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本公开的实施例涉及垂直晶闸管。一种晶闸管由交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠形成。第四半导体区域在晶闸管的栅极区中被中断。第四半导体区域进一步在连续通道中被中断，该连续通道从栅极区域朝向第...
该专利属于意法半导体(图尔)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(图尔)公司授权不得商用。

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