆上，无需进行外部的重新布线层，形成了双面封装的系统级封装结构，从而提升单一芯片功能，并可以通过本实用新型专利技术的封装方式实现封装体积的优化，另外，通过底部填充层，并进一步结合塑封层，进一步实现待封装芯片以及连接结构的保护，提高封装结构机械及电性的稳定性，另外，通过机械加压的方式控制金属凸块显露于塑封层的高度，从而可以省略对塑封层进行研磨的步骤，简化工艺，提高封装结构的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构
本技术属于半导体封装
，特别涉及一种芯片封装结构。
技术介绍
随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，以及具有更好的性能和更高的能源效率，随着人们对功能更强大、性能更佳、能源效率更高、制造成本更低以及外形尺寸越来越小的需求，晶圆级封装(WLPSiP)技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。然而，现有的封装结构大多存在功能单一、单面封装以及封装体积大等缺陷。因此，如何提供一种芯片封装方法及芯片封装结构以解决现有的上述问题实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种芯片封装结构，用于解决现有技术中封装结构功能单一、单面封装以及封装体积大等问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种芯片封装方法，所述封装方法包括：提供待封装晶圆，并于所述待封装晶圆上制备与其电连接的金属凸块；提供待封装芯片，将所述待封装芯片键合于所述待封装晶圆上，所述待封装芯片与所述金属凸块设置于所述待封装晶圆的同一侧；于所述待封装芯片与所述待封装晶圆之间制备底部填充层；于所述待封装晶圆上形成将所述金属凸块、所述待封装芯片及所述底部填充层包围的塑封层，且所述塑封层显露所述金属凸块的连接面；以及对形成所述塑封层后的结构进行切割，以得到独立的芯片封装结构。可选地，形成所述塑封层之后还包括对所述待封装晶圆远离所述塑封层的一侧进行研磨的步骤。可选地，进行所述切割之前还包括步骤：将形成有所述塑封层的结构置于切割蓝膜上，并将所述切割蓝膜固定于固定环上。可选地，形成所述塑封层的工艺包括压缩成型工艺、传递模塑工艺、液体密封剂固化成型工艺、真空层压工艺及旋涂工艺中的一种；所述塑封层的材质包括环氧基树脂、液体型热固环氧树脂及塑性化合物中的一种。可选地，所述底部填充层的材质包括树脂。可选地，所述金属凸块的所述连接面高于所述塑封层的上表面；所述塑封层的上表面高于所述待封装芯片的上表面。可选地，所述待封装晶圆包括内部布线层，所述内部布线层包括第一连接部及第二连接部，其中，所述金属凸块电连接于所述第一连接部上，所述待封装芯片电连接于所述第二连接部上，且所述底部填充层还包围所述第二连接部。本技术还提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构优选采用本技术的芯片封装方法制作得到，当然也可以采用其他方法制备得到，所述芯片封装结构包括：封装晶圆；金属凸块，位于所述封装晶圆上；待封装芯片，键合于所述封装晶圆上，且所述待封装芯片与所述金属凸块设置于所述封装晶圆的同一侧；底部填充层，形成于所述待封装芯片与所述封装晶圆之间；以及塑封层，形成于所述封装晶圆上，所述塑封层将所述金属凸块、所述待封装芯片及所述底部填充层包围，且所述塑封层显露所述金属凸块的连接面。可选地，所述塑封层的上表面高于所述待封装芯片的上表面。可选地，所述金属凸块的所述连接面高于所述塑封层的上表面。可选地，所述塑封层的材质包括环氧基树脂、液体型热固环氧树脂及塑性化合物中的一种。可选地，所述底部填充层的材质包括树脂。可选地，所述封装晶圆上形成有内部布线层，所述内部布线层包括第一连接部及第二连接部，所述金属凸块电连接于所述第一连接部上，所述待封装芯片电连接于所述第二连接部上。可选地，所述底部填充层还包围所述第二连接部。如上所述，本技术的芯片封装结构，将待封装芯片直接键合在待封装晶圆上，无需进行外部的重新布线层，形成了双面封装的系统级封装结构，从而提升单一芯片功能，并可以通过本技术的封装方式实现封装体积的优化，另外，通过底部填充层，并进一步结合塑封层，进一步实现待封装芯片以及连接结构的保护，提高封装结构机械及电性的稳定性，另外，通过机械加压的方式控制金属凸块显露于塑封层的高度，从而可以省略对塑封层进行研磨的步骤，简化工艺，提高封装结构的稳定性。附图说明图1显示为本技术实施例中提供的芯片封装方法的流程图。图2显示为本技术实施例中提供的芯片封装方法中提供待封装晶圆的结构示意图。图3显示为本技术实施例中提供的芯片封装方法中制备金属凸块的结构示意图。图4显示为本技术实施例中提供的芯片封装方法中键合待封装芯片的结构示意图。图5显示为本技术实施例中提供的芯片封装方法中制备底部填充层的结构示意图。图6显示为本技术实施例中提供的芯片封装方法中制备塑封层的结构示意图。图7显示为本技术实施例中提供的芯片封装方法中对待封装晶圆研磨后的示意图。图8显示为本技术实施例中提供的芯片封装方法中置于切割蓝膜及固定环上图示。图9显示为本技术实施例中提供的芯片封装方法中切割得到的独立封装结构图示。元件标号说明100待封装晶圆100a第一连接部100b第二连接部101金属凸块102待封装芯片103底部填充层104塑封层105封装晶圆106切割蓝膜107固定环S1～S5步骤具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。如在详述本技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：/n封装晶圆；/n金属凸块，位于所述封装晶圆上；/n待封装芯片，键合于所述封装晶圆上，且所述待封装芯片与所述金属凸块设置于所述封装晶圆的同一侧；/n底部填充层，形成于所述待封装芯片与所述封装晶圆之间；以及/n塑封层，形成于所述封装晶圆上，所述塑封层将所述金属凸块、所述待封装芯片及所述底部填充层包围，且所述塑封层显露所述金属凸块的连接面。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：
封装晶圆；
金属凸块，位于所述封装晶圆上；
待封装芯片，键合于所述封装晶圆上，且所述待封装芯片与所述金属凸块设置于所述封装晶圆的同一侧；
底部填充层，形成于所述待封装芯片与所述封装晶圆之间；以及
塑封层，形成于所述封装晶圆上，所述塑封层将所述金属凸块、所述待封装芯片及所述底部填充层包围，且所述塑封层显露所述金属凸块的连接面。


2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述塑封层的上表面高于所述待封装芯片的上表面。


3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属凸块的所述连...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，吴政达，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32