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一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区与第二区邻接，所述第一区和第二区基底上分别具有第一鳍部，相邻第一鳍部之间具有初始开口；在所述第一鳍部侧壁形成侧墙，使得所述初始开口形成开口；在第二区的开口...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。