薄膜晶体管结构、GOA电路及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管结构、GOA电路及显示装置。所述薄膜晶体管结构通过图案化有源层来定义多个薄膜晶体管。因此，当多个薄膜晶体管中之一者的栅极绝缘层中发生缺陷并且形成漏电路径时，不会影响到其他的薄膜晶体管，故可避免全部的薄膜晶体管结构的功能失效的问题。

Thin film transistor structure, Goa circuit and display device

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管结构、GOA电路及显示装置
本专利技术是有关于一种显示器领域，特别是有关于一种薄膜晶体管结构、GOA电路及显示装置。
技术介绍
越来越多的现有液晶显示器(LCD)在采用GOA(GateDriveronArray)，即在阵列基板上直接制造薄膜晶体管(TFT)，从而省去集成电路(IC)的绑定(bonding)区和扇出(fan-out)区所占用的空间，可降低材料和准备过程的成本，并缩小了面板的栅线两侧的边框。在GOA电路中需要具有大沟道宽度的多个TFT，沟道宽度通常在500至10000微米之间。在这种情况下，当在栅极绝缘层中发生缺陷并且形成漏电路径时，TFT的功能就会失效，并导致不能操作所述GOA电路。故，有必要提供一种封装构造，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种薄膜晶体管结构、GOA电路及显示装置，以解决当在栅极绝缘层中发生缺陷并且形成漏电路径时，薄膜晶体管结构(TFT)的功能就会失效，并导致不能操作所述GOA电路的问题。本专利技术的一目的在于提供一种薄膜晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于：所述薄膜晶体管结构包含：/n一栅极层，包含多个栅极图案；/n一栅极绝缘层，覆盖所述栅极层；/n一有源层，设于所述栅极绝缘层上，所述有源层包含多个有源图案，所述多个有源图案的位置分别对齐所述多个栅极图案的位置；/n一梳状源极，设于所述有源层上且包含多个源极梳齿部及一源极梳柄部，其中所述多个源极梳齿部连接所述源极梳柄部；及/n一梳状漏极，设于所述有源层上且包含多个漏极梳齿部及一漏极梳柄部，其中所述多个漏极梳齿部连接所述漏极梳柄部，其中所述多个源极梳齿部与所述多个漏极梳齿部沿一方向交错排列于所述有源层上，所述多个有源图案上各设有所述多个源极梳齿部中的一者以及所述多...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于：所述薄膜晶体管结构包含：
一栅极层，包含多个栅极图案；
一栅极绝缘层，覆盖所述栅极层；
一有源层，设于所述栅极绝缘层上，所述有源层包含多个有源图案，所述多个有源图案的位置分别对齐所述多个栅极图案的位置；
一梳状源极，设于所述有源层上且包含多个源极梳齿部及一源极梳柄部，其中所述多个源极梳齿部连接所述源极梳柄部；及
一梳状漏极，设于所述有源层上且包含多个漏极梳齿部及一漏极梳柄部，其中所述多个漏极梳齿部连接所述漏极梳柄部，其中所述多个源极梳齿部与所述多个漏极梳齿部沿一方向交错排列于所述有源层上，所述多个有源图案上各设有所述多个源极梳齿部中的一者以及所述多个漏极梳齿部的一者。


2.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于：所述多个源极梳齿部相互平行。


3.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于：所述多个漏极梳齿部相互平行。


4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恭檀，徐铉植，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44