用于选择性去除多晶硅的干洗装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于选择性去除多晶硅的干洗装置和方法。本发明专利技术包括：将等离子体态的含氟气体和非等离子体态的含氢气体供应至基板，该基板上形成有氧化硅、氮化硅和多晶硅，由此将氧化硅和氮化硅的表面改变为六氟硅酸铵，从而形成保护层；停止供应含氢气体并连续供应等离子体态的含氟气体，由此通过氟自由基选择性去除多晶硅；最后为保护层去除步骤，通过退火去除由六氟硅酸铵制成的保护层。根据本发明专利技术，通过将形成在基板上的氮化硅和氧化硅的表面改变为六氟硅酸铵((NH

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于选择性去除多晶硅的干洗装置和方法
本专利技术涉及一种用于选择性去除多晶硅的干洗装置和方法。更具体地，本专利技术涉及一种用于将在基板上形成的氮化硅和氧化硅的表面改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)固体层并使用该六氟硅酸铵固体层作为保护层选择性地蚀刻多晶硅的干洗装置和方法。
技术介绍
根据半导体器件的电路的高集成度和高精细度，需要在异质图案(heterogeneouspatterns)例如多晶硅、氧化硅或氮化硅之间显示出高选择性的蚀刻和清洗技术。同时，蚀刻多晶硅的技术包括湿法蚀刻和干法蚀刻。尽管湿法蚀刻技术具有优异的颗粒去除能力，但是存在由于高纵横比图案上的表面张力而导致的清洗能力降低以及难以在原子水平上控制精细蚀刻的选择性的问题。另外，干法蚀刻技术具有这样的问题，其中在蚀刻之后由于晶片上的离子轰击而形成损伤层，因此需要用于去除损伤层的额外后续工艺。近来，作为解决上述问题的替代技术，广泛使用通过气体或自由基反应形成六氟硅酸铵(NH4)2SiF6)固体层并通过加热去除由此形成的固体层的干洗(drycleaning)技术，并且该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于选择性去除多晶硅的干洗方法，包括：/n保护层形成步骤，用于将与氧化硅和氮化硅反应的等离子体态的含氟气体和非等离子体态的含氢气体供应至设置在腔室内的卡盘上的基板，所述基板具有在其上形成的氧化硅、氮化硅和多晶硅，从而将氧化硅和氮化硅的表面改变为六氟硅酸铵((NH

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171130 KR 10-2017-01631251.一种用于选择性去除多晶硅的干洗方法，包括：
保护层形成步骤，用于将与氧化硅和氮化硅反应的等离子体态的含氟气体和非等离子体态的含氢气体供应至设置在腔室内的卡盘上的基板，所述基板具有在其上形成的氧化硅、氮化硅和多晶硅，从而将氧化硅和氮化硅的表面改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)并形成保护层；
多晶硅去除步骤，用于停止供应含氢气体并连续地供应等离子体态的含氟气体，从而通过氟自由基选择性去除多晶硅；以及
保护层去除步骤，用于通过退火去除由六氟硅酸铵制成的保护层。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述保护层形成步骤和所述多晶硅去除步骤中连续地供应含氟气体和RF电源以形成等离子体态的含氟气体，并且
仅在所述保护层形成步骤中供应含氢气体。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述含氢气体的供应时间为1秒至10秒。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层形成步骤、所述多晶硅去除步骤和所述保护层去除步骤通过原位清洗方法在同一腔室中连续进行。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述保护层去除步骤中，
仅提供惰性气体，同时阻塞等离子体，从而通过蒸发去除由六氟硅酸铵制成的保护层。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述卡盘的温度控制为80至120℃，提供用于供应所述等离子体态的含氟气体和所述含氢气体的路径的喷头的加热温度为100至200℃，并且所述腔室的内侧壁的加热温度为80至100℃。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含氢气体包括H2、NH3或H2O。


8.一种用于选择性去除多晶硅的干洗装置，包括：
卡盘，其包括在腔室中，并且在其上设置有基板，在所述基板上形成有氧化硅、氮化硅和多晶硅；
卡盘加热器，用于加...

【专利技术属性】
技术研发人员：金仁俊，李佶洸，
申请(专利权)人：无尽电子有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR