半导体结构的干燥方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构的干燥方法，其中半导体结构包括腔体，该干燥方法包括：使用可溶于水的有机溶剂液体置换出腔体内的去离子水，置换后腔体内具有包括有机溶剂液体与残留去离子水的互溶溶液；利用有机溶剂蒸汽对腔体进行干燥，以去除腔体内的所述互溶溶液。上述半导体结构的干燥方法先采用有机溶剂置换出腔体内去离子水，由于有机溶剂易溶于水，因此利用浓度高的有机溶剂溶液可置换出腔体内的大部分去离子水，从而使得腔体内的去离子水变为有机溶剂溶液。然后再采用有机溶剂蒸汽将腔体内残留的有机溶剂与去离子水的溶液蒸发出来，从而可以有效地将腔体内剩余少量的去离子水蒸发出来，提升了干燥效率。

Drying method of semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的干燥方法
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体结构的干燥方法。
技术介绍
在半导体工艺中通常会进行刻蚀，刻蚀结束后需要对半导体结构进行清洗、干燥。传统的干燥方式先将半导体结构在去离子水中清洗，然后利用IPA(ISO-PropylAlcohol，异丙醇)蒸汽进行干燥处理。对于晶圆的表面干燥，使用上述方式可满足干燥需求，但对于具有内腔体的复杂半导体结构，比如麦克风，则无法满足干燥需求。具体来说，由于麦克风的基本构造中包含悬振膜与背板，悬振膜设置于内腔体中，在利用去离子水清洗后，内腔体内充满了去离子水，由于蒸汽需要通过背板中的间隙来干燥空腔，间隙面积很小，干燥效率很低，且由于去离子水的表面张力较大，干燥过程中易导致悬振膜与背板粘连，降低良率。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的干燥方法无法有效干燥带腔体的半导体结构的问题，提供一种半导体结构的干燥方法。一种半导体结构的干燥方法，所述半导体结构包括腔体、振膜和背板，所述振膜设置于所述腔体内，所述振膜与所述背板分离，所述方法包括：使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水，置换后所述腔体内具有包括有机溶剂液体与残留去离子水的互溶溶液；利用有机溶剂蒸汽对所述腔体进行干燥，以去除所述腔体内的所述互溶溶液。在其中一个实施例中，使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水之前还包括：利用所述去离子水对所述半导体结构进行清洗，以去除所述半导体结构上残留的化学液。在其中一个实施例中，所述有机溶剂的表面张力小于所述去离子水的表面张力。在其中一个实施例中，所述有机溶剂包括异丙醇。在其中一个实施例中，使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水包括：将所述半导体结构浸泡于所述有机溶剂液体中以置换出所述腔体内的所述去离子水。在其中一个实施例中，所述半导体结构的浸泡时间为1800s～3000s。在其中一个实施例中，所述有机溶剂蒸汽的温度为80℃～120℃。在其中一个实施例中，利用有机溶剂蒸汽对所述腔体进行干燥之后所述腔体内还具有残留的所述有机溶剂液体，利用有机溶剂蒸汽对所述腔体进行干燥之后还包括：利用干燥气体对所述腔体进行干燥，以去除所述腔体内残留的所述有机溶剂液体。所述背板中设置有空隙，所述有机溶剂液体、所述有机溶剂蒸汽和所述干燥气体通过所述空隙进入所述腔体。在其中一个实施例中，所述干燥气体包括氮气；所述干燥气体的温度为130℃～180℃。上述半导体结构的干燥方法先采用有机溶剂置换出腔体内去离子水，由于有机溶剂易溶于水，因此利用浓度高的有机溶剂溶液可置换出腔体内的大部分去离子水，从而使得腔体内的去离子水变为有机溶剂浓度较高的有机溶剂溶液。然后再采用有机溶剂蒸汽将腔体内残留的有机溶剂与去离子水的溶液蒸发出来，从而可以有效地将腔体内剩余少量的去离子水蒸发出来，提升了干燥效率。选择张力较小的有机溶剂置换去离子水后再干燥，干燥过程中，振膜不易与背板粘结，提高良率。附图说明图1为麦克风的结构示意图；图2为本申请的一个实施例提供的半导体结构的干燥方法流程图。附图标号：支撑结构110腔体120背板130空隙131振膜140沟槽141具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是在于限制本专利技术。如图1所示，麦克风结构通常包括支撑结构110、腔体120。