【技术实现步骤摘要】
成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法
本专利技术涉及成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。
技术介绍
作为在基板或形成在基板上的层叠体等成膜对象物上形成由金属或金属氧化物等材料构成的薄膜的方法,广泛已知有溅射法。通过溅射法进行成膜的成膜装置具有在真空腔室内使由成膜材料构成的靶与成膜对象物相向地配置的结构。若对靶施加电压,则在靶的附近产生等离子体,通过电离的惰性气体元素与靶表面碰撞而从靶表面放出溅射粒子,放出的溅射粒子在成膜对象物上堆积而成膜。另外,还已知有在靶的背面(圆筒形的靶的情况下为靶的内侧)配置磁铁,通过产生的磁场提高阴极附近的电子密度来高效地进行溅射的磁控溅射法。作为现有的这种成膜装置,例如已知有专利文献1所记载那样的装置。专利文献1的成膜装置使靶相对于成膜对象物的成膜面平行移动而成膜。专利文献1:日本特开2015-172240号公报在此,存在成膜装置的腔室内的压力不均匀的情况。即,如在导入溅射气体的气体导入口的附近压力高且在与真空泵连接的排气口附近压力低那样,存在腔室内的压力分布不均匀的情况。当如专利文献1那样在腔内一边使阴极移动一边进行溅射时,从靶的表面放出溅射粒子的溅射区域也相对于腔室移动。因此,如上述那样在腔室内的压力分布不均匀的条件下一边使溅射区域移动一边进行溅射时,溅射区域的周边的压力在溅射工艺的期间变化。溅射粒子的平均自由行程与压力成反比,在分子密度低且压力低的区域长,在分子密度高且压力高的区域短,因此,若压力不同,则成膜速率会发生变化。其结果,有可能产生成膜的品 ...
【技术保护点】
1.一种成膜装置,具有:/n腔室,内部配置有成膜对象物以及靶;以及/n移动部件,使从所述靶产生溅射粒子的溅射区域在所述腔室内移动,/n该成膜装置一边利用所述移动部件使所述溅射区域移动,一边使所述溅射粒子堆积于所述成膜对象物而成膜,/n其特征在于,/n所述移动部件根据所述溅射区域的附近的压力,使所述溅射区域的移动速度变化。/n
【技术特征摘要】
20181227 JP 2018-2444471.一种成膜装置,具有:
腔室,内部配置有成膜对象物以及靶;以及
移动部件,使从所述靶产生溅射粒子的溅射区域在所述腔室内移动,
该成膜装置一边利用所述移动部件使所述溅射区域移动,一边使所述溅射粒子堆积于所述成膜对象物而成膜,
其特征在于,
所述移动部件根据所述溅射区域的附近的压力,使所述溅射区域的移动速度变化。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
还具有压力获取部件,该压力获取部件获取所述溅射区域的附近的压力。
3.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,
所述溅射区域的附近的压力越高,所述移动部件越减小所述溅射区域的移动速度。
4.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,
在所述溅射区域的附近的压力为第一压力时,所述移动部件使所述溅射区域以第一速度移动,
在所述溅射区域的附近的压力为比所述第一压力高的第二压力时,所述移动部件使所述溅射区域以比所述第一速度小的第二速度移动。
5.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,
所述压力获取部件是压力传感器。
6.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,
所述压力获取部件基于预先获取的所述腔室内的压力分布来获取所述溅射区域的附近的压力。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述移动部件通过使所述靶在所述腔室内移动,从而使所述溅射区域移动。
8.根据权利要求7所述的成膜装置,其特征在于,
所述移动部件通过使所述靶在与所述靶的长度方向交叉的方向上移动,从而使所述溅射区域移动。
9.根据权利要求7所述的成膜装置,其特征在于,
所述移动部件通过使隔着所述靶与所述成膜对象物相向地配置的磁场产生部件移动,从而使所述溅射区域移动。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述靶以与所述成膜对象物相向的方式固定于所述腔室,所述移动部件通过使隔着所述靶与所述成膜对象物相向地配置的磁场产生部件移动,从而使所述溅射区域移动。
11.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述靶为圆筒形状,
该成膜装置还具有使所述靶旋转的旋转部件。
12.根据权利要求7所述的成膜装置,其特征在于,
所述靶为圆筒形状,
该成膜装置还具有使所述靶旋转的旋转部件。
13.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述靶为平板形状。
14.一种成膜装置,具有:
腔室,内部配置有成膜对象物以及靶,且具备将气体从所述腔室排出的排气口;以及
移动部件,使...
【专利技术属性】
技术研发人员:菅原洋纪,松本行生,
申请(专利权)人:佳能特机株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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