存储器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种存储器的制造方法，包括：提供一衬底，存储区域的衬底上形成有栅氧化层、第一结构层以及字线；外围区域的衬底上形成有栅氧化层、第二结构层以及第一氧化硅层，所述第一结构层中形成有沟槽；依次形成第一氮化硅层、第二氮化硅层和第二氧化硅层；刻蚀所述外围区域的第二氧化硅层、第二氮化硅层、第一氮化硅层以及第一氧化硅层；湿法清洗所述第二结构层表面。在形成所述沟槽以及所述第一氧化硅层之后不立即去除外围区域的第一氧化硅层，而是继续沉积第一氮化硅层、第二氮化硅层和第二氧化硅层，并且在形成所述第二氧化硅层之后去除所述第一氧化硅层，这样不但去除了所述第一氧化硅层，而且可以避免损坏所述沟槽形貌的情况。

【技术实现步骤摘要】
存储器的制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种存储器的制造方法。
技术介绍
参考图1，图1为现有技术的快闪存储器示意图，在快闪存储器的制造工艺中，所述快闪存储器通常具有存储区域Ⅰ和外围区域Ⅱ，所述存储区域Ⅰ的衬底100上形成有栅氧化层110、位于所述栅氧化层110上的第一结构层10以及位于所述第一结构层120中的字线200；所述外围区域Ⅱ的衬底110上形成有堆叠的栅氧化层110、第二结构层20以及第一氧化硅层320。在存储区域中，形成字线200之后，通常还需要通过刻蚀工艺打开所述字线200侧的第一结构层120(控制栅层140、ONO层130和浮栅层120等等)以形成沟槽181，为后续在存储区域Ⅰ形成接触孔做准备。参考图2，图2为现有技术中存在沟槽形貌缺陷的快闪存储器示意图，目前在快闪存储器的制造方法中，在通过刻蚀工艺打开所述字线200侧的第一结构层120之后，接下来会利用HF湿法清洗去除外围区域Ⅱ的所述第一氧化硅层320，如图2所示，但是此时存储区域Ⅰ的沟槽181没有任何掩膜保护，所以在湿法清洗去除外围区域Ⅱ的所述第一氧化硅层320之后，存储区域Ⅰ的沟槽181出现碗口状的形貌缺陷，导致后续形成的接触孔发生短路的问题或者失效的问题，从而影响快闪存储器性能，提高了快闪存储器的不良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种存储器的制造方法，以解决存储区域的沟槽形貌缺陷的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种存储器的制造方法，所述存储器具有存储区域和外围区域，所述存储器的制造方法包括：提供一衬底，所述存储区域的衬底上形成有栅氧化层、位于所述栅氧化层上的第一结构层以及位于所述第一结构层中的字线；所述外围区域的衬底上形成有堆叠的栅氧化层、第二结构层以及第一氧化硅层，其中，靠近所述外围区域的所述存储区域的所述第一结构层中形成有沟槽；形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述存储区域的所述字线和所述外围区域的所述第一氧化硅层并且填充所述沟槽；依次形成第二氮化硅层和第二氧化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述第一氮化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述第二氮化硅层；刻蚀所述外围区域的所述第二氧化硅层、第二氮化硅层、第一氮化硅层以及第一氧化硅层；湿法清洗所述第二结构层表面以清除残余的所述第一氧化硅层。可选的，在所述存储器的制造方法中，所述第一结构层包括：依次堆叠的浮栅层、ONO介质层、控制栅层及第三氮化硅层。可选的，在所述存储器的制造方法中，所述第一结构层还包括位于所述栅氧化层上且位于所述浮栅层中的第三氧化硅层，所述沟槽位于依次堆叠的所述第三氧化硅层、ONO介质层以及控制栅层中。可选的，在所述存储器的制造方法中，所述第二结构层包括：依次堆叠的浮栅层以及第四氮化硅层。可选的，在所述存储器的制造方法中，在湿法清洗所述第二结构层表面以清除残余的所述第一氧化硅层之后，所述存储器的制造方法还包括：利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述第四氮化硅层。可选的，在所述存储器的制造方法中，利用浓度为0.1％～0.5％的氢氟酸溶液湿法清洗所述第二结构层表面以清除残余的所述第一氧化硅层。可选的，在所述存储器的制造方法中，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述外围区域的所述第二氧化硅层、第二氮化硅层、第一氮化硅层以及第一氧化硅层。可选的，在所述存储器的制造方法中，利用湿法刻蚀工艺刻蚀部分厚度的所述第二结构层。可选的，在所述存储器的制造方法中，所述存储区域中，所述字线和所述第一结构层之间还形成有侧墙结构和隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖所述侧墙结构和所述栅氧化层。可选的，在所述存储器的制造方法中，所述第一氧化硅层的厚度介于所述第一氮化硅的厚度介于所述第二氮化硅的厚度介于所述第二氧化硅层的厚度介于综上，本专利技术提供一种存储器的制造方法，包括：提供一衬底，所述存储区域的衬底上形成有栅氧化层、第一结构层以及字线；所述外围区域的衬底上形成有堆叠的栅氧化层、第二结构层以及第一氧化硅层，其中，靠近所述外围区域的所述存储区域的所述第一结构层中形成有沟槽；在所述字线上、所述沟槽中以及所述第一氧化硅层上形成第一氮化硅层；依次形成第二氮化硅层和第二氧化硅层；刻蚀所述外围区域的所述第二氧化硅层、第二氮化硅层、第一氮化硅层以及第一氧化硅层；湿法清洗所述第二结构层表面以清除残余的所述第一氧化硅层。