麦克风结构还包括背板130和振膜140，振膜140设置于腔体120内，背板130于振膜140分离且相互平行，形成电容器。振膜140上设置有沟槽141，背板130上设有空隙131。传统技术中常采用低压干燥方法或蒸汽干燥方法。对于晶圆的表面清洁，低压干燥法和半导体干燥法可满足表面清洁的需求。但对于具有腔体120的半导体结构，例如麦克风结构，由于其腔体120内具有悬空振膜140，再利用去离子水清洗麦克风结构后，腔体120内回充满去离子水，由于蒸汽需要通过背板130中的空隙131来干燥空腔，空隙131面积很小，干燥效率很低。且由于去离子水的表面张力较大，因此振膜140极易与背板130粘连。另外，由于振膜140上设置有沟槽141，传统的蒸汽干燥法无法有效地将清体内沟槽141中的去离子水置换出来，干燥效率较低。低压干燥法利用去离子水与异丙醇溶液互溶以置换去离子水，因此，对于腔体120内的干燥效率更低，且极易造成振膜140形变。针对上述技术问题，请参阅图2，本申请的一个实施例提供一种半导体结构的干燥方法，具体为MEMS麦克风结构的干燥方法。该半导体结构如图1所示，包括腔体120、振膜140和背板130，其中，振膜140设置于腔体120内，并与背板130分离，振膜140和背板130组合形成电容器，背板130上设有空隙131。该方法包括以下步骤：S100：使用可溶于水的有机溶剂液体置换出腔体120内的去离子水，置换后的腔体120内包括有机溶剂液体与残留的去离子水的互溶溶液。由于在现有的半导体工艺中制备MEMS麦克风结构需要使用化学液进行湿法腐蚀的步骤，在本步骤之前，先采用去离子水对半导体结构进行清洗，以去除刻蚀后半导体结构上残留的化学液。由于半导体结构具有腔体120，因此清洗后腔体120内会充满去离子水。因此，本步骤中，将半导体结构置于有机溶剂液体环境中，有机溶剂液体通过背板130的空隙131进入腔体120，利用可溶于水的有机溶剂液体可置换出腔体120内大部分去离子水。但由于去离子水与有机溶剂互溶，因此，置换后腔体120内仍存在少量去离子水，即置换后腔室120内具有有机溶剂液体与残留去离子水的互溶溶液。S200：利用有机溶剂蒸汽对腔体120进行干燥，以去除腔体120内的互溶溶液。其中，有机溶剂蒸汽和有机溶剂液体采用同一种有机溶剂。该有机溶剂沸点低、易挥发，且可通过通过背板130的空隙131进入腔体120。因此，利用有机溶剂蒸汽可将腔体120内剩余的互溶溶液蒸发出来。上述实施例先采用有机溶剂置换出腔体120内去离子水本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述半导体结构包括腔体、振膜和背板，所述振膜设置于所述腔体内，所述振膜与所述背板分离，所述方法包括：/n使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水，置换后所述腔体内具有包括有机溶剂液体与残留去离子水的互溶溶液；/n利用有机溶剂蒸汽对所述腔体进行干燥，以去除所述腔体内的所述互溶溶液。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述半导体结构包括腔体、振膜和背板，所述振膜设置于所述腔体内，所述振膜与所述背板分离，所述方法包括：
使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水，置换后所述腔体内具有包括有机溶剂液体与残留去离子水的互溶溶液；
利用有机溶剂蒸汽对所述腔体进行干燥，以去除所述腔体内的所述互溶溶液。


2.根据权利要求1所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水之前还包括：
利用所述去离子水对所述半导体结构进行清洗，以去除所述半导体结构上残留的化学液。


3.根据权利要求2所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述有机溶剂的表面张力小于所述去离子水的表面张力。


4.根据权利要求3所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述有机溶剂包括异丙醇。


5.根据权利要求1所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水包括：将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹斌，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33