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本发明公开了沟槽MOSFET和沟槽MOSFET的制造方法，所述沟槽MOSFET包括外延层、多个沟槽和体区；外延层具有第一导电类型；沟槽形成于所述外延层中，所述多个沟槽的至少两个相连通；所述沟槽的内部设置有栅结构；体区具有第二导电类型，设置在...
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