半导体结构的干燥方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构的干燥方法，其中半导体结构包括腔体，该干燥方法包括：使用可溶于水的有机溶剂液体置换出腔体内的去离子水，置换后腔体内具有包括有机溶剂液体与残留去离子水的互溶溶液；利用有机溶剂蒸汽对腔体进行干燥，以去除腔体内的所述互溶溶液。上述半导体结构的干燥方法先采用有机溶剂置换出腔体内去离子水，由于有机溶剂易溶于水，因此利用浓度高的有机溶剂溶液可置换出腔体内的大部分去离子水，从而使得腔体内的去离子水变为有机溶剂溶液。然后再采用有机溶剂蒸汽将腔体内残留的有机溶剂与去离子水的溶液蒸发出来，从而可以有效地将腔体内剩余少量的去离子水蒸发出来，提升了干燥效率。

Drying method of semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的干燥方法
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体结构的干燥方法。
技术介绍
在半导体工艺中通常会进行刻蚀，刻蚀结束后需要对半导体结构进行清洗、干燥。传统的干燥方式先将半导体结构在去离子水中清洗，然后利用IPA(ISO-PropylAlcohol，异丙醇)蒸汽进行干燥处理。对于晶圆的表面干燥，使用上述方式可满足干燥需求，但对于具有内腔体的复杂半导体结构，比如麦克风，则无法满足干燥需求。具体来说，由于麦克风的基本构造中包含悬振膜与背板，悬振膜设置于内腔体中，在利用去离子水清洗后，内腔体内充满了去离子水，由于蒸汽需要通过背板中的间隙来干燥空腔，间隙面积很小，干燥效率很低，且由于去离子水的表面张力较大，干燥过程中易导致悬振膜与背板粘连，降低良率。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的干燥方法无法有效干燥带腔体的半导体结构的问题，提供一种半导体结构的干燥方法。一种半导体结构的干燥方法，所述半导体结构包括腔体、振膜和背板，所述振膜设置于所述腔体内，所述振膜与所述背板分离，所述方法包括：<br>使用可溶于水的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述半导体结构包括腔体、振膜和背板，所述振膜设置于所述腔体内，所述振膜与所述背板分离，所述方法包括：/n使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水，置换后所述腔体内具有包括有机溶剂液体与残留去离子水的互溶溶液；/n利用有机溶剂蒸汽对所述腔体进行干燥，以去除所述腔体内的所述互溶溶液。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述半导体结构包括腔体、振膜和背板，所述振膜设置于所述腔体内，所述振膜与所述背板分离，所述方法包括：
使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水，置换后所述腔体内具有包括有机溶剂液体与残留去离子水的互溶溶液；
利用有机溶剂蒸汽对所述腔体进行干燥，以去除所述腔体内的所述互溶溶液。


2.根据权利要求1所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水之前还包括：
利用所述去离子水对所述半导体结构进行清洗，以去除所述半导体结构上残留的化学液。


3.根据权利要求2所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述有机溶剂的表面张力小于所述去离子水的表面张力。


4.根据权利要求3所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述有机溶剂包括异丙醇。


5.根据权利要求1所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水包括：将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹斌，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33