【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法相关申请的交叉引用2018年12月21日提交的日本专利申请No.2018-239507的公开内容，包括说明书、附图和摘要，通过引用以其整体合并于此。
本公开涉及例如具有形成在电极垫上的镀层的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
具有电极垫和形成在电极垫上的镍镀层的半导体器件是已知的。专利文献1(特开2015-056532号公报)中描述的镍镀层包含来源于用于镀覆反应的还原剂的磷原子。镍镀层具有低浓度镀层和形成在低浓度镀层上的高浓度镀层。低浓度镀层中包括的磷原子的浓度小于高浓度镀层中包括的磷原子的浓度。镍镀层通过非电解镀方法形成。具体地，首先，准备具有相对较低浓度的磷原子的低浓度镀覆溶液、具有较高浓度的磷原子的高浓度镀覆溶液和洗涤水。通过将其上形成有电极垫的半导体晶片浸入低浓度镀覆溶液中来形成低浓度镀层。接下来，将半导体晶片从低浓度镀覆溶液中取出，利用清洗水洗涤，然后将其浸入高浓度镀覆溶液中，由此可以在低浓度镀层上形成高浓度镀层。在专利文献1中描述的半导体器件中，通过相对较软的低浓度镀...
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括用于通过非电解镀方法在电极垫上形成镀层的步骤，包括以下步骤：/n准备半导体晶片，所述半导体晶片具有半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的绝缘层以及形成在所述绝缘层上的所述电极垫；以及/n在镀镍溶液中，在以第一速度移动所述半导体晶片之后，通过以第二速度移动所述半导体晶片，在所述电极垫上形成所述镀层，所述第一速度高于所述第二速度，/n其中在以所述第一速度移动所述半导体晶片之后，在不将所述半导体晶片从所述镀镍溶液中取出的情况下，以所述第二速度移动所述半导体晶片。/n
【技术特征摘要】
20181221 JP 2018-2395071.一种制造半导体器件的方法，包括用于通过非电解镀方法在电极垫上形成镀层的步骤，包括以下步骤：
准备半导体晶片，所述半导体晶片具有半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的绝缘层以及形成在所述绝缘层上的所述电极垫；以及
在镀镍溶液中，在以第一速度移动所述半导体晶片之后，通过以第二速度移动所述半导体晶片，在所述电极垫上形成所述镀层，所述第一速度高于所述第二速度，
其中在以所述第一速度移动所述半导体晶片之后，在不将所述半导体晶片从所述镀镍溶液中取出的情况下，以所述第二速度移动所述半导体晶片。
2.根据权利要求1所述的方法，其中沿着所述半导体晶片的主表面往复移动所述半导体晶片。
3.根据权利要求2所述的方法，其中当往复移动所述半导体晶片时，所述半导体晶片的移动范围等于或大于2cm，并且等于或小于4cm。
4.根据权利要求3所述的方法，
其中所述第一速度等于或大于1Hz，并且等于或小于2Hz，并且
其中所述第二速度等于或大于0Hz，并且等于或小于1Hz。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二速度等于或大于0.3Hz，并且等于或小于1Hz。
6.根据权利要求1所述的方法，
其中所述镀层包括：
第一镀层，以所述第一速度形成，
第二镀层，以所述第二速度形成并且形成在所述第一镀层之上，以及
第一中间层，形成在所述第一镀层和所述第二镀层之间，并且
其中所述第一中间层中包括的原子的浓度从所述第一镀层向所述第二镀层逐渐增加，所述第一中间层中包括的所述原子是磷原子和硼原子中的一种。
7.根据权利要求1所述的方法，
其中所述镀层包括：
第一镀层，以所述第一速度形成，
第二镀层，以所述第二速度形成并且形成在所述第一镀层之上，以及
第一中间层，形成在所述第一镀层和所述第二镀层之间，并且
其中所述第一镀层中包括的原子的第一浓度低于所述第二镀层中包括的原子的第二浓度，所述第一镀层中包括的所述原子是磷原子和硼原子中的一种，并且所述第二镀层中包括的所述原子是磷原子和硼原子中的一种。
8.根据权利要求7所述的方法，
其中所述第一浓度等于或大于7wt％，并且等于或小于9wt％，并且
其中所述第二浓度大于9wt％，并且等于或小于11wt％。
9.根据权利要求7所述的方法，
其中所述第一浓度与所述第二浓度之间的差异等于或大于2wt％。
10.根据权利要求1所述的方法，
其中所述镀层包括：
第一镀层，以所述第一速度形成，
第二镀层，以所述第二速度形成并...
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