沟槽MOSFET和沟槽MOSFET的制造方法技术

本发明专利技术公开了沟槽MOSFET和沟槽MOSFET的制造方法，所述沟槽MOSFET包括外延层、多个沟槽和体区；外延层具有第一导电类型；沟槽形成于所述外延层中，所述多个沟槽的至少两个相连通；所述沟槽的内部设置有栅结构；体区具有第二导电类型，设置在所述沟槽之间。发明专利技术的沟槽MOSFET的至少一沟槽与至少两个沟槽相连通，体区设置在所述沟槽之间，使得体区邻接于沟槽的表面积增大，可发生导电类型反转形成反型层的区域变大，增加了体区中形成反型层的密度，即增加了导电沟道的密度，降低了沟槽MOSFET的沟道电阻，从而降低了沟槽MOSFET的比导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
沟槽MOSFET和沟槽MOSFET的制造方法
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种沟槽MOSFET和沟槽MOSFET的制造方法。
技术介绍
在半导体领域的发展中，对于中高压MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)来说，提高MOSFET的沟道密度成为研究的重点。SGTMOS(屏蔽栅沟槽MOS)包括衬底、位于所述衬底之上的外延层以及位于外延层内的器件结构。SGTMOS的沟槽和体区为条形结构，体区中靠近沟槽的部分的导电类型才可发生“反转”，导电沟道的密度小。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种沟槽MOSFET和沟槽MOSFET的制造方法，所述沟槽MOSFET和沟槽MOSFET的制造方法实现沟槽MOSFET的较低比导通电阻。根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种沟槽MOSFET，包括：外延层，具有第一导电类型；多个沟槽，形成于所述外延层中，所述多个沟槽的至少两个相连通；所述沟槽的内部设置有栅结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽MOSFET，其特征在于，包括：/n外延层(110)，具有第一导电类型；/n多个沟槽(200)，形成于所述外延层(110)中，所述多个沟槽的至少两个相连通；所述沟槽(200)的内部设置有栅结构(300)；/n体区(400)，具有第二导电类型，设置在所述沟槽之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种沟槽MOSFET，其特征在于，包括：
外延层(110)，具有第一导电类型；
多个沟槽(200)，形成于所述外延层(110)中，所述多个沟槽的至少两个相连通；所述沟槽(200)的内部设置有栅结构(300)；
体区(400)，具有第二导电类型，设置在所述沟槽之间。


2.如权利要求1所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述体区(400)具有多个侧面，所述所述体区(400)的至少三个侧面邻接于所述沟槽(200)。


3.如权利要求2所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述体区(400)的侧面的个数为四个，并且所述侧面均邻接于沟槽(200)。


4.如权利要求1所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述沟槽(200)包括第一沟槽(201)和第二沟槽(202)；所述第一沟槽(201)沿第一方向延伸，所述第二沟槽(202)沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向均与所述高度方向存在不为零的夹角；并且所述第一方向和所述第二方向存在不为零的夹角，以使所述第一沟槽(201)和所述第二沟槽(202)相交形成一网状的总沟槽；
在所述第一沟槽(201)和所述第二沟槽(202)之间设置所述体区(400)。


5.如权利要求4所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述第一方向为所述衬底(100)的横向方向，所述第二方向为所述衬底(100)的纵向方向，所述纵向方向和所述横向方向均垂直于所述高度方向；所述体区为矩形柱状结构。


6.如权利要求4所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述第一沟槽(201)和所述第二沟槽(202)的数量均为多个，相邻的两个所述第一沟槽(201)间隔的距离相等，相...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖璇，叶俊，李杰，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32