发光装置制造方法及图纸

一种发光装置，包括基板、多个半导体固态光源、导光层、以及多个亮度调整结构。半导体固态光源设置于基板上。导光层覆盖半导体固态光源与基板，且导光层具有粗糙化上表面。粗糙化上表面具有凹凸微结构。亮度调整结构设置于导光层上或嵌置于导光层中。各亮度调整结构分别位于各半导体固态光源上方，用以调整各半导体固态光源所发出的光亮度。在此揭露的发光装置具有优良的亮度及均匀度，并且可减少发光二极管的使用量，进而降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】
发光装置
本专利技术是有关于一种发光装置。
技术介绍
发光二极管(Light-Emittingdiode，LED)由于体积小、亮度高、耗能低等优点，近年来已逐渐取代传统光源。发光二极管目前已广泛的应用于背光模块中。现有的LED背光模块设计，主要是包括多个LED封装元件安装于电路板上，此具有光线传递路径较短的缺点，因此当发光二极管之间的间距过大时，将导致发光二极管之间出现暗区，造成不良的视觉感受。通过缩小发光二极管之间的间距虽然可以改善上述问题，但缩小间距的同时必须增加发光二极管的数量，因而导致成本提升。此外，由于LED为点光源，常需要额外透过多个透镜一一覆盖LED以扩大LED的发光角度。因此，需要一种可以解决上述问题的发光模块结构。
技术实现思路
本专利技术的一态样是提供一种发光装置，包括基板、多个半导体固态光源、导光层、以及多个亮度调整结构。半导体固态光源设置于基板上。导光层覆盖半导体固态光源与基板，且导光层具有粗糙化上表面。粗糙化上表面具有凹凸微结构。亮度调整结构设置于导光层上或嵌置于导光层中。各亮度调整结构分别位于各半导体固态光源上方，用以调整各半导体固态光源所发出的光亮度。根据本专利技术的某些实施方式，导光层的粗糙化上表面具有0.08～2微米的一算术平均粗糙度。根据本专利技术的某些实施方式，亮度调整结构的透光率为40％～70％。根据本专利技术的某些实施方式，亮度调整结构包括一第一树脂材料层，其中多个第一散射粒子分散于第一树脂材料层中。根据本专利技术的某些实施方式，第一散射粒子包含TiO2。根据本专利技术的某些实施方式，亮度调整结构还包括一第二树脂材料层。第二树脂材料层围绕第一树脂材料层，且多个第二散射粒子分散于第二树脂材料层中。根据本专利技术的某些实施方式，第一散射粒子包含TiO2，且第二散射粒子包含SiO2。根据本专利技术的某些实施方式，发光装置还包括底部反射层、以及至少一底部散射结构。底部反射层设置于基板之上。底部散射结构设置于底部反射层上或嵌置于底部反射层中。根据本专利技术的某些实施方式，底部散射结构包括一第三树脂材料层，且多个第三散射粒子分散于第三树脂材料层中。根据本专利技术的某些实施方式，发光装置还包括多个抗串扰结构。抗串扰结构设置于基板之上，且各抗串扰结构位于半导体固态光源之间。根据本专利技术的某些实施方式，各亮度调整结构的面积大于各半导体固态光源的出光面积。根据本专利技术的某些实施方式，相邻的两个半导体固态光源之间的一距离为D1，其满足：其中L1为半导体固态光源的长度。根据本专利技术的某些实施方式，发光装置还包括多个透光盖。透光盖设置于导光层上，且透光盖具有低于导光层的第一折射率的第二折射率。各透光盖分别覆盖各亮度调整结构。根据本专利技术的某些实施方式，透光盖的一剖面形状为矩形、半圆形或半椭圆形。根据本专利技术的某些实施方式，亮度调整结构是嵌置于导光层中，且各亮度调整结构的顶表面暴露于导光层外。根据本专利技术的某些实施方式，亮度调整结构的剖面形状为矩形或近似倒三角形。根据本专利技术的某些实施方式，亮度调整结构的剖面形状为近似倒三角形，且与近似倒三角形的底部顶点相邻的两侧边向内凹陷。根据本专利技术的某些实施方式，导光层具有至少两个侧表面分别与基板的两个侧表面共平面。根据本专利技术的某些实施方式，导光层的两个侧表面为光滑的，且不具有凹凸微结构。根据本专利技术的某些实施方式，基板为矩形基板。根据本专利技术的某些实施方式，导光层包括硅氧树脂、环氧树脂或压克力胶。根据本专利技术的某些实施方式，半导体固态光源为发光二极管晶片或发光二极管封装件或晶片级封装发光二极管(CSPLED)。本专利技术的另一态样是提供一种发光装置，包括基板、多个半导体固态光源、导光层、以及多个亮度调整结构。半导体固态光源设置于基板上。导光层覆盖半导体固态光源与基板，且导光层具有一光滑上表面。亮度调整结构嵌置于导光层中。各亮度调整结构分别位于各半导体固态光源上方，用以调整各半导体固态光源所发出的光亮度，且各亮度调整结构的顶表面未暴露于导光层外。根据本专利技术的某些实施方式，亮度调整结构的透光率为40％～70％。根据本专利技术的某些实施方式，发光装置还包括底部反射层、以及至少一底部散射结构。底部反射层设置于基板之上。底部散射结构嵌置于底部反射层中。根据本专利技术的某些实施方式，各亮度调整结构的面积大于各半导体固态光源的出光面积。本专利技术的另一态样是提供一种发光装置，包括基板、多个半导体固态光源、以及导光层。半导体固态光源设置于基板上。导光层覆盖多个半导体固态光源与基板，且导光层具有一光滑上表面。光滑上表面具有多个凹部，且各凹部分别位于各半导体固态光源上方。凹部配置以调整半导体固态光源所发射的光的亮度。根据本专利技术的某些实施方式，凹部的底部为尖状。根据本专利技术的某些实施方式，凹部的剖面形状为近似V形。根据本专利技术的某些实施方式，近似V形的两侧边向内凹陷。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以更好地理解本揭露的各个方面。应注意，依据工业中的标准实务，多个特征并未按比例绘制。实际上，多个特征的尺寸可任意增大或缩小，以便使论述明晰。图1A绘示根据本揭示内容的一些实施方式的发光装置的立体示意图；图1B绘示根据本揭示内容的一些实施方式的发光装置的剖面示意图；图2A绘示根据本揭示内容的一些实施方式的发光装置的剖面示意图；图2B绘示根据本揭示内容的一些实施方式的发光装置的俯视示意图；图3绘示根据本揭示内容的一些实施方式的发光装置的剖面示意图；图4绘示根据本揭示内容的一些实施方式的发光装置的剖面示意图；图5绘示根据本揭示内容的一些实施方式的发光装置的剖面示意图；图6绘示根据本揭示内容的一些实施方式的发光装置的剖面示意图；图7绘示根据本揭示内容的一些实施方式的发光装置的剖面示意图；图8A绘示根据本揭示内容的一些实施方式的发光装置的立体示意图；图8B绘示根据本揭示内容的一些实施方式的发光装置的剖面示意图；图9绘示根据本揭示内容的一些实施方式的发光装置的剖面示意图；图10A～图10F绘示根据本揭示内容的一些实施方式的发光装置运作时的照片。具体实施方式以下揭示内容提供许多不同实施例或实例以用于实现所提供标的物的不同的特征。下文描述组件及排列的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅仅为实例，并不旨在限制本揭露。举例而言，在随后描述中的在第二特征之上或在第二特征上形成第一特征可包括形成直接接触的第一特征和第二特征的实施例，还可以包括在第一特征和第二特征之间形成额外特征，从而使第一特征和第二特征不直接接触的实施例。另外，本揭露在各实例中可重复元件符号及/或字母。此重复是出于简化及清楚的目的，且本身不指示所论述各实施例及/或构造之间的关系。另外，空间相对用语，诸如“下方”、“以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：/n一基板；/n多个半导体固态光源，设置于该基板上；/n一导光层，覆盖所述多个半导体固态光源与该基板，该导光层具有一粗糙化上表面，其中该粗糙化上表面具有凹凸微结构；以及/n多个亮度调整结构，设置于该导光层上或嵌置于该导光层中，其中各该亮度调整结构分别位于各该半导体固态光源上方，用以调整各该半导体固态光源所发出的光亮度。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：
一基板；
多个半导体固态光源，设置于该基板上；
一导光层，覆盖所述多个半导体固态光源与该基板，该导光层具有一粗糙化上表面，其中该粗糙化上表面具有凹凸微结构；以及
多个亮度调整结构，设置于该导光层上或嵌置于该导光层中，其中各该亮度调整结构分别位于各该半导体固态光源上方，用以调整各该半导体固态光源所发出的光亮度。


2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该导光层的该粗糙化上表面具有0.08～2微米的一算术平均粗糙度。


3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述多个亮度调整结构的透光率为40％～70％。


4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述多个亮度调整结构包括一第一树脂材料层，其中多个第一散射粒子分散于该第一树脂材料层中。


5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述多个第一散射粒子包含TiO2。


6.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述多个亮度调整结构还包括一第二树脂材料层，该第二树脂材料层围绕该第一树脂材料层，且多个第二散射粒子分散于该第二树脂材料层中。


7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述多个第一散射粒子包含TiO2，且所述多个第二散射粒子包含SiO2。


8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括：
一底部反射层，设置于该基板之上；以及
至少一底部散射结构，设置于该底部反射层上或嵌置于该底部反射层中。


9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该至少一底部散射结构包括一第三树脂材料层，且多个第三散射粒子分散于该第三树脂材料层中。


10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括：
多个抗串扰结构，设置于该基板之上，且各该抗串扰结构位于所述多个半导体固态光源之间。


11.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，各该亮度调整结构的一面积大于各该半导体固态光源的一出光面积。


12.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，相邻的两个所述半导体固态光源之间的一距离为D1，其满足下式：



其中L1为所述半导体固态光源的一长度。


13.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括：
多个透光盖，设置于该导光层上，且所述多个透光盖具有低于该导光层的一第一折射率的一第二折射率，其中各该透光盖分别覆盖各该亮度调整结构。


14.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述多个透光盖的一剖面形状为矩形、半圆形或半椭圆形。


15.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖隆宽，陈冠志，张国彦，林峻弘，梁建钦，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71