【技术实现步骤摘要】
热预算自动控制方法及其自动控制系统
本专利技术涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种用于集成电路应力记忆技术快速热退火SMTRTA工艺的热预算控制方法。
技术介绍
现有40nm/28nm产品的SMTRTA温度调整方法如图1所示,包括:先测得产品片的整片漏电流,漏电流大对应着此处SMTRTA温度高。然后将此片的漏电流片内分布图与监控SMTRTA温度变化的挡控片的电阻片内分布图做对比,挡控片电阻低代表此处SMTRTA温度高。判断是否在产品片漏电流偏大的地方对应在挡控片上的电阻偏低,或看是否在产品片漏电流偏小的地方对应在挡控片上的电阻偏高。如果漏电流片内分布和电阻片内分布能对应上,这就说明SMTRTA的温度分布影响了产品片片内漏电流的分布,那就需要调整产品片内不同区域的热预算,即手动调整SMTRTA加热灯组不同环状区域的温度。这种基于产品片漏电流结果来手动调整SMTRTA温度的方法属于事后补救,类似亡羊补牢,它只适用于改善后续批次产品的器件性能,对当前产品没有任何补救措施,不具有及时性。另外,现有SMTRTA调整方法只能针对整批产品 ...
【技术保护点】
1.一种热预算自动控制方法,其用于集成电路应力记忆技术快速热退火(SMT RTA)工艺的热预算控制,其特征在于,包括以下步骤:/nS1,根据制程要求设定侧墙厚度目标值、侧墙厚度合格区间及侧墙厚度热预算容忍区间;/nS2,量测硅片整片侧墙厚度值,计算片内侧墙厚度平均值及不同侧墙环状区域内侧墙厚度值与侧墙厚度目标值的偏差;/nS3,判断片内侧墙厚度平均值与侧墙厚度目标值的第一偏差是否在侧墙厚度合格区间内,若不在侧墙厚度合格区间内则报废该片硅片;/nS4,判断侧墙环状区域内侧墙厚度值与侧墙厚度目标值的第二偏差是否在热预算容忍区间内;/n若该侧墙环状区域的第二偏差在热预算容忍区间内 ...
【技术特征摘要】
1.一种热预算自动控制方法,其用于集成电路应力记忆技术快速热退火(SMTRTA)工艺的热预算控制,其特征在于,包括以下步骤:
S1,根据制程要求设定侧墙厚度目标值、侧墙厚度合格区间及侧墙厚度热预算容忍区间;
S2,量测硅片整片侧墙厚度值,计算片内侧墙厚度平均值及不同侧墙环状区域内侧墙厚度值与侧墙厚度目标值的偏差;
S3,判断片内侧墙厚度平均值与侧墙厚度目标值的第一偏差是否在侧墙厚度合格区间内,若不在侧墙厚度合格区间内则报废该片硅片;
S4,判断侧墙环状区域内侧墙厚度值与侧墙厚度目标值的第二偏差是否在热预算容忍区间内;
若该侧墙环状区域的第二偏差在热预算容忍区间内,则保持该侧墙环状区域热预算温度;
若该侧墙环状区域的第二偏差为负,则减少该侧墙环状区域热预算温度;
若该侧墙环状区域的第二偏差为正,则增加该侧墙环状区域热预算温度;
S5,根据调整后的各侧墙环状区域热预算温度执行快速热退火。
2.如权利要求1所述的热预算自动控制方法,其特征在于:侧墙厚度热预算容忍区间是侧墙厚度合格区间的非空真子集。
3.如权利要求1所述的热预算自动控制方法,其特征在于:侧墙厚度目标值是范围是侧墙厚度合格区间范围是侧墙厚度热预算容忍区间范围是
其中,且b>a,X>Y≥1。
4.如权利要求1所述的热预算自动控制方法,其特征在于:第二偏差为负时,该侧墙环状区域减少的热预算温度等于其侧墙厚度相对目标值变小对器件漏电流产生影响所对应的热预算温度;
第二偏差为正时,该侧墙环状区域增加的热预算温度等于其侧墙厚度相对目标值变大对器件漏电流产生影响所对应的热预算温度。
5.一种热预算自动控制系统,其用于集成电路应力记忆技术快速热退火(SMTRTA)工艺的热预算控制,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:李中华,冷江华,田明,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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