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本发明的实施例提供一种场效应晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域，可减小场效应晶体管的寄生参数，从而提高场效应晶体管的可靠性。所述场效应晶体管的制作方法，包括：在半导体衬底上形成支撑结构，所述支撑结构包括交替设置的第一半导体材料层和第二半...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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