本专利技术中，在形成所述沟槽以及所述第一氧化硅层之后不立即执行去除外围区域的所述第一氧化硅层的步骤，而是继续沉积第一氮化硅层、第二氮化硅层和第二氧化硅层，并且在形成所述第二氧化硅层之后，通过刻蚀以及湿法清洗去除所述第一氧化硅层，这样不但去除所述第一氧化硅层，而且可以避免损坏所述沟槽形貌的情况，保护了所述沟槽形貌，从而避免了后续形成的接触孔发生短路或者失效的情况，从而优化了存储器性能，提高了存储器的良率。附图说明图1为现有技术的快闪存储器示意图；图2为现有技术中存在沟槽形貌缺陷的快闪存储器示意图；图3为本专利技术实施例的存储器的制造方法流程图；图4-图7为本专利技术实施例的制造存储器时各步骤的半导体结构示意图；其中，附图标记说明如下：Ⅰ-存储区域；Ⅱ-外围区域；100-衬底，101-浅沟槽隔离结构，110-栅氧化层，120-浮栅层，130-ONO介质层，140-控制栅层，150-第三氮化硅层，161-氧化硅层，162-氮化硅层，170-隧穿氧化层，180-第三氧化硅层，181-沟槽，310-第四氮化硅层，320-第一氧化硅层，330-第一氮化硅层，340-第二氮化硅层，350-第二氧化硅层。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的存储器的制造方法作进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。本专利技术提供一种存储器的制造方法，参考图3，图3为本专利技术实施例的存储器的制造方法流程图，所述存储器具有存储区域Ⅰ和外围区域Ⅱ，所述存储区域Ⅰ和所述外围区域Ⅱ相连，所述存储器的制造方法包括：S10：提供一衬底，所述存储区域的衬底上形成有栅氧化层、位于所述栅氧化层上的第一结构层以及位于所述第一结构层中的字线；所述外围区域的衬底上形成有堆叠的栅氧化层、第二结构层以及第一氧化硅层，其中，靠近所述外围区域的所述存储区域的所述第一结构层中形成有沟槽；S20：形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述存储区域的所述字线和所述外围区域的所述第一氧化硅层并且填充所述沟槽；S30：依次形成第二氮化硅层和第二氧化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述第一氮化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述第二氮化硅层；S40：刻蚀所述外围区域的所述第二氧化硅层、第二氮化硅层、第一氮化硅层以及第一氧化硅层；<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器的制造方法，所述存储器具有存储区域和外围区域，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：/n提供一衬底，所述存储区域的衬底上形成有栅氧化层、位于所述栅氧化层上的第一结构层以及位于所述第一结构层中的字线；所述外围区域的衬底上形成有堆叠的栅氧化层、第二结构层以及第一氧化硅层，其中，靠近所述外围区域的所述存储区域的所述第一结构层中形成有沟槽；/n形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述存储区域的所述字线和所述外围区域的所述第一氧化硅层并且填充所述沟槽；/n依次形成第二氮化硅层和第二氧化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述第一氮化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述第二氮化硅层；/n刻蚀所述外围区域的所述第二氧化硅层、第二氮化硅层、第一氮化硅层以及第一氧化硅层；/n湿法清洗所述第二结构层表面以清除残余的所述第一氧化硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器的制造方法，所述存储器具有存储区域和外围区域，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：
提供一衬底，所述存储区域的衬底上形成有栅氧化层、位于所述栅氧化层上的第一结构层以及位于所述第一结构层中的字线；所述外围区域的衬底上形成有堆叠的栅氧化层、第二结构层以及第一氧化硅层，其中，靠近所述外围区域的所述存储区域的所述第一结构层中形成有沟槽；
形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述存储区域的所述字线和所述外围区域的所述第一氧化硅层并且填充所述沟槽；
依次形成第二氮化硅层和第二氧化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述第一氮化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述第二氮化硅层；
刻蚀所述外围区域的所述第二氧化硅层、第二氮化硅层、第一氮化硅层以及第一氧化硅层；
湿法清洗所述第二结构层表面以清除残余的所述第一氧化硅层。


2.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述第一结构层包括：依次堆叠的浮栅层、ONO介质层、控制栅层及第三氮化硅层。


3.根据权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述第一结构层还包括位于所述栅氧化层上且位于所述浮栅层中的第三氧化硅层，所述沟槽位于依次堆叠的所述第三氧化硅层、ONO介质层以及控制栅层中。


4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张怡，刘宪周，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31