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本申请公开集成电路背面金属化。一种用于背面金属化的方法包括在硅晶片(200)的第一表面(204)上喷墨印刷纳米银导电墨水(210)的图案。硅晶片(200)包括多个晶粒。该图案包括沿晶粒之间的划线的间隙区域(212)。激光通过晶片的第二表面(...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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