【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件及其制造方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种LDMOS器件及其制造方法。
技术介绍
BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺技术在同一芯片上集成了具有精确模拟功能的双极型(Bipolar)器件、数字设计的CMOS器件和LDMOS器件等不同器件。对于横向扩散金属氧化物半导体(Laterally-DiffusedMetal-OxideSemiconductor，LDMOS)器件，其导通电阻是一个重要指标，BCD工艺中，LDMOS器件虽然和CMOS器件集成在同一芯片中，但是由于器件的高击穿电压BV(BreakdownVoltage)和低特征导通电阻Rsp(Specificon-Resistance)之间存在矛盾关系，需要在两者之间进行折中，从而往往无法满足开关管应用的要求。相关技术为了获得高击穿电压BV、低特征导通电阻Rsp，通常需要增加额外的掩模版来实现，但是此种手段增加了工艺平台的制造成本。因此如何在避免增加额外的掩模版的同时形成高击穿电压BV、低特征导通电阻Rsp的L...
【技术保护点】
1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述LDMOS器件的制造方法至少包括以下步骤：/n提供第一导电类型衬底；/n在所述第一导电类型衬底上外延生长形成第一导电类型外延层；/n在所述第一导电类型外延层上，通过第一次热氧化形成垫层氧化层；/n在所述垫层氧化层上沉积形成氮化硅介质层；/n在所述氮化硅介质层上进行光刻，打开需要形成超浅沟槽区域的光刻胶，形成刻蚀窗口；/n刻蚀去除所述刻蚀窗口位置处的氮化硅介质层；/n去除光刻胶，以剩余的氮化硅介质层为硬质掩模层进行刻蚀；在未被所述氮化硅介质层覆盖的所述第一导电类型外延层中，形成超浅沟槽；/n通过第二次热氧化，在所述超浅沟槽的表...
【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述LDMOS器件的制造方法至少包括以下步骤：
提供第一导电类型衬底；
在所述第一导电类型衬底上外延生长形成第一导电类型外延层；
在所述第一导电类型外延层上，通过第一次热氧化形成垫层氧化层；
在所述垫层氧化层上沉积形成氮化硅介质层；
在所述氮化硅介质层上进行光刻，打开需要形成超浅沟槽区域的光刻胶，形成刻蚀窗口；
刻蚀去除所述刻蚀窗口位置处的氮化硅介质层；
去除光刻胶，以剩余的氮化硅介质层为硬质掩模层进行刻蚀；在未被所述氮化硅介质层覆盖的所述第一导电类型外延层中，形成超浅沟槽；
通过第二次热氧化，在所述超浅沟槽的表面形成注入氧化层；
以剩余的氮化硅介质层为硬质掩模层进行漂移区注入，形成未经热扩散的漂移区；
通过第三次热氧化，在所述注入氧化层上形成第一衬垫氧化层，使得所述漂移区发生第一次热扩散；
通过光刻刻蚀工艺，在位于所述漂移区一侧的所述第一导电类型外延层中形成隔离沟槽；
通过第四次热氧化，在所述隔离沟槽的表面形成第二衬垫氧化层，使得所述漂移区进发生第二次热扩散；
沉积形成氧化硅层，使得所述氧化硅层覆盖在剩余的氮化硅介质层上，并填充在所述超浅沟槽和所述隔离沟槽中；
制作LDMOS管的栅极结构；
在所述栅极结构的两侧形成LDMOS管的源极和漏极。
2.如权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述步骤：制作LDMOS管的栅极结构；包括：
以所述氮化硅介质层为停止层进行化学机械研磨；
进行第一导电类型杂质注入，在位于所述漂移区另一侧的第一导电类型外延层中形成第一导电类型区；
在所述第一导电类型外延层上制作栅极结构；所述栅极结构的一侧延伸至位于所述超浅沟槽位置处的氧化硅层上，另一侧延伸至所述第一导电类型区上。
3.如权利要求2所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤：以所述氮化硅介质层为停止层进行化学机械研磨之后，在所述步骤：制作栅极结构之前，还进行：
第一导电类型离子注入，在所述第一导电类型外延层的中形成降低表面电场结构。
4.如权利要求2所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述步骤：在所述栅极结构的两侧形成LDMOS管的源极和漏极，包括：
在所述超浅沟槽远离所述栅极结构的一侧，形成第二导电类型重掺杂区；
在所述第一导电类型区中形成第一导电类型重掺杂区。
5.如权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述步骤：以剩余的氮化硅介质层为硬质掩模层进行漂移区注入，形成未经热扩散的漂移区，包括：
以剩余的氮化硅介质层为硬质掩模层，进行能量为30KeV～150KeV的漂移区注入，形成未经热扩散的漂移区。
6.如权利要求1所述的L...
【专利技术属性】
技术研发人员：许昭昭，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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