采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质制造方法及图纸

本申请提供了一种采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置、存储介质和处理器。该方法包括：第一容器的第一清洗步骤，在第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理；第二容器的准备步骤，控制向存在处于预定状态的化学试剂的第二容器中通入化学试剂的原料；第二容器的清洗步骤，在第一容器中的化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且第二容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用第二容器中的化学试剂对晶圆进行处理。该方案缩短了混酸的时间，减少了暂停等待处理的时间，使得采用化学试剂对晶圆的处理时间大大缩短，从而提高了化学试剂对晶圆的处理效率，提高了WPH较低。

Method, device and storage medium for wafer treatment with chemical reagent

【技术实现步骤摘要】
采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置、存储介质和处理器。
技术介绍
半导体芯片生产工艺中，很多制作步骤之后，都需要采用一些混合试剂对晶圆进行处理，比如采用DSP试剂对晶圆进行清洗处理，通常，这些化学试剂的用量大。然而，现有技术中，采用化学试剂对晶圆处理花费的时间较长，处理效率较低，每小时的出片量(WaferPerHour，简称WPH)低。这是因为处理过程中，化学试剂需要调配至预定状态(包括预定浓度和/或预定温度范围)，且调配所需的时间较长，所以wafer在实际处理过程中，部分的时间花费在等待化学试剂调配至预定状态的过程中。在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置、存储介质和处理器，以解决现有技术中的采用DSP实际对晶圆进行处理的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用化学试剂对晶圆处理的方法，其特征在于，所述化学试剂在多个容器中形成，多个所述容器包括第一容器和第二容器，所述方法包括：/n第一容器的第一清洗步骤，在所述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对晶圆进行处理；/n第二容器的准备步骤，控制向存在处于所述预定状态的所述化学试剂的所述第二容器中通入所述化学试剂的原料；/n第二容器的清洗步骤，在所述第一容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且所述第二容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第二容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种采用化学试剂对晶圆处理的方法，其特征在于，所述化学试剂在多个容器中形成，多个所述容器包括第一容器和第二容器，所述方法包括：
第一容器的第一清洗步骤，在所述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对晶圆进行处理；
第二容器的准备步骤，控制向存在处于所述预定状态的所述化学试剂的所述第二容器中通入所述化学试剂的原料；
第二容器的清洗步骤，在所述第一容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且所述第二容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第二容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
第一容器的准备步骤，不排空所述第一容器中的所述化学试剂，控制直接向所述第一容器中通入所述化学试剂的原料；
第一容器的第二清洗步骤，在所述第二容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于所述预定体积且所述第一容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
依次重复执行所述第二容器的准备步骤、所述第二容器的清洗步骤、所述第一容器的准备步骤以及所述第一容器的第二清洗步骤至少一次，直到所有的所述晶圆经过化学试剂处理。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定状态包括预定温度范围，在所述容器中的所述化学试剂处于所述预定状态之后，所述方法还包括：
获取所述容器内的所述化学试剂的温度；
在所述温度未处于所述预定温度范围内的情况下，采用温控设备对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨尊，任德营，顾立勋，夏余平，高翔，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42