【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在非易失性存储器中存储多位数据的系统和方法相关专利申请本申请要求2017年11月3日提交的美国临时申请号62/581,489和2018年10月1日提交的美国专利申请号16/148,304的权益。
本专利技术涉及非易失性存储器设备，并且更具体地涉及增大可存储在该非易失性存储器设备中的位的数量。
技术介绍
非易失性存储器器件在本领域中是公知的。例如，分裂栅存储器单元公开于美国专利5,029,130中。该存储器单元具有浮栅和控制栅，该控制栅设置在衬底的沟道区上方并且控制该沟道区的导电性，该沟道区在源极区和漏极区之间延伸。将各种组合的电压施加到控制栅极、源极和漏极，以编程存储器单元(通过将电子注入到浮栅中)、擦除存储器单元(通过从浮栅移除电子)以及读取存储器单元(通过测量或检测沟道区的电导率以确定浮栅的编程状态)。非易失性存储器单元中的栅极的配置和数量可以变化。例如，美国专利7,315,056公开了附加包括在源极区上方的编程/擦除栅极的存储器单元。美国专利7,868,375公开了一种存储器单元，该存储器单...
【技术保护点】
1.一种读取具有多个存储器单元的存储器设备的方法，所述方法包括：/n读取所述多个存储器单元中的第一存储器单元以生成第一读取电流；/n读取所述多个存储器单元中的第二存储器单元以生成第二读取电流；/n将第一偏移值施加到所述第二读取电流；以及然后/n将所述第一读取电流和所述第二读取电流组合以形成第三读取电流；以及然后/n使用所述第三读取电流确定程序状态。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171103 US 62/581,489;20181001 US 16/148,3041.一种读取具有多个存储器单元的存储器设备的方法，所述方法包括：
读取所述多个存储器单元中的第一存储器单元以生成第一读取电流；
读取所述多个存储器单元中的第二存储器单元以生成第二读取电流；
将第一偏移值施加到所述第二读取电流；以及然后
将所述第一读取电流和所述第二读取电流组合以形成第三读取电流；以及然后
使用所述第三读取电流确定程序状态。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述组合包括将所述第一读取电流和所述第二读取电流一起添加。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
读取所述多个存储器单元中的第三存储器单元以生成第四读取电流；
将第二偏移值施加到所述第四读取电流；
其中所述组合包括将所述第一读取电流、所述第二读取电流和所述第四读取电流组合以形成所述第三读取电流。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二偏移值不同于所述第一偏移值。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述组合包括将所述第一读取电流、所述第二读取电流和所述第四读取电流一起添加。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个存储器单元被布置成所述存储器单元的行和列的阵列，其中所述列中的每个列包括在其中连接到所述存储器单元的位线，其中第一存储器单元被设置在所述列的第一列中，并且其中所述第二存储器单元被设置在所述列的不同于所述列的所述第一列的第二列中。
7.一种读取具有多个存储器单元的存储器设备的方法，所述方法包括：
读取所述多个存储器单元中的第一存储器单元以生成第一读取电流；
读取所述多个存储器单元中的第二存储器单元以生成第二读取电流；
根据所述第一读取电流生成第一电压；
根据所述第二读取电流生成第二电压；
将第一偏移值施加到所述第二电压；以及然后
将所述第一电压和所述第二电压组合以形成第三电压；以及然后
使用所述第三电压确定程序状态。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述组合包括将所述第一电压和所述第二电压一起添加。
9.根据权利要求7所述的方法，还包括：
读取所述多个存储器单元中的第三存储器单元以生成第三读取电流；
根据所述第三读取电流生成第四电压；
将第二偏移值施加到所述第四电压；
其中所述组合包括将所述第一电压、所述第二电压和所述第四电压组合以形成所述第三电压。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二偏移值不同于所述第一偏移值。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述组合包括将所述第一电压、所述第二电压和所述第四电压一起添加。
12.根据权利要求7所述的方法，其中所述多个存储器单元被布置成所述存储器单元的行和列的阵列，其中所述列中的每个列包括在其中连接到所述存储器单元的位线，其中第一存储器单元被设置在所述列的第一列中，并且其中所述第二存储器单元被设置在所述列的不同于所述列的所述第一列的第二列中。
13.一种存储器设备，包括：
半导体衬底；
多个存储器单元，所述多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·蒂瓦里，N·多，H·V·特兰，
申请(专利权)人：硅存储技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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