鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底技术

本发明专利技术提供一种鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底，能够实现鳍式场效应管性能的进一步提升。该制备方法包括：提供硅衬底，硅衬底上形成有栅氧化层，且栅氧化层具有至少一贯穿栅氧化层的孔洞；形成伪栅极、至少覆盖伪栅极两侧的侧墙、外延源极以及外延漏极；其中，伪栅极覆盖孔洞；去除伪栅极，令硅衬底在孔洞位置形成空穴；在伪栅极位置形成金属栅极结构；其中，金属栅极结构具有对应空穴的凸起。这样，能够获取电容值更高的鳍式场效应管，实现了鳍式场效应管性能的进一步提升。

【技术实现步骤摘要】
鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底
本专利技术涉及半导体制造加工领域，更详细地说，本专利技术涉及一种鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底。
技术介绍
目前，金属栅极工艺在半导体器件中得到了广泛应用，用以获得理想的阈值电压，改善器件性能。但是当器件的特征尺寸(CD，CriticalDimension)进一步下降时，即使采用金属栅极工艺，常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求，多栅器件作为常规器件的替代得到了广泛的关注。鳍式场效应管(FinFET)是一种常见的多栅器件。FinFET中，栅极至少可以从两侧对沟道进行控制，比常规的MOS场效应管对沟道的控制能力强，能够很好的抑制短沟道效应。而且，FinFET与现有集成电路生产技术的兼容性良好。然而，随着半导体工艺技术的不断发展，如何进一步地提升鳍式场效应管性能，是业界亟需要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底，能够获取电容值更高的鳍式场效应管，实现了鳍式场效应管性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，包括：/n提供硅衬底，所述硅衬底上形成有栅氧化层，且所述栅氧化层具有至少一贯穿所述栅氧化层的孔洞；/n形成伪栅极、至少覆盖所述伪栅极两侧的侧墙、外延源极以及外延漏极；其中，所述伪栅极覆盖所述孔洞；/n去除所述伪栅极，令所述硅衬底在所述孔洞位置形成空穴；/n在所述伪栅极位置形成金属栅极结构；其中，所述金属栅极结构具有对应所述空穴的凸起。/n

【技术特征摘要】
1.一种鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底，所述硅衬底上形成有栅氧化层，且所述栅氧化层具有至少一贯穿所述栅氧化层的孔洞；
形成伪栅极、至少覆盖所述伪栅极两侧的侧墙、外延源极以及外延漏极；其中，所述伪栅极覆盖所述孔洞；
去除所述伪栅极，令所述硅衬底在所述孔洞位置形成空穴；
在所述伪栅极位置形成金属栅极结构；其中，所述金属栅极结构具有对应所述空穴的凸起。


2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，所述伪栅极为多晶硅栅极或锗硅栅极。


3.如权利要求1所述的鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，所述硅衬底上形成有栅氧化层，且所述栅氧化层具有至少一贯穿所述栅氧化层的孔洞，具体包括：
在所述硅衬底上沉积栅氧化层；
设置掩膜层；其中，所述掩膜层具有开口；
刻蚀所述栅氧化层，令所述栅氧化层在所述开口区域内形成一贯穿的孔洞；
去除所述掩膜层。


4.如权利要求3所述的鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，所述设置掩膜层，具体包括：
铺设光刻胶层；
对所述光刻胶层的预设区域进行光照、显影，去除预设区域的所述光刻胶层，获取所述掩膜层。


5.如权利要求1所述的鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，所述孔洞的个数为两个。


6.如权利要求1所述的鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，所述形成伪栅极、至少覆盖所述伪栅极两侧的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31