一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法技术

本发明专利技术涉及一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，包括：(1)、沿电池片上平行于副栅线的方向，对紧挨着副栅线两侧的钝化接触结构均进行开槽，形成凹槽结构；凹槽结构纵向延伸至硅衬底的内部；(2)、沿电池片上平行于主栅线方向，在含有凹槽结构的区域进行切割，得到测试样品；其中，测试样品中未包含主栅线；(3)、测试测试样品上不同副栅线间距对应的电阻值；(4)、以副栅线之间的间距为横坐标，副栅线之间的间距对应的电阻值作为纵坐标，绘制散点图，进行线性拟合，得到线性函数的斜率和截距；根据所述线性函数的斜率和截距，以及线传输模型计算出接触电阻率。

【技术实现步骤摘要】
一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法
本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法。
技术介绍
钝化接触结构，如隧穿氧化层/掺杂多晶硅层、超薄本征非晶硅层/重掺杂非晶硅层，不仅具有优异的界面钝化性能，可以显著降低金属接触复合，还具有优异的接触性能，促进多数载流子的有效传输。钝化接触结构的优异性能受到研究机构及企业的广泛关注，研究机构如德国Fraunhofer、ISFH太阳能系统研究所针对隧穿氧化层/掺杂多晶硅层结构分别开发了TOPCon电池和POLO电池，企业如中来、天合等将实验室小尺寸的钝化接触电池技术转化为大面积全尺寸的量产技术。对于大面积全尺寸的量产技术而言，开发出一种简单、快捷且能准确测定钝化接触结构的接触电阻率的方法，对于钝化接触结构接触性能的优化具有重要的意义。测试接触电阻率有两种常用的方法：线传输法(TLM)和CoreScan法。CoreScan法存在下述缺点使其无法在企业中广泛使用：1)无法得到准确的接触电阻率，只能给出接触电阻率的最大可能值；2)对样品造成不可修复的破坏，因而无法对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)、沿电池片上平行于副栅线的方向，对紧挨着副栅线两侧的钝化接触结构进行开槽处理，形成凹槽结构；其中，所述凹槽结构纵向延伸至硅衬底的内部；/n(2)、沿电池片上平行于主栅线的方向，在所述电池片上含有所述凹槽结构的区域进行切割，得到测试样品；其中，所述测试样品中未包含主栅线；/n(3)、测试所述测试样品上副栅线之间对应的电阻值；/n(4)、以副栅线之间的间距为横坐标，副栅线之间的间距对应的电阻值作为纵坐标，绘制散点图，进行线性拟合，得到线性函数的斜率和截距；根据所述线性函数的斜率和截距，以及线传输模型计算出接触电阻率。/...

【技术特征摘要】
1.一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)、沿电池片上平行于副栅线的方向，对紧挨着副栅线两侧的钝化接触结构进行开槽处理，形成凹槽结构；其中，所述凹槽结构纵向延伸至硅衬底的内部；
(2)、沿电池片上平行于主栅线的方向，在所述电池片上含有所述凹槽结构的区域进行切割，得到测试样品；其中，所述测试样品中未包含主栅线；
(3)、测试所述测试样品上副栅线之间对应的电阻值；
(4)、以副栅线之间的间距为横坐标，副栅线之间的间距对应的电阻值作为纵坐标，绘制散点图，进行线性拟合，得到线性函数的斜率和截距；根据所述线性函数的斜率和截距，以及线传输模型计算出接触电阻率。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(4)中，以不同副栅线间距作为横坐标，不同副栅线间距对应的电阻值作为纵坐标，绘制散点图，进行线性拟合，得到线性函数的斜率和截距。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述凹槽结构距离与其紧挨着的副栅线的间隔为40～80μm。


4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述凹槽结构的宽度为60～120μm。


5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述测试样品的宽度为1.0～3.0cm，其包含至少5条相互平行的副栅线。


6.根据权利要求2-4任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(4)中，
所述线性传输模型的计算公式为：



其中，RT为测试的不同副栅线间距对应的电阻值，d为...

【专利技术属性】
技术研发人员：包杰，马丽敏，黄策，乔振聪，刘志锋，陈嘉，林建伟，
申请(专利权)人：泰州中来光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32