一种低寄生参数的高性能EMI滤波器制造技术

技术编号:24643740 阅读:55 留言:0更新日期:2020-06-24 17:16
一种低寄生参数的高性能EMI滤波器,其壳体内底面上设有印制板,且印制板连接有两个输入引脚和三个输出引脚;所述印制板上设有由两个共模电感L1、L2,四个共模电容C4、C5、C6、C7,三个差模电容C1、C2、C3组成的两级式拓扑滤波电路;前级共模电感L1为双线双层绕制,后级共模电感L2为单线单层绕制;四个共模电容C4、C5、C6、C7均为三端引出电容器,三个差模电容C1、C2、C3均为四端引出电容器。本实用新型专利技术滤波电路采用两级式拓扑,滤波效果更好;前级共模电感采用双线双层绕制,低频滤波效果显著;后级共模电感采用单线单层绕制,高频滤波效果显著;且通过改变电容的出线方式,减小了寄生参数对整体滤波效果的影响。

A high performance EMI filter with low parasitic parameters

【技术实现步骤摘要】
一种低寄生参数的高性能EMI滤波器
本技术属于电子滤波器
,具体涉及一种低寄生参数的高性能EMI滤波器。
技术介绍
EMI滤波器是抑制开关电源传导和辐射电磁干扰的有效手段之一。随着功率变换器工作频率和功率密度的不断提高,使得各类电子设备向着小型化、集成化、高频化发展,这对EMI滤波器的体积和性能提出了更高的要求。已有国产EMI滤波器以同等体积下最大电容、最大电感为目标设计,忽略了电感、电容及走线寄生参数的影响,整体性能不佳,往往在整机电磁兼容测试时需要进行多次整改,甚至需要外加滤波器件来达到测试要求。所以,在同等体积的情况下如何提高EMI滤波器的电磁兼容性能是现在国产滤波器的研究方向。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种低寄生参数的高性能EMI滤波器,以克服现有技术的不足。本技术的技术解决方案:一种低寄生参数的高性能EMI滤波器,包括壳体和密封固定在壳体上端口的盖板,所述壳体内底面上设有印制板,且印制板连接有两个输入引脚和三个输出引脚;所述印制板上设有由两个共模电感L1、L2,四个共模电容C4、C5、C6、C7,三个差模电容C1、C2、C3组成的两级式拓扑滤波电路;所述前级共模电感L1为双线双层绕制,后级共模电感L2为单线单层绕制;所述四个共模电容C4、C5、C6、C7均为三端引出电容器,所述三个差模电容C1、C2、C3均为四端引出电容器。所述壳体内底面与印制板之间设有绝缘矽胶布,且壳体内灌注有硅橡胶,将绝缘矽胶布和印制板固封。本技术具有以下优点和效果:1、本技术滤波电路采用两级式拓扑,滤波效果更好;2、本技术前级共模电感采用双线双层绕制,电感量大但寄生电容大,低频滤波效果显著;后级共模电感采用单线单层绕制,电感量小但寄生电容小,高频滤波效果显著,两者互补,适用面更广;3、本技术通过改变电容的出线方式,由两端引出电容器变为三端、四端引出电容器,减小了寄生参数对整体滤波效果的影响。4、本技术采用高导热绝缘矽胶布及高导热硅橡胶,整体散热性能显著,工作温度范围可达-55℃~125℃。附图说明图1为本技术的内部结构示意图,图2为本技术的电路原理图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细说明。一种低寄生参数的高性能EMI滤波器,包括壳体1和密封固定在壳体1上端口的盖板2;所述壳体1内底面上设有印制板4,且印制板4连接有两个输入引脚6和三个输出引脚7;所述印制板4上设有由两个共模电感L1、L2,四个共模电容C4、C5、C6、C7,三个差模电容C1、C2、C3组成的两级式拓扑滤波电路;所述前级共模电感L1为双线双层绕制,后级共模电感L2为单线单层绕制;所述四个共模电容C4、C5、C6、C7均为三端引出电容器,所述三个差模电容C1、C2、C3均为四端引出电容器。所述共模电容C6输入端接输入正端Vin+,共模电容C7输入端接输入负端Vin-,共模电容C6接地端和共模电容C7接地端接地,共模电容C6输岀端与共模电容C7输出端分别连接差模电容C1的两个输入端,差模电容C1的两个输出端连接共模电感L1,通过共模电感L1连接差模电容C2的两个输入端,差模电容C2的两个输出端连接共模电感L2,通过共模电感L2连接差模电容C3的两个输入端,差模电容C3的两个输出端分别连接共模电容C4输入端和共模电容C5输入端,共模电容C4接地端和共模电容C5接地端接地,共模电容C4输出端连接输出正端Vout+,共模电容C5输出端连接输出负端Vout-。