晶圆聚集状缺陷检测方法及其检测系统技术方案

本发明专利技术公开了一种晶圆聚集状缺陷检测方法，其用于晶圆缺陷扫描检测，包括光学扫描机台扫描获得每片缺陷晶圆图像；统计缺陷晶圆图像上每个管芯缺陷数量；根据每个管芯缺陷数量对管芯进行风险等级定义；选取定义为高风险等级的管芯，根据其最大缺陷尺寸和最小缺陷尺寸的比值判断是否发生聚集状缺陷，并对判断为聚集状缺陷的管芯进行标记；将标记的管芯生成缺陷数据文件传输到电子扫描机台，对标记的管芯直接进行设定程序的拍摄。本发明专利技术还公开了一种晶圆聚集状缺陷检测系统。本发明专利技术能第一时间找到聚集状缺陷的源头，避免人工复查在人工和时间上的浪费，提高生产效率，减少产线上受影响产品的数量。

【技术实现步骤摘要】
晶圆聚集状缺陷检测方法及其检测系统
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种晶圆聚集状缺陷检测方法。本专利技术还涉及一种晶圆聚集状缺陷检测系统。
技术介绍
在大型集成电路晶圆生产过程中，随着产品的多元化，每个产品都需要有站点去监控缺陷状况，以防止因扫描站点的缺失导致大量晶圆遭受相同缺陷，从而导致产品良率的下降。随着晶体管几何尺寸的降低，缺陷造成的良率损失率不断上升，且对良率有影响的缺陷尺寸越来越小，因此对光学扫描程式和电子束扫描程式的精度要求也越来越高。常用的图形检测缺陷的流程是，先用光学扫描机台将异常点抽取(sBmpling)出来，常用的光学扫描手段有亮场和暗场扫描，然后再经过电子束扫描机台观察抽取(sBmpling)出来的缺陷形貌。对一些聚集状缺陷，光学扫描机台传输的缺陷数目往往比较高，而电子扫描机台观察缺陷是往往只在其中抽取(sBmpling)光学扫描结果中固定数目的缺陷。往往抽取(sBmpling)不到缺陷产生源头的缺陷(defect)，所以复查(review)时存在只找到一些边缘缺陷，没有找到缺陷源头的情况。而对于这种源本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆聚集状缺陷检测方法，其用于晶圆缺陷扫描检测，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，光学扫描机台扫描获得每片缺陷晶圆图像；/nS2，统计缺陷晶圆图像上每个管芯缺陷数量；/nS3，根据每个管芯缺陷数量对管芯进行风险等级定义；/nS4，选取定义为高风险等级的管芯，根据其最大缺陷尺寸和最小缺陷尺寸的比值判断是否发生聚集状缺陷，并对判断为聚集状缺陷的管芯进行标记；/nS5，将标记的管芯生成缺陷数据文件传输到电子扫描机台，对标记的管芯直接进行设定程序的拍摄。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆聚集状缺陷检测方法，其用于晶圆缺陷扫描检测，其特征在于，包括以下步骤：
S1，光学扫描机台扫描获得每片缺陷晶圆图像；
S2，统计缺陷晶圆图像上每个管芯缺陷数量；
S3，根据每个管芯缺陷数量对管芯进行风险等级定义；
S4，选取定义为高风险等级的管芯，根据其最大缺陷尺寸和最小缺陷尺寸的比值判断是否发生聚集状缺陷，并对判断为聚集状缺陷的管芯进行标记；
S5，将标记的管芯生成缺陷数据文件传输到电子扫描机台，对标记的管芯直接进行设定程序的拍摄。


2.如权利要求1所述的晶圆聚集状缺陷检测方法，其特征在于:实施步骤S3时，同时对每片晶圆形成管芯缺陷数量趋势图。


3.如权利要求2所述的晶圆聚集状缺陷检测方法，其特征在于：所述缺陷数量趋势图的横坐标是管芯编号，纵坐标是该管芯的缺陷数量。


4.如权利要求1所述的晶圆聚集状缺陷检测方法，其特征在于：若一个管芯中的缺陷数量大于A个，则判断该管芯是高风险等级的管芯；
其中,A的范围是500个-100个。


5.如权利要求1所述的晶圆聚集状缺陷检测方法，其特征在于：高风险等级的管芯其最大缺陷尺寸和最小缺陷尺寸的比值若大于B，则判断该高风险等级的管芯发生聚集状缺陷；
其中，B的范围是10-50。


6.一种晶圆聚集状缺陷检测系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈萍，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31