一种场效应晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术的实施例提供一种场效应晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域，可减小场效应晶体管的寄生参数，从而提高场效应晶体管的可靠性。所述场效应晶体管的制作方法，包括：在半导体衬底上形成支撑结构，所述支撑结构包括交替设置的第一半导体材料层和第二半导体材料层；形成覆盖所述支撑结构的假栅结构；在所述第一半导体材料层的两端或两侧形成绝缘结构；在所述支撑结构的两侧形成源极和漏极，其中，所述源极和漏极通过所述绝缘结构与所述第一半导体材料层隔离；去除所述假栅结构，以及在所述绝缘结构之间的第一半导体材料层；减小所述第二半导体材料层的中段的厚度。

A field effect transistor and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
一种场效应晶体管及其制作方法
本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种场效应晶体管及其制作方法。
技术介绍
目前，在制作场效应晶体管(Field-EffectTransistor，FET)时，以MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)为例，如图1所示，沟道100内一般依次堆叠有第一半导体材料层11和第二半导体材料层12，以及位于第二半导体材料层12上的假栅结构13，在沟道100两侧的源漏区域通过掺杂工艺形成源极14和漏极15之后，可通过刻蚀工艺去除第二半导体材料层12以及假栅结构13，进而，如图2所示，可通过RMG(ReplacementMetalGate，替代栅)工艺，在第一半导体材料层11和假栅结构13的位置填充栅极材料，例如，高介电常数(High-K)材料，形成真正的栅极21。在上述制作方法中，通过掺杂工艺形成源极14和漏极15时，如图1所示，源极14(或漏极15)与沟道100内的第一半导体材料层11和第二半导体材料层12本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：/n在半导体衬底上形成支撑结构，所述支撑结构包括交替设置的第一半导体材料层和第二半导体材料层；/n形成覆盖所述支撑结构的假栅结构，所述假栅结构在栅长方向的长度小于所述第一半导体材料层在所述栅长方向的长度，所述栅长方向用于指示所述场效应晶体管中载流子的输运方向；/n在所述第一半导体材料层的两端或两侧形成绝缘结构；/n在所述支撑结构的两侧形成源极和漏极，其中，所述源极和漏极通过所述绝缘结构与所述第一半导体材料层隔离；/n去除所述假栅结构，以及在所述绝缘结构之间的第一半导体材料层；/n减小所述第二半导体材料层的中段的厚度。/n

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成支撑结构，所述支撑结构包括交替设置的第一半导体材料层和第二半导体材料层；
形成覆盖所述支撑结构的假栅结构，所述假栅结构在栅长方向的长度小于所述第一半导体材料层在所述栅长方向的长度，所述栅长方向用于指示所述场效应晶体管中载流子的输运方向；
在所述第一半导体材料层的两端或两侧形成绝缘结构；
在所述支撑结构的两侧形成源极和漏极，其中，所述源极和漏极通过所述绝缘结构与所述第一半导体材料层隔离；
去除所述假栅结构，以及在所述绝缘结构之间的第一半导体材料层；
减小所述第二半导体材料层的中段的厚度。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在半导体衬底上形成支撑结构，包括：
在半导体衬底上交替生长第一半导体材料层和第二半导体材料层的周期性超晶格结构；
对所述超晶格结构进行刻蚀，形成鳍状的所述支撑结构。


3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一半导体材料层的两端形成绝缘结构包括：
沿所述栅长方向，使得所述第一半导体材料层的两端被氧化，形成所述绝缘结构。


4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一半导体材料层的两端形成绝缘结构包括：
沿所述栅长方向，去除所述第一半导体材料层的两端部分，形成所述凹槽，向所述凹槽中填充介质材料来形成所述绝缘结构。


5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述介质材料的介电常数小于所述第一半导体材料层的介电常数。


6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述介质材料为Low-K介质材料。


7.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述介质材料的节点常数小于或等于3.9。


8.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在向所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马小龙，张日清，斯蒂芬·巴德尔，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44