采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质制造方法及图纸

本申请提供了一种采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置、存储介质和处理器。该方法包括：第一容器的第一清洗步骤，在第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理；第二容器的准备步骤，控制向存在处于预定状态的化学试剂的第二容器中通入化学试剂的原料；第二容器的清洗步骤，在第一容器中的化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且第二容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用第二容器中的化学试剂对晶圆进行处理。该方案缩短了混酸的时间，减少了暂停等待处理的时间，使得采用化学试剂对晶圆的处理时间大大缩短，从而提高了化学试剂对晶圆的处理效率，提高了WPH较低。

Method, device and storage medium for wafer treatment with chemical reagent

【技术实现步骤摘要】
采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置、存储介质和处理器。
技术介绍
半导体芯片生产工艺中，很多制作步骤之后，都需要采用一些混合试剂对晶圆进行处理，比如采用DSP试剂对晶圆进行清洗处理，通常，这些化学试剂的用量大。然而，现有技术中，采用化学试剂对晶圆处理花费的时间较长，处理效率较低，每小时的出片量(WaferPerHour，简称WPH)低。这是因为处理过程中，化学试剂需要调配至预定状态(包括预定浓度和/或预定温度范围)，且调配所需的时间较长，所以wafer在实际处理过程中，部分的时间花费在等待化学试剂调配至预定状态的过程中。在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
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中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置、存储介质和处理器，以解决现有技术中的采用DSP实际对晶圆进行处理的方法的效率较低的问题。为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种采用化学试剂对晶圆处理的方法，所述化学试剂在多个容器中形成，多个所述容器包括第一容器和第二容器，所述方法包括：第一容器的第一清洗步骤，在所述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对晶圆进行处理；第二容器的准备步骤，控制向存在处于所述预定状态的所述化学试剂的所述第二容器中通入所述化学试剂的原料；第二容器的清洗步骤，在所述第一容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且所述第二容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第二容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。进一步地，所述方法还包括：第一容器的准备步骤，不排空所述第一容器中的所述化学试剂，控制直接向所述第一容器中通入所述化学试剂的原料；第一容器的第二清洗步骤，在所述第二容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于所述预定体积且所述第一容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。进一步地，所述方法还包括：依次重复执行所述第二容器的准备步骤、所述第二容器的清洗步骤、所述第一容器的准备步骤以及所述第一容器的第二清洗步骤至少一次，直到所有的所述晶圆经过化学试剂处理。进一步地，所述预定状态包括预定温度范围，在所述容器中的所述化学试剂处于所述预定状态之后，所述方法还包括：获取所述容器内的所述化学试剂的温度；在所述温度未处于所述预定温度范围内的情况下，采用温控设备对所述容器中的所述原料的温度进行调节，使得所述化学试剂在所述预定温度范围内。进一步地，所述化学试剂为DSP试剂，所述DSP试剂的原料包括硫酸、双氧水、氢氟酸以及去离子水。进一步地，在所述容器中通入所述原料之后，在所述容器中的所述化学试剂处于所述预定状之前，所述方法还包括：采用冷却剂对所述容器中的所述化学试剂进行冷却，以使得所述化学试剂的温度处于所述预定温度范围内。进一步地，所述冷却剂包括乙二醇。为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种采用化学试剂对晶圆处理的装置，其中，所述化学试剂在多个容器中形成，多个所述容器包括第一容器和第二容器，所述装置包括：第一控制单元，用于在所述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对晶圆进行处理；第二控制单元，用于控制向存在处于所述预定状态的所述化学试剂的所述第二容器中通入所述化学试剂的原料；第三控制单元，用于在所述第一容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且所述第二容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第二容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。根据本申请的再一方面，提供了一种存储介质，所述存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行任意一种所述的采用化学试剂对晶圆处理的方法。根据本申请的又一方面，提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的采用化学试剂对晶圆处理的方法。应用本申请的技术方案，相比于现有技术中的在处理完晶圆后，排空容器中剩余的化学试剂的方法来说，该方案中，并不排空容器中的剩余化学试剂，这样，在进行晶圆的处理之前，第二容器中就存在处于预定状态的一定体积的化学试剂，在后续的晶圆处理过程中，再向第二容器中通入化学试剂且使得容器内的化学时间达到预定状态的时间缩短；并且，该方案中，在第一容器中的化学试剂小于或者等于预定体积时，并不控制停止采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理，且随后排空第一容器中的化学试剂，等待第二容器中的化学试剂达到预定状态；而是在第二容器中的化学试剂未达到预定状态的情况下，仍然采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理，直到第二容器中的化学试剂处于预定状态时停止，切换成第二容器的化学试剂对晶圆进行处理，相对于现有技术中的暂停排出第一容器中的化学试剂的方案来说，缩短了化学试剂处理晶圆的时间，并且，由于第二容器中的化学试剂达到预定状态的时间大大缩短，这样使得第一容器中的化学试剂的体积不会被使用完，进一步保证了对晶圆处理的效果较好。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1示出了根据本申请的采用化学试剂对晶圆处理的方法的实施例的流程图示意图；图2示出了根据本申请的采用化学试剂对晶圆处理的装置的实施例的结构框图；图3示出了采用化学试剂对晶圆进行处理的结构的示意图。其中，上述附图包括以下附图标记：10、第一容器；20、第二容器；30、第一加热设备；40、第二加热设备；50、控制阀。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。应该理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用化学试剂对晶圆处理的方法，其特征在于，所述化学试剂在多个容器中形成，多个所述容器包括第一容器和第二容器，所述方法包括：/n第一容器的第一清洗步骤，在所述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对晶圆进行处理；/n第二容器的准备步骤，控制向存在处于所述预定状态的所述化学试剂的所述第二容器中通入所述化学试剂的原料；/n第二容器的清洗步骤，在所述第一容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且所述第二容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第二容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种采用化学试剂对晶圆处理的方法，其特征在于，所述化学试剂在多个容器中形成，多个所述容器包括第一容器和第二容器，所述方法包括：
第一容器的第一清洗步骤，在所述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对晶圆进行处理；
第二容器的准备步骤，控制向存在处于所述预定状态的所述化学试剂的所述第二容器中通入所述化学试剂的原料；
第二容器的清洗步骤，在所述第一容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且所述第二容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第二容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
第一容器的准备步骤，不排空所述第一容器中的所述化学试剂，控制直接向所述第一容器中通入所述化学试剂的原料；
第一容器的第二清洗步骤，在所述第二容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于所述预定体积且所述第一容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
依次重复执行所述第二容器的准备步骤、所述第二容器的清洗步骤、所述第一容器的准备步骤以及所述第一容器的第二清洗步骤至少一次，直到所有的所述晶圆经过化学试剂处理。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定状态包括预定温度范围，在所述容器中的所述化学试剂处于所述预定状态之后，所述方法还包括：
获取所述容器内的所述化学试剂的温度；
在所述温度未处于所述预定温度范围内的情况下，采用温控设备对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨尊，任德营，顾立勋，夏余平，高翔，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42