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本发明提供一种半导体元件，包括第一导电型阱、第二导电型阱、源极区域、漏极区域以及多晶硅环栅极结构。第一导电型阱配置于第一导电型衬底中。第二导电型阱配置于第一导电型阱旁边且被第一导电型阱环绕。源极区域配置于第一导电型阱中。漏极区域配置于第二导...
该专利属于新唐科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新唐科技股份有限公司授权不得商用。

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