集成电路背面金属化制造技术

本申请公开集成电路背面金属化。一种用于背面金属化的方法包括在硅晶片(200)的第一表面(204)上喷墨印刷纳米银导电墨水(210)的图案。硅晶片(200)包括多个晶粒。该图案包括沿晶粒之间的划线的间隙区域(212)。激光通过晶片的第二表面(202)聚焦在硅晶片的第一表面(204)和硅晶片(200)的第二表面(202)之间的点处。第二表面(202)与第一表面(204)相反。沿划线分离晶粒。

【技术实现步骤摘要】
集成电路背面金属化
技术介绍
在集成电路制造中，在半导体晶片(例如，硅晶片(wafer))上形成多个晶粒(die)。在将晶粒与晶片分离之前，可在晶片的背面上沉积一层金属。晶片的背面与其上形成有源部件的晶片一侧相反。背面金属化为晶粒提供导电接触和/或导热接触。背面金属化通常用于功率设备中，以提供改善的散热效果。
技术实现思路
本文公开了用于制造其中晶片背面金属化的半导体设备的方法，该金属化有利于隐形切割，以及通过该方法生产的晶粒和封装设备。在一个示例中，用于制造半导体设备的方法包括在硅晶片的第一表面上喷墨印刷纳米银导电墨水的图案。硅晶片包括多个晶粒。该图案包括沿晶粒之间的划线的间隙(clearance)区域。激光通过晶片的第二表面聚焦在硅晶片的第一表面和硅晶片的第二表面之间的点处。第二表面与第一表面相反。沿划线分离晶粒。在另一个示例中，封装的半导体设备包括晶粒附接焊盘、硅晶粒和壳体。硅晶粒被结合到晶粒附接焊盘。硅晶粒包括硅衬底和金属化的背面。金属化的背面包括从硅衬底的每个边缘延伸到预定间隙距离的固化的纳米银导电墨水层。壳体包围晶粒附接焊盘和硅晶粒。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造半导体设备的方法，包括：/n在包括多个晶粒的硅晶片的第一表面上喷墨印刷纳米银导电墨水的图案，所述图案包括沿所述晶粒之间的划线的间隙区域；/n通过所述晶片的第二表面将激光聚焦在所述硅晶片的所述第一表面和所述硅晶片的所述第二表面之间的点处，其中所述第二表面与所述第一表面相反，并且所述点与所述间隙区域对准；以及/n沿所述划线分离所述晶粒。/n

【技术特征摘要】
20181221 US 16/228,9621.一种用于制造半导体设备的方法，包括：
在包括多个晶粒的硅晶片的第一表面上喷墨印刷纳米银导电墨水的图案，所述图案包括沿所述晶粒之间的划线的间隙区域；
通过所述晶片的第二表面将激光聚焦在所述硅晶片的所述第一表面和所述硅晶片的所述第二表面之间的点处，其中所述第二表面与所述第一表面相反，并且所述点与所述间隙区域对准；以及
沿所述划线分离所述晶粒。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述硅晶片的所述第一侧上沉积粘附层。


3.根据权利要求2所述的方法，还包括在所述粘附层上沉积阻挡层。


4.根据权利要求3所述的方法，其中所述喷墨印刷包括在所述阻挡层上印刷纳米银导电墨水的所述图案，其中所述间隙区域暴露所述阻挡层。


5.根据权利要求3所述的方法，还包括施加大气等离子体以从所述阻挡层去除氧化物。


6.根据权利要求1所述的方法，还包括固化纳米银导电墨水的印刷图案。


7.根据权利要求1所述的方法，还包括通过所述硅晶片检测所述硅晶片的所述第二表面上的基准标记，以对准喷墨印刷喷嘴以分配纳米银导电墨水的所述图案。


8.根据权利要求1所述的方法，还包括：
将所述晶粒中给定的一个结合到引线框架的所述晶粒附接焊盘；
经由键合线将所述晶粒中所述给定的一个电耦接到所述引线框架的端子；以及
将所述晶粒中所述给定的一个、所述键合线和所述引线框架的至少一部分包封在壳体中。


9.一种封装的半导体设备，包括：
晶粒附接焊盘；
结合到所述晶粒附接焊盘的硅晶粒，包括：
硅衬底；以及
金属化背面，其包括固化的纳米银导电墨水层，所述纳米银导电墨水从所述硅衬底的每个边缘延伸到预定的间隙距离；以及
围绕所述晶粒附接焊盘和所述硅晶粒的壳体。


10.根据权利要求9所述的封装的半导体设备，其中所述预定的间隙距离在大约5微米至15微米的范围内。

【专利技术属性】
技术研发人员：佐田宏幸，入口将一，矢野元气，L·T·阮，A·普拉布，A·波达尔，鄢艺，H·阮，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US