【技术实现步骤摘要】
垂直晶闸管相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月20日提交的法国专利申请号1873566的优先权，其内容在法律上允许的最大范围内通过引用以整体并入于此。
本公开涉及半导体功率组件，并且更具体地涉及垂直晶闸管。
技术介绍
各种晶闸管结构在本领域中是已知的。然而，需要一种能够克服已知结构的全部或部分缺点的晶闸管结构。
技术实现思路
在一个实施例中，一种晶闸管包括交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠，其中第四区域在晶闸管的栅极区域中以及在连续通道中被中断,该连续通道从上述栅极区域朝向第四区域的横向边缘延伸。根据一个实施例，该连续通道沿着大于或等于将上述栅极区域与第四半导体区域的上述横向边缘分开的距离的一半的长度延伸。根据一个实施例，该连续通道一直延伸到第四区域的上述横向边缘。根据一个实施例，该连续通道在通道的纵向方向上具有基本上恒定的宽度。根据一个实施例，该连续通道具有从上述栅极区域开始沿着通道的纵...
【技术保护点】
1.一种晶闸管，包括：/n交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠；/n其中所述第四半导体区域被所述第三半导体区域的一部分中断，所述第三半导体区域的所述一部分形成所述晶闸管的栅极区；以及/n其中所述第四半导体区域被所述第三半导体区域的另外部分中断，所述第三半导体区域的所述另外部分形成连续通道，所述连续通道从形成所述栅极区的所述第三半导体区域的所述一部分朝向所述第四半导体区域的横向边缘纵向延伸。/n
【技术特征摘要】
20181220 FR 18735661.一种晶闸管，包括：
交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠；
其中所述第四半导体区域被所述第三半导体区域的一部分中断，所述第三半导体区域的所述一部分形成所述晶闸管的栅极区；以及
其中所述第四半导体区域被所述第三半导体区域的另外部分中断，所述第三半导体区域的所述另外部分形成连续通道，所述连续通道从形成所述栅极区的所述第三半导体区域的所述一部分朝向所述第四半导体区域的横向边缘纵向延伸。
2.根据权利要求1所述的晶闸管，其中所述连续通道沿着如下长度纵向地延伸：所述长度大于或等于从形成所述栅极区的所述第三半导体区域的所述一部分到所述第四半导体区域的所述横向边缘的距离的一半。
3.根据权利要求1所述的晶闸管，其中所述连续通道从形成所述栅极区的所述第三半导体区域的所述一部分一直纵向延伸到所述第四半导体区域的所述横向边缘。
4.根据权利要求1所述的晶闸管，其中所述连续通道沿着所述连续通道纵向延伸的方向具有基本上恒定的横向宽度。
5.根据权利要求1所述的晶闸管，其中所述连续通道具有从形成所述栅极区的所述第三半导体区域的所述一部分开始沿着所述通道纵向延伸的方向减小的横向宽度。
6.根据权利要求1所述的晶闸管，还包括第一主导电金属化，所述第一主导电金属化与所述第四半导体区域的、与所述第三半导体区域相对的表面接触。
7.根据权利要求6所述的晶闸管，其中所述第一主导电金属化覆盖所述连续通道，并且所述晶闸管还包括绝缘层，其中所述绝缘层的一部分被布置在所述第一主导电金属化与所述连续通道的上表面之间，所述绝缘层沿着所述连续通道的整个长度延伸。
8.根据权利要求6所述的晶闸管，其中所述第一主导电金属化沿着所述连续通道的整个长度与所述连续通道相对地被中断。
9.根据权利要求6所述的晶闸管，其中所述第四半导体区域被所述第三半导体区域的附加部分中断，所述第三半导体区域的所述附加部分形成发射极短路区，在所述发射极短路区，所述第三半导体区域的所述上表面与所述第一主导电金属化接触。
10.根据权利要求1所述的晶闸管，还包括栅极金属化，所述栅极金属化与形成所述栅极区的所述第三半导体区域的一部分的上表面接触。
11.根据权利要求1所述的晶闸管，还包括第二主导电金属化，所述第二主导电金属化与所述第一半导体区域的、与所述第二半导体区域相对的表面接触。
12.根据权利要求1所述的晶闸管，其中所述第四半导体区域进一步被所述第三半导体区域的附加部分中断，所述第三半导体区域的附加部分形成另外的连续通道，所述另外的连续通道从形成所述栅极区的所述一部分朝向所述第四半导体区域的相对的横向边缘纵向延伸。
13.根据权利要求12所述的晶闸管，其中：
形成所述栅极区的所述第三半导体区域的所述一部分被所述第四半导体区域、所述连续通道以及所述另外的连续通道横向地包围；以及
其中所述连续通道和所述另外的...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·梅纳尔，L·让，
申请(专利权)人：意法半导体图尔公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR
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