【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2018年12月18日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0164029号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件，例如，一种扇出型半导体封装件。
技术介绍
近年来，与半导体芯片相关的技术发展的主要趋势之一是减小组件的尺寸。因此，在封装领域中，根据对小型半导体芯片等的需求的激增，有必要在具有小尺寸的同时实现大量引脚。为了满足这种需求而提出的一种半导体封装技术为扇出型半导体封装。扇出型半导体封装可将电连接结构重新分布到设置有半导体芯片的区域之外，从而在能够实现大量引脚的同时保持小尺寸。另外，在用在印刷电路板制造工艺中的真空层压方法中，由于绝缘层可通过真空层压方法转印到基板以形成绝缘层，因此可有效地应对厚度随位置的偏差。然而，由于膜切割工艺期间产生的异物而可能存在缺陷，并且由于绝缘层的不充分填充导致而可能存在出现空隙的高的可能性。具体地，由于这种膜型绝缘层通常可以是非感光绝缘层，因此对重新分布层和连接过孔的精细节距可能存...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：/n半导体芯片，具有连接垫；/n包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及/n连接结构，设置在所述半导体芯片上和所述包封剂上，/n其中，所述连接结构包括：第一绝缘层；第一重新分布层，设置在所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层，/n所述第一重新分布层具有一个或更多个开口，/n所述开口分别具有包括多个突起的形状，并且/nB/A为1.5或更小，其中，A表示所述第一重新分布层的厚度，并且B表示所述第二绝缘层的覆盖所述第一重新分布层的区域的厚度。/n
【技术特征摘要】
20181218 KR 10-2018-01640291.一种半导体封装件，包括：
半导体芯片，具有连接垫；
包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及
连接结构，设置在所述半导体芯片上和所述包封剂上，
其中，所述连接结构包括：第一绝缘层；第一重新分布层，设置在所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层，
所述第一重新分布层具有一个或更多个开口，
所述开口分别具有包括多个突起的形状，并且
B/A为1.5或更小，其中，A表示所述第一重新分布层的厚度，并且B表示所述第二绝缘层的覆盖所述第一重新分布层的区域的厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述B/A为0.5或更大。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一重新分布层的厚度为10μm或更小。
4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第一重新分布层的厚度为1μm或更大。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述开口具有十字形形状。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二绝缘层填充所述开口中的每个的至少一部分。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为感光绝缘层。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，
其中，所述连接构件还包括设置在所述第二绝缘层上的第二重新分布层，并且
其中，所述第二重新分布层包括一个或更多个布线图案，其中，所述一个或更多个布线图案的至少一部分在平面图中分别与所述开口重叠。
9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述布线图案的宽度各自为10μm或更小。
10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述布线图案的宽度各自为1μm或更大。
11.根据权利要求8所述的半导体封装件，
其中，在平面图中，所述第二重新分布层包括：
第一布线图案，具有分别与所述开口的中心以及所述多个突起中的至少两个突起的端部重叠的至少部分；
第二布线图案，设置在所述第一布线图案的一侧上，并且具有与所述多个突起中的一个突起的端部重叠的至少一部分；以及
第三布线图案，设置在所述第一布线图案的另一侧上，并且具有与所述多个突起中的另一突起的端部重叠的至少一部分。
12.根据权利要求8所述的半导体封装件，
其中，在平面图中，所述第二重新分布层包括：
第一布线图案，与所述开口的中心重叠并且与所述多个突起的端部间隔开；
第二布线图案，设置在所述第一布线图案的一侧上，并且具有分别与所述多个突起中的两个突起的端部重叠的至少部分；以及
第三布线图案，设置在所述第一布线图案的另一侧上，并且具有分别与所述多个突起中的另外两个突起的端部重叠的至少部分。
13.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括具有通孔的框架，
其中，所述半导体芯片设置在所述通孔中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔大渊，郑载穆，金恩珍，权柒佑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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