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本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。改进了具有形成在电极垫上的镀层的半导体器件的可靠性。制造半导体器件的方法包括以下步骤：在镀镍溶液中，在以第一速度移动半导体晶片之后，通过以第二速度移动半导体晶片，以在电极垫上形成镀层，第一速度高于第...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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