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本发明涉及一种用于选择性去除多晶硅的干洗装置和方法。本发明包括：将等离子体态的含氟气体和非等离子体态的含氢气体供应至基板，该基板上形成有氧化硅、氮化硅和多晶硅，由此将氧化硅和氮化硅的表面改变为六氟硅酸铵，从而形成保护层；停止供应含氢气体并连...
该专利属于无尽电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无尽电子有限公司授权不得商用。

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