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本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种LDMOS器件及其制造方法。其中方法包括：在第一导电类型外延层上，通过热氧化形成垫层氧化层；在垫层氧化层上沉积形成氮化硅介质层；打开需要形成超浅沟槽区域的光刻胶，形成刻蚀窗口；刻蚀去除刻蚀窗口位置处...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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