类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管及加工方法技术

本发明专利技术提供的类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管，包括至少一个硅基场效应管晶圆，所述每个硅基场效应管晶圆的源极和漏极之间并联一肖特基二极管晶圆，其中肖特基二极管晶圆的正极接硅基场效应管晶圆的源极，肖特基二极管晶圆的负极接硅基场效应管晶圆的漏极。该N型硅基新型场效应管，效率更高，损耗更小，反向恢复时间更短。

A new type of n-type silicon-based FET with similar third generation semiconductor properties and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管及加工方法
本专利技术属于功率半导体基础元件
，具体涉及一种类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管及加工方法。
技术介绍
目前场效应管主要包括基于硅材的第一和第二代平面型、沟槽型、超级结型和屏蔽栅工艺的场效应管,第三代基于SiC材料的SiC型场效应管和基于GaN(氮化镓)材料的GaN场效应管。其中，基于硅材的第一代和第二代平面型、沟槽型、超级结型场效应管，技术成熟，成本便宜。但其内部因工艺原因有寄生体二极管，此寄生体二极管正向压降高，有1.1-1.3V左右，并且其反向恢复性能极差。这两个参数对产品的动态性能，支持的工作频率，效率，漏源极沟槽关断时候的反向恢复尖峰有严重负面影响。第三代基于SiC材料的SiC型场效应管的反向恢复时间理论为零，非常小，并且没有寄生体二极管，比目前市面上的Si基场效应管支持的工作频率，效率都高，反向恢复尖峰很低，甚至没有。但工艺成本高，售价高，经济性差。并且因为没有体二极管，限制了使用场合，一般只能用在开关作用的控制场合，在一些需要沟槽关断期间，产品仍需通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管，包括至少一个硅基场效应管晶圆，其特征在于，/n所述每个硅基场效应管晶圆的源极和漏极之间并联一肖特基二极管晶圆，其中肖特基二极管晶圆的正极接硅基场效应管晶圆的源极，肖特基二极管晶圆的负极接硅基场效应管晶圆的漏极。/n

【技术特征摘要】
1.一种类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管，包括至少一个硅基场效应管晶圆，其特征在于，
所述每个硅基场效应管晶圆的源极和漏极之间并联一肖特基二极管晶圆，其中肖特基二极管晶圆的正极接硅基场效应管晶圆的源极，肖特基二极管晶圆的负极接硅基场效应管晶圆的漏极。


2.根据权利要求1所述类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管，其特征在于，
所述肖特基二极管晶圆的正向压降小于所述硅基场效应管晶圆中寄生体二极管的正向压降。


3.根据权利要求1所述类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管，其特征在于，
所述N型硅基新型场效应管的封装形式包括TO-220F全塑封、TO-220BF半塑封、TO-220铁封、TO-247、TO-252、TO-3P、DFN5*6或DFN8X8。


4.根据权利要求1所述类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管，其特征在于，
所述硅基场效应管晶圆采用平面型VDMOS工艺、沟槽型工艺、超级结型工艺或屏蔽栅SGT工艺制成。


5.根据权利要求1所述类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管，其特征在于，
所述硅基场效应管晶圆和所述肖特基二极管晶圆通过金属线键合后，通过焊接工艺合封在同一封装元件内，构成所述N型硅基新型场效应管。


6.根据权利要求5所述类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏乾华，
申请(专利权)人：鑫金微半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44