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本发明提供一种鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底，能够实现鳍式场效应管性能的进一步提升。该制备方法包括：提供硅衬底，硅衬底上形成有栅氧化层，且栅氧化层具有至少一贯穿栅氧化层的孔洞；形成伪栅极、至少覆盖伪栅极两侧的侧墙、外延源极以及...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。