【技术实现步骤摘要】
C形有源区半导体器件及其制造方法及包括其的电子设备
本公开涉及半导体领域,更具体地,涉及具有C形有源区的半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。
技术介绍
随着半导体器件的不断小型化,提出了各种结构的器件例如鳍式场效应晶体管(FinFET)、多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)等。但是,这些器件在增加集成密度和增强器件性能方面由于器件结构的限制改进的空间仍然不能满足要求。
技术实现思路
有鉴于此,本公开的目的至少部分地在于提供一种具有C形有源区的半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据本公开的一个方面,提供了一种半导体器件,包括:衬底上竖直延伸的沟道部;相对于衬底处于沟道部的上下两端且沿着沟道部的源/漏部,其中,源/漏部在相对于衬底的横向方向上向着沟道部的一侧延伸,从而源/漏部和沟道部构成C形结构;以及在所述C形结构的内侧壁上与沟道部相交迭的栅堆叠,其中,栅堆叠具有被所述C形结构围绕的部分。根据本公开的另一方面,提供了一种在衬底上设置第一材料层、第二材料层和第三材料层的堆叠;将所述堆叠构图为沿第一方向延伸的条形;在构图为条形的所述堆叠的侧壁上形成第一有源层;在构图为条形的所述堆叠中形成按第一方向延伸的条形开口,从而将所述堆叠分为开口相对两侧的两部分;通过开口,将第二材料层替换为假栅;在第一材料层和第三材料层中形成源/漏部;通过开口,去除假栅;以及形成栅堆叠,所述栅堆叠具有嵌入到由于假栅的去除而留下的空间中的部分。根据本公开的另一方面,提供了一 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,包括:/n衬底上竖直延伸的沟道部;/n相对于衬底处于沟道部的上下两端且沿着沟道部的源/漏部,其中,源/漏部在相对于衬底的横向方向上向着沟道部的一侧延伸,从而源/漏部和沟道部构成C形结构;以及/n在所述C形结构的内侧壁上与沟道部相交迭的栅堆叠,其中,栅堆叠具有被所述C形结构围绕的部分。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,包括:
衬底上竖直延伸的沟道部;
相对于衬底处于沟道部的上下两端且沿着沟道部的源/漏部,其中,源/漏部在相对于衬底的横向方向上向着沟道部的一侧延伸,从而源/漏部和沟道部构成C形结构;以及
在所述C形结构的内侧壁上与沟道部相交迭的栅堆叠,其中,栅堆叠具有被所述C形结构围绕的部分。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,上端的源/漏部与沟道部之间的掺杂界面与栅堆叠的所述部分的上表面之间的距离实质上等于下端的源漏部与沟道部之间的掺杂界面与栅堆叠的所述部分的下表面之间的距离。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述距离为2nm-10nm。
4.根据权利要求1或2所述的半导体器件,其中,源/漏部的掺杂轮廓具有与栅堆叠交迭的端部。
5.根据权利要求1或2所述的半导体器件,其中,沟道部及其上下两端的源/漏部在衬底上沿着第一方向延伸,且在第一方向上介于隔离层之间。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,在第一方向上,栅堆叠中的栅导体包括被所述C形结构围绕的第一部分以及从第一部分横向延伸到所述隔离层中的第二部分。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述第二部分相对于所述第一部分增大。
8.根据权利要求1或2所述的半导体器件,其中,源/漏部在截面图中具有朝向所述C形结构的内侧渐缩的形状。
9.根据权利要求1或2所述的半导体器件,其中,沟道部形成在第一半导体层中,第一半导体层竖直延伸至源/漏部从而上下两端的端部分别构成相应源/漏部的一部分,源/漏部还包括第一半导体层上下两端的端部上的第二半导体层和第三半导体层。
10.根据权利要求9所述的半导体器件,其中,第二半导体层和第三半导体层包括与第一半导体层不同的材料。
11.根据权利要求9所述的半导体器件,其中,第三半导体层是衬底的一部分。
12.根据权利要求9所述的半导体器件,其中,第一半导体层包括构成所述C形结构的至少一部分外侧壁的第一部分以及从第一部分沿远离所述C形结构的外侧壁的方向横向延伸的第二部分。
13.根据权利要求1或2所述的半导体器件,其中,所述C形结构的外侧壁实质上是平坦的。
14.根据权利要求1或2所述的半导体器件,其中,沟道部和源/漏部包括单晶半导体材料。
15.根据权利要求1或2所述的半导体器件,还包括:上端的源/漏部上的接触部,其中,接触部具有与所述C形结构的外侧壁实质上共面的侧壁。
16.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件,其中,衬底上存在多个所述半导体器件,其中至少一对半导体器件的所述C形结构彼此相对。
17.根据权利要求16所述的半导体器件,其中,所述一对半导体器件各自的上端源/漏部实质上共面,各自的栅堆叠实质上共面,各自的下端源/漏部实质上共面。
18.根据权利要求16所述的半导体器件,其中,所述一对半导体器件中的第一半导体器件包括的栅堆叠中的栅导体包括被相应的C形结构围绕的第一部分以及从第一部分沿着与沟道部的纵向延伸方向平行的第一方向横向延伸的第二部分,所述一对半导体器件中的第二半导体器件包括的栅堆叠中的栅导体包括被相应的C形结构围绕的第三部分以及从第三部分沿着与沟道部的纵向延伸方向平行且与第一方向相反的第二方向横向延伸的第四部分。
19.一种制造半导体器件的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱慧珑,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。