所述壳体1内底面与印制板4之间设有绝缘矽胶布3,且壳体1内灌注有硅橡胶5,将绝缘矽胶布3和印制板4固封。本技术共模电感L1为双线双层绕制,以最大电感量为设计目标,提高低频共模滤波效果;共模电感L2为单线单层绕制,以最小寄生电容为设计目标,提高高频共模滤波效果,两者互补,整体滤波效果提升。此外,两端引出的电容器由于其引线电感的影响,导致对高频信号的滤波效果不佳;本技术通过改变电容的出线方式,由两端引出电容器变为三端、四端引出电容器,消除了引线电感带来的寄生参数的影响,高频信号的滤波效果更好。本技术矽胶布贴于壳体底部,在支撑印制板保证绝缘的同时,对印制板到壳体之间起到了良好的导热作用;采用高导热硅橡胶对壳体内部整体进行灌注,保证了共模电感等发热器件的散热。盖板与壳体之间采用平行缝焊方式焊接,密封性和耐腐蚀性大大加强。本技术使用于28V直流系统中,电流等级3A,在电源和负载阻抗均为50Ω的测试条件下,其差模插入损耗在10kHz~100MHz频率范围内大于50dB,最高可达98dB;共模插入损耗在500kHz~100MHz频率范围内大于30dB,最高可达73dB。其插入损耗指标比同等体积下其它EMI滤波器整体高20%。工作温度范围为-55℃~+125℃。上述实施例,只是本技术的较佳实施例,并非用来限制本技术的实施范围,故凡以本技术权利要求所述内容所做的等同变化,均应包括在本技术权利要求范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低寄生参数的高性能EMI滤波器,包括壳体(1)和密封固定在壳体(1)上端口的盖板(2),其特征是:所述壳体(1)内底面上设有印制板(4),且印制板(4)连接有两个输人引脚(6)和三个输出引脚(7);所述印制板(4)上设有由两个共模电感L1、L2,四个共模电容C4、C5、C6、C7,三个差模电容C1、C2、C3组成的两级式拓扑滤波电路;所述共摸电感L1为双线双层绕制,所述共模电感L2为单线单层绕制:所述四个共模电容C4、C5、C6、C7均为三端引出电容器,所述三个差模电容C1、C2、C3均为四端引出电容器;所述共模电容C6输入端接输入正端Vin+,共模电容C7输入端接输入负端Vin-,共模电容C6接地端和共模电容C7接地端接地,共模电容C6输岀端与共模电容C7输出端分别连接差模电容C1的两个输入端,差模电容C1的两个输出端连接共模电感L1,通过共模电感L1连接差模电容C2的两个输入端,差模电容C2的两个输出端连接共模电感L2,通过共模电感L2连接差模电容C3的两个输入端,差模电容C3的两个输出端分别连接共模电容C4输入端和共模电容C5输入端,共模电容C4接地端和共模电容C5接地端接地,共模电容C4输出端连接输出正端Vout+,共模电容C5输出端连接输出负端Vout-;所述壳体(1)内底面与印制板(4)之间设有绝缘矽胶布(3),且壳体(1)内灌注有硅橡胶(5),将绝缘矽胶布(3)和印制板(4)固封。/n...

【技术特征摘要】
1.一种低寄生参数的高性能EMI滤波器,包括壳体(1)和密封固定在壳体(1)上端口的盖板(2),其特征是:所述壳体(1)内底面上设有印制板(4),且印制板(4)连接有两个输人引脚(6)和三个输出引脚(7);所述印制板(4)上设有由两个共模电感L1、L2,四个共模电容C4、C5、C6、C7,三个差模电容C1、C2、C3组成的两级式拓扑滤波电路;所述共摸电感L1为双线双层绕制,所述共模电感L2为单线单层绕制:所述四个共模电容C4、C5、C6、C7均为三端引出电容器,所述三个差模电容C1、C2、C3均为四端引出电容器;所述共模电容C6输入端接输入正端Vin+,共模电容C7输入端接输入负端Vin-,共模电容C6...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄晓彬王超马岩邓会存胡明璐
申请(专利权)人:陕西长岭迈腾电子有限公司
类型:新型
国别省市:陕西;61

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