【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。为了克服器件的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(FinFET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和隔离层，所述隔离层覆盖部分所述鳍部的侧壁，且隔离层表面低于鳍部顶部；位于隔离层表面，以及鳍部的顶部和侧壁表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。然而，现有技术形成的半导体器件的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括/n提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区与第二区邻接，所述第一区和第二区基底上分别具有第一鳍部，相邻第一鳍部之间具有初始开口；/n在所述第一鳍部侧壁形成侧墙，使得所述初始开口形成开口；/n在第二区的开口内形成第二鳍部。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括
提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区与第二区邻接，所述第一区和第二区基底上分别具有第一鳍部，相邻第一鳍部之间具有初始开口；
在所述第一鳍部侧壁形成侧墙，使得所述初始开口形成开口；
在第二区的开口内形成第二鳍部。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成第二鳍部后，去除第二区的侧墙，暴露出第二区第一鳍部侧壁和第二鳍部侧壁。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在第二区的开口内形成第二鳍部前，在第一区的基底上形成掩膜层，所述掩膜层覆盖位于第一区的第一鳍部顶部；去除第二区的侧墙后，去除第一区的掩膜层和侧墙，暴露出第一区第一鳍部顶部和侧壁。
4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成掩膜层之前，还包括：在所述开口内形成介质层，所述介质层覆盖第一鳍部顶部；所述掩膜层的形成方法包括：在所述第二区介质层上形成第一图形化层；在第一区介质层和第一图形化层表面形成初始掩膜层；去除第二区的第一图形化层和初始掩膜层，形成所述掩膜层。
5.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除第二区的侧墙后，去除第一区的掩膜层和侧墙前，去除第二区的第一鳍部，暴露出第二区第二鳍部侧壁。
6.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除第二区的侧墙前，去除第二区的第一鳍部，暴露出第二区第二鳍部侧壁。
7.根据权利要求5或6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除第一区的掩膜层和侧墙后，还包括：在基底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖第一鳍部和第二鳍部部分侧壁。
8.根据权利要求5或6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部顶部具有阻挡层；在所述第一鳍部和阻挡层侧壁形成侧墙；去除第二区的侧墙、阻挡层和第一鳍部，暴露出第二区第一鳍部侧壁和第二鳍部侧壁；去除第一区的掩膜层、侧墙和阻挡层，暴露出第一区第一鳍部顶部和侧壁。
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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