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本发明提供的类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管，包括至少一个硅基场效应管晶圆，所述每个硅基场效应管晶圆的源极和漏极之间并联一肖特基二极管晶圆，其中肖特基二极管晶圆的正极接硅基场效应管晶圆的源极，肖特基二极管晶圆的负极接硅基场效应管晶圆...
该专利属于鑫金微半导体(深圳)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鑫金微半导体(深圳)有限公司授权不得商用。

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