半导体元件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体元件，包括第一导电型阱、第二导电型阱、源极区域、漏极区域以及多晶硅环栅极结构。第一导电型阱配置于第一导电型衬底中。第二导电型阱配置于第一导电型阱旁边且被第一导电型阱环绕。源极区域配置于第一导电型阱中。漏极区域配置于第二导电型阱中。多晶硅环栅极结构配置于第一导电型阱及第二导电型阱上方，位于源极区域及漏极区域之间且环绕漏极区域。源极区域与第二导电型阱之间在第一方向上的距离小于或等于在第二方向上的距离，第一方向与第二方向垂直，且第二方向为多晶硅环栅极结构的长边方向。本发明专利技术除了能够维持较高的电流，更可最小化波动，阀值电压以及线性区间漏极电流在X方向及Y方向上均能够较佳地受到控制。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本专利技术是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种具有多晶硅环结构(Polyringstructure)的半导体元件。
技术介绍
近年来，横向双扩散金属氧化物半导体(lateraldouble-diffusedmetaloxidesemiconductor，LDMOS)元件被广泛使用，以降低成本并增进高电压及高电流应用的灵活性。“不匹配性(Mismatch)”为精密IC设计的关键，是指在单一个集成电路(IC)上两个以上元件的差别表现。长通道晶体管(Longchanneltransistor)匹配较佳，且相同方向的晶体管也匹配较佳。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的尺寸缩小化(scalingdown)加剧了工艺变化对MOSFET不匹配性的影响。一般而言，需要优化晶体管区域以获得所需的匹配性，但同时可能造成速度、噪音以及功耗问题。多晶硅环结构主要用来实现更高的电流以及击穿电压(BVD)值，且在鸟嘴(Bird'sbeak)结构上的多晶硅环可抑制高电场。多晶硅条型结构(Polystriptypestructure)元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：/n第一导电型阱，配置于第一导电型衬底中；/n第二导电型阱，配置于所述第一导电型阱旁边且被所述第一导电型阱环绕；/n源极区域，配置于所述第一导电型阱中；/n漏极区域，配置于所述第二导电型阱中；以及/n多晶硅环栅极结构，配置于所述第一导电型阱及所述第二导电型阱上方，位于所述源极区域及所述漏极区域之间且环绕所述漏极区域，/n其中所述源极区域与所述第二导电型阱之间在第一方向上的距离小于在第二方向上的距离，所述第一方向与所述第二方向垂直，且所述第二方向为所述多晶硅环栅极结构的长边方向。/n

【技术特征摘要】
20181226 TW 1071470781.一种半导体元件，其特征在于，包括：
第一导电型阱，配置于第一导电型衬底中；
第二导电型阱，配置于所述第一导电型阱旁边且被所述第一导电型阱环绕；
源极区域，配置于所述第一导电型阱中；
漏极区域，配置于所述第二导电型阱中；以及
多晶硅环栅极结构，配置于所述第一导电型阱及所述第二导电型阱上方，位于所述源极区域及所述漏极区域之间且环绕所述漏极区域，
其中所述源极区域与所述第二导电型阱之间在第一方向上的距离小于在第二方向上的距离，所述第一方向与所述第二方向垂直，且所述第二方向为所述多晶硅环栅极结构的长边方向。


2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，更包括第一导电型掺杂区，配置于所述第一导电型阱中。


3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，更包括隔离结构，配置于所述源极区域与所述第一导电型掺杂区之间。


4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述源极区域及所述漏极区域为第二导电型掺杂区。


5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述多晶硅环栅极结构包括栅极以及位于所述栅极与所述第一导电型衬底之间的栅极氧化层。


6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，所述栅极氧化层在所述第一方向上的厚度小于或等于在所述第二方向上的厚度。
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【专利技术属性】
技术研发人员：谢克·麦斯坦巴雪，陈柏安